共查询到15条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
X射线衍射实验表明YBa2(Cu0.95M0.05)3O7-δ(M=Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu和Zn)均为单相结构。Fe,Co,Ni和Zn对Cu的替代使超导临界温度Tc显著下降,而同样含量的Ti,V,Cr,Mn对Cu的替代并未对超导性能产生显著影响。并利用中子衍射分析了Ti,Mn,Fe和Co对Cu原子的取代,发现代换原子对Cu的两个晶位各自存在不同的择优占据
关键词: 相似文献
2.
3.
4.
通过x射线衍射分析和磁性测量研究了RCo12-xTix(R=Y,Sm)化合物的结构与磁性,所有化合物全部具有ThMn12型结构.常规取向样品的x射线衍射谱表明,SmCo12-xTix化合物具有室温面磁晶各向异性,而YCo12-xTix化合物具有室温单轴磁晶各向异性.随着Ti含量的增加,SmCo12-xTix和YCo12-xTix化合物的居里温度TC及饱和磁化强度Ms均单调降低.YCo12-xTix化合物的磁晶各向异性场μ0Ha随Ti含量的增加而降低,而SmCo12-xTix化合物的磁晶各向异性场μ0Ha在x=1.74时出现一极大值,这可以用双次晶格模型来解释. 相似文献
5.
本文研究Co对Cu(I)和Ca对Y作取代时,YBa2Cu3Oy系统中的空穴浓度、晶体结构和超导临界温度随掺杂量的变化关系及其起源。结果表明,上述取代对体系中的Cu-O平面上的空穴浓度Psh都有重要影响,但其作用和方式是不同的。前一种取代主要是通过对空穴的复合和增强对空穴的局域化而使Psh下降:后者则具有明显的退局域化作用,从而使得Psh上升。当两种取代同时进行时,局域化作用不
关键词: 相似文献
6.
采用x射线粉末衍射方法测量了不同温度下R(Fe,Mo)12化合物(R=Nd,Y,D y)的晶格常数,对沿不同轴向的热膨胀反常程度进行了计算.分析认为R(Fe,Mo)12化合物热膨胀反常主要取决于Fe-Fe相互作用,根据Nd(Fe,Mo)12的结构参 数,不仅较短的Fe-Fe键负相互作用对热膨胀反常有贡献,8j-8j等较强的Fe-Fe正相互作用 也有很大贡献.另外还讨论了第三元素Mo的替代作用影响热膨胀反常的机理.
关键词:
x射线衍射
R(Fe
12化合物')" href="#">Mo)12化合物
热膨胀反常 相似文献
7.
管状(MgO)12是(MgO)n的幻数团簇, 非常稳定. 为研究电场对其储氢性能的影响, 本文在B3LYP/6-31G**水平上研究了电场中H2在(MgO)12管状结构上的吸附性质. 结果表明 (MgO)12能承受强电场而保持管状结构并被极化, 其偶极矩增大为场强0.01 a.u. 和0.02 a.u.时的9.21和19.39 deb (1 deb=3.33564×10-30C·m). H2能稳定吸附在单个Mg/O原子上. 无电场时H2在Mg上为侧位吸附, 而在O上为端位吸附; 电场中, H2在Mg和O上均为端位吸附, 且其分子取向沿外电场方向. 由于(MgO)12 及H2均被电场极化, 因此H2在(MgO)12部分位置上的吸附强度显著提高. H2在3配位的Mg/O上的吸附能由无电场时0.08/0.06 eV分别提高到场强为0.01 a.u.和0.02 a.u.时的0.12/0.11 eV 和0.20/0.26 eV. 电子结构分析表明H2吸附在Mg原子上时, 向团簇转移电荷, 电场极化效应是其吸附能较无电场时增大的主要原因. 吸附在O原子上时, 一方面由于O阴离子极化效应更强; 另一方面, H2从(MgO)12得到电荷, 其价轨道与团簇价轨道重叠形成化学键, 因此电场效应更显著. 电场中(MgO)12最多能吸附16个H2, 相应的质量密度为6.25 wt%. 相似文献
9.
10.
Nd2Fe14B是一种磁能积很高的优良的永磁材料,但在实用上稍嫌它的居里温度低了一点。为了提高它的居里温度,人们曾用某些元素替代其中的一些铁作了尝试。文献[9]及我们最近的实验表明:用硅代替部分铁之后,材料的居里点都获得了提高。本文用中子衍射法研究了Si在Y2Fe14B中的占位情况,以了解Si对磁性能产生的影响。中子衍射的结果表明:Si择优地占据c,j1及k2晶位。最后,用磁交换作用对结果进行了讨论。
关键词: 相似文献
11.
12.
S.G. Parker 《Solid State Communications》1979,31(6):403-408
Factors which influence coercivity, Hc, in (Y,Sm,Lu,Ca)3(FeGe)5O12 films and in (Y,Sm,Tm)3(FeGa)5O12 films grown by LPE have been identified. An anomalous layer at the film-substrate interface exhibits coercivity values different from that of the middle, bulk, portion of the film. The contribution of the transient layer at the substrate interface could be reduced by increasing the rotation rate while immersing the substrate into the melt. Films containing Ga show lower coercivities than films containing CaGe possibly because films with Ga are more uniform in composition. Films with Ga show increased coercivities with increasing growth rates and with increasing Sm content throughout the film. 相似文献
13.
14.