掺杂的a-Si1-xCx:H膜的LESR研究

本文系统地研究了77K下掺杂(B或P)的a-Si_1-xC_x:H膜在平衡状态和弱光照下的ESR特性,文中报道了该膜价带尾态中定域化空穴的ESR吸收谱。实验结果还表明:虽然a-Si_1-xC_x:H膜中由于B掺杂会引起光电导的改善,但却不能使悬挂键总浓度减小。 关键词：     

Al2O3薄膜/纳米Ag颗粒复合结构的光吸收谱及增强Raman散射光谱研究

Al₂O₃介质薄膜与纳米Ag颗粒构成的复合结构,被应用于表面增强Raman散射探测实验中,其中Al₂O₃介质薄膜对纳米Ag颗粒的吸收谱及增强Raman散射光谱的影响被特别关注.该复合结构的光学特性表征出纳米Ag颗粒的偶极振荡特性.从光吸收谱中可以看到,其共振吸收谱随Al₂O₃介质薄膜厚度增加而在整个谱域上发生红移,表明纳米Ag颗粒的周围介电常数随Al₂O₃介质薄膜厚度的增加而增大.采用罗