硅n+p结中金的两个深能级及相对浓度分布的测量

本文用深能级瞬态谱(DLTS)方法对p型单晶硅中n⁺p结掺金形成的两个深能级进行了实验研究,并对DLTS方法中传统计算深中心浓度分布的公式进行了改进,给出了深能级及相对浓度分布更为准确的测量结果。     

Si中Pt的复合行为

本文在不同本底掺杂浓度的n-Si与p-Si的扩Pt深扩散结样品中,利用暗电容瞬态法观察到了零偏压偏置结的耗尽区内,在E_F以上kT范围的深能级处的电子发射与俘获瞬态过程。这类瞬态行为满足该处不同起始条件的深能级的电子变化率方程的解。本文并对发射瞬态的产生提出了一种机理,认为它的存在是与深扩散结的结构密切有关,至于俘获瞬态则与不同杂质的俘获特性密切有关。 关键词：     

Se+注入ZnSe晶体的深能级研究

将Se离子注入到ZnSe晶体中,用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了注Se+前后ZnSe晶体中深能级的变化,发现在ZnSe中经常出现的分别位于导带下0.30eV和0.33eV的两个能级在注Se+和退火后消失。这个结果进一步证实了Beomi等人提出的以上两个能级分别与Se双空位和包含一个Se单空位的复合体有关的论点。同时注Se+后在导带下0.34eV出现一个新的能级,其电子俘获截面明显区别于0.33eV能级。该能级可能与Se填隙原子或占Zn位的反位Se原子有关。     

CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级

在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出T_d场和C_3v场下Cu²⁺ d轨道的分裂情况. 计算结果表明,CdTe太阳电池中的E_v+0206 eV和E_v+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量. 关键词： 深能级瞬态谱 第一性原理 CdTe Cu杂质     

测量半导体中深中心分布的双相关技术

自1974年D.V.Lang[1]提出深能级瞬态谱技术(DLTS)以来,DLTS已经成为研究半导体中深能级杂质,缺陷(以下统称深中心)的物理性质的广泛使用的有效手段.例如,通过DLTS测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等.1977年 H.Lefeve和 M.Schulz[2]提出了双相关DLTS技术(DDLTS),采用DDLTS技术可以方便地测量半导体中深中心的分布.测量半导体中深中心的分布在许多问题中是很重要的.例如在研究辐射损伤产生的深中心问题中,如果我们测得各个能级在经过不同温度退火过程后的浓度分布,则可判明哪些能级是属于同一个深中心.又如通过测…     

GaAsP混晶中的DX中心

用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形. 关键词：     

CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究

用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在E_V+0365 eV和E_V+0282 eV的深中心,它们的浓度分别为167×10¹² cm^-3和386×10¹¹ cm^-2,俘获截面分别为143×10^-14cm²和153×10^-16cm².它们来源于以化学杂质形式存在的Au和（或）Te_Cd^-复合体,或与氩氧气氛下沉积CdTe时的氧原子相关. 关键词： 深能级瞬态谱 光致发光 CdS/CdTe太阳电池     

氮化镓材料中深能级中心光离化谱测试与分析

设计了一种可用于测试氮化镓材料深能级中心光离化截面的光谱测试方法,该方法建立在使用PID技术控制氮化镓样品中光电流变化为恒定值的基础上,结合光电流测试、霍尔效应、光强度测试等实验手段给出深能级中心光离化截面的实际值。使用该方法得到的光离化截面测试误差同光电探测器对不同入射光子的响应能力有关,光离化截面测试误差随入射光子能量增加不断增大,在入射光子能量较高的情况下,光离化截面测试误差约为8%。对氮化镓材料深能级中心光离化谱分析发现,即使在入射光子能量小于深能级同导带之间能量差2.85eV的情况下,深能级中心仍能在一定程度上吸收该能量的入射光子,表明深能级中心缺陷同周围晶格产生一定程度的耦合。     

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为E_c=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。 关键词：     

ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/pSi异质结的两种不同温度(850℃,1000℃)退火下的深能级中心。发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E₁=E_v+0.21eV,E₂=E_v+0.44eV,E₃=E_v+071eV;而1000℃退火样品仅存在一个E₁=E_v+021eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大。同时,测量了两个样品的PL谱。发现1000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利。     

光电容法研究电子辐照GaP中的深能级

本文提出含多个深能级响应的光电容瞬态分析方法:在不考虑各能级之间电子、空穴跃迁的条件下,可出“多指数过程分离法”,将总的瞬态过程分离为各能级上指数型瞬态过程之和.运用这一方法,对lMeV(4×1015cm-2电子辐照GaP LED进行了定态和两种注入条件的瞬态光电容测量,观察到H1、H2、H3三个空穴能级(0.51、0.75、1.15eV)和E1、E2、E3、E4四个电予能级(0.68、0.84、0.89、1.01eV),并得到各能级的光离化截面谱.外量子效率及发射谱测量结果表明;电子辐照引入的深能级(H1-H3,E1-E4)表现出无辐射复合中心的性质.     

