应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型

为了描述生长在弛豫Si_1-xGe_x层上应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型的、基于物理的电子迁移率模型.该模型不仅能够反映声学声子散射迁移率、表面粗糙度散射迁移率与垂直于半导体-绝缘体界面的电场强度之间的依赖关系,而且也能解释不同的锗组分对两种散射机理的抑制情况从而引起电子迁移率增强的机理.该模型数学表达式简单,可以模拟任意锗组分下的迁移率.通过数值分析验证得出,该 关键词： 应变Si/SiGe 电子迁移率 反型层 模型     

MOOSE模型中的t Hooft反常相消条件

本文讨论了H.Georgi提出的"MOOSE"复合理论中的一个问题,证明了在R_i/j≈0区域的禁闭相理论分析中t Hooft反常相消条件的必要性.     

对偶超导模型n=90—110的近似解析解

研究了对偶超导模型的大n涡旋。 基于变分原理得出了Abelian Higgs模型在n=90—110的近似涡旋解析解, 并计算了涡旋张力对n的依赖性。 发现, 每根涡旋的张力大致随n线性增长。 期望该解对理解Abelian Higgs模型中的大量子数涡旋的墙行为具有一定价值。 The large n vortices in the dual superconductor model was investigated. An approximate analytical solution was obtained for n fold quantized vortices with n=90—110 by variationally solving the AbelianHiggs model, and the vortex tension was calculated as a function of n. It was found that the vortex tension rises linearly as n grows. It is hoped that our solution shines light on the understanding of the wall behavior of the large n vortices in Abelian Higgs model.     

有机p—n异质结固态太阳能电池中的激子和载流子输运

在实验工作的基础上，提出了双层ｐ－ｎ异质结有机太阳能电池中激子和载流子输运的理论模型。假设只有扩散到结区的激子和该区产生的激子，才对形成光电流有贡献。这些激子被有机／有机界面的内建场离解成自由载流子。而后，电子在Ｂｅｉ红（ｎ型有机半导体）层传导，空穴在酞菁（ｐ型有机半导体）层传导。据此，讨论了在Ｂｅｉ红／酞菁异质结电池中，Ｂｅｉ红（Ｍｅ－ＰＴＣ）层和铝氯酞菁（ＣｌＡｌＰｃ）层之间的Ｆｏｒｓｔｅｒ能     

Hubbard—Hirsch模型中的电子相关效应

基于同一格点的电子相关，把局域方法用于Ｈｕｂｂａｒｄ－Ｈｉｒｓｃｈ模型铁磁相。在二阶计算中使用Ｒ＝０，ａ近似，仔细研究了电子相关效应对基态相图的影响．由于计及了密度矩阵非对角元，其影响与Ｒ＝０近似相比变弱。     

双光子Jaynes—Cummings模型中的Schrodinger cat态

计算了双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型场熵的演化，结合光子数统计分布和位相分布论证了双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型在强场情况和某些特定时刻存在“Ｓｃｈｒｏｄｉｎｇｅｒ ｃａｔ”态的迭加态。     

双光子Jaynes—Cummings模型中的Schoreodinger—Cat态及其演化特性

文章采用密度算符间的距离充分率证了双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型在初始相干光场较强时（ｎ≥１）在某些特定时刻（ｇｔ＝（２ｍ＋１）π／４，ｍ＝０，１，２，．．．）腔场演化为振幅相同而位相差为π／２或３π／２的两个相干态的叠加态，即Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ－Ｃａｔ态，给出了Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ－Ｃａｔ态的演化图象。     

n-Ge常温反常Hall效应机理实验

自常温反常电磁特性发现以来,人们用反型层模型对常温反常Hall效应进行了成功的理论探讨,但至今这种模型还未得到实验的验证。本文将报道我们在这方面的工作。     

THEORETICAL AND EXPERIMENTAL INVESTIGATION ON ANOMALOUS HALL EFFECT OF HETEROGENOUS SEMICONDUCTOR SAMPLES

Based on the theoretical results of inversion layers model and interpenetrating network model, we studied the anomalous Hall effect of heterogenous semiconductor samples, and obtained the following results: (1) the wider the sample energy gap, the higher the temper-ature at which anomalous Hall effect begins to appear; (2) the lower the sample resistivity, the higher the temperature at which anomalous Hall effect begins to appear, which is further verified in our experiment; (3) mobility is the main factor which determines what role p-n junction plays in sample Hall voltage; (4) for n-Ge sample with inversion layers structure, with the increase of p-type region, the Hall effect changes from normal n-type Hall effect to anomalous Hall effect of the single dip type, then to anomalous Hall effect of the second reversal type.     