Photocapacitance studies of the C1-related deep center in CdTe

The C1-related deep center in n-CdTe has been investigated using photocapacitance methods. The photoionization threshold energy for electrons of the center has been found to distribute in the photon energy range from 0.80 to 1.30 eV. The experimental results have been analyzed in connection with properties of the center and have been explained using a configuration coordinate.     

硒化锌晶体背景深能级的光电容谱

对用国产硒化锌(ZnSe)晶体制成的Au-ZnSe肖特基势垒进行了光电容测量。光子能量hv在0.57～0.61eV范围内的激发光引起单指数型电容瞬变过程。hv在0.67～1.0eV范围内的激发光引起的电容瞬变过程呈现双指数行为。回归分析结果表明样品中存在六个深能级,分别位于导带下方0.55,0.66,0.92,1.19,1.38和1.S2eV处。     

Photocapacitance study of deep centers in ZnSe-based radiating structures

The photocapacitance method is used to study ZnSe-Au and ZnSe-ZnO(SiO₂) barrier structures in order to investigate deep centers in ZnSe crystals annealed in liquid zinc and subjected to additional thermoprocessing in a vacuum. The energy levels of the deep centers producing photocapacitance are determined. In crystals annealed for 4.5 h acceptor levels with ionization energies of 0.28, 0.36, 0.58, and 0.71 eV are found. With increase in anealing period to 100 h only the level with ionization energy of 0.58 eV appears, leading to a decrease in intensity of the yellow-green band and an increase in intensity of blue scintillation in the electroluminescence spectra.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 7, pp. 59–63, July 1984.     

形变Si,Ge中的深能级

对生长在合金衬底上的形变Si或Ge中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究。其中形变体材料的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算出。结果表明,晶格中的形变使原来类p的T₂能级发生分裂,其数值随形变的增加而增大。形变还造成Si和Ge的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。 关键词：     

ZnO薄膜的椭偏和DLTS特性

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积氧化锌薄膜,并对样品分别作氮气、空气、氧气等不同条件下退火处理。为研究退火气氛对ZnO/Si薄膜中缺陷以及折射率的影响,由深能级瞬态谱(DLTS)以及椭偏测量方法进行了检测。椭偏测量结果表明相对原始生长的样品,在氮气和空气退火使ZnO薄膜折射率下降,但氧气中退火使折射率升高。我们对折射率的这种变化机理进行了解释。DLTS测量得到一个与Zni**相关的深能级中心E1存在,氧气气氛退火可以消除E1能级。在氮气退火情况下Zn*i*的存在对抑制VO引起的薄膜折射率下降有利。     

A model for the occurrence of transient negative photoconductivity in silicon doped with gold

A transient negative photoconductivity phenomenon observed in silicon doped with gold atoms has been investigated. On the basis of the trapping of photo-excited carriers into two deep levels of gold atoms, a model for the occurrence of transient negative photoconductivity is proposed and related qualitatively to some experimental results.     

在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级

用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型<111>晶向硅MOS结构Si/SiO₂界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO₂界面缺陷H_it(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-H_it(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO₂界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分 关键词：     

Description of anomalous centers in chlorine doped-CdTe by a non-purely electronic model

In a study of chlorine-doped CdTe by capacitance techniques a new aspect to the “anomalous” effects associated with the incorporation of chlorine in CdTe as reported by several authors [4,5] has been discovered. There is evidence for the existence of an electron trap but there is a drastic disagreement between the result of thermostimulated capacitance measurements (ΔE = 0.41 eV) and photocapacitance measurements (trap located at mid-gap approximately). Similar results were found on samples differing by the self-compensation ratio for the same chlorine content.The different models previously used to explain the behaviour of chlorine-doped CdTe were considered; namely the double-acceptor center and non-Γ donor models, but these models were ruled out and a new model proposed which is not a purely electronic model. In this, two chlorine atoms are involved in each anomalous center, one of the two atoms being able to occupy two sites in the lattice. To each configuration corresponds a given charge state of the center and a different electronic ionization energy. The thermally stimulated experiments are those associated with a change in the microscopic configuration of the center that leads to the freeing of the trapped electrons.     

Electronic and optical parameters of an oxygen-related center in Zn-Te

An electron trapping center (E_c ? 0.44 eV) has been characterized by the photocapacitance technique. This center appears in oxygen contaminated crystals after ion implantation and annealing in Zn vapour. It has also been created by oxygen implantation in oxygen-free crystals. This center might result of an O_Te-D⁺ associate.