高温超导体反常霍尔效应的标度行为

报道了高温超导体中钉扎影响霍尔电阻ρxy和霍尔角θH的普适标度律.这组标度律可以被多种不同的高温超导体的实验数据所验证.同时,根据已经得到的扩展幂律形式的纵向电阻ρxx以及霍尔电阻ρxy的表达式,推导出了这组标度律.     

土壤盐分运移温度效应的数值研究

分析了土壤盐分运移的各种机理,在同时考虑水分和盐分运移温度效应的基础上,建立了非饱和土壤热、湿、气及盐分耦合运移的数学模型,继而通过数值计算考察了20 cm深的砂土中盐分运移温度效应的大小,结果显示: 5年后温度效应对4个不同深度处土壤溶液中盐分浓度的相对影响分别达7.8、4.8、0.8和0.34倍。     

C-ZnSe:Ga MS发光二极管室温蓝带的发光特性

测量了在77K和290K温度下,Au-ZnSe MIS,Au-ZnSe:Ga MIS,C-ZnSe:Ga MS和C-ZnSe MIS二极管的电致发光光谱,得到了以Au作势垒电极时通常有二个室温蓝带,而以C作势垒电极时只有一个室温低能蓝带。在77K—290K温度范围内,研究了C-ZnSe:Ga MS二极管在正向电压激发下的电致发光光谱随温度的变化。结果表明:室温低能蓝带的起因,在低温下可以归结为同时发射二个纵光学声子的自由激子的发射。文中指出,在C-ZnSe:Ga MS二极管上,观测不到室温高能蓝带,是由于晶体的吸收。由此可见,C-ZnSe:Ga MS结的室温蓝色电致发光的效率比Au-ZnSe MIS结的低得多。     

利用Gordon-Kim模型对NaCl物态方程的研究

 本文对孤立离子Hartree-Fock波函数的数值解出发，直接计算了NaCl晶体中各种离子对的相互作用势。结果表明，对不同的离子对，其短程作用势性质不同。对Na⁺-Cl^-离子对，其短程作用势为正，而对Cl^--Cl^-离子对和Na⁺-Na⁺离子对，对物理上感兴趣的大部分距离范围内，其短程作用势为负。在对以上的离子对势进行了解析拟合后，通过晶格动力学的方法计算了晶体的Grüneisen参数和物态方程，其结果与实验符合程度是令人满意的。     

大白鼠抑郁症模型的MRI方法研究

用核磁共振成象方法研究对比了抑郁症大白鼠与对照组正常大白鼠脑部的核磁共振信号强度的差别.从大白鼠大脑的核磁共振图象出发,经过数据分析,发现抑郁症大白鼠多个脑组织的核磁共振信号相对强度普遍比正常大白鼠高.另外,模型组大白鼠大脑的脑裂比对照组大白鼠的脑裂更深且更宽.     

关于室温高温中FEP驻极体热稳定性的研究

本文通过实验对负极化FEP驻极体的热稳定性进行比较研究。从而得出室温高温两种极化方法下FEP驻极体寿命的研究。     

激光诱导NO2分子500-532nm区荧光激发谱的实验研究

用准分子激光抽运可调谐染料窄带激光测定了室温下NO2分子500-532nm区高分辨荧光激发谱,在两个较强吸收区505-510nm和513-520nm范围内标识了25个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转偶合常数等分子光谱常数,在25个振动带中有5个谱带是新发现的,所有得到转动分析的谱线均属于平行跃迁(X)2 A1-(A)2B2,对实验结果的分析表明电子激发态(A)2B2受到基态(X)2A1高振动能级的强烈扰动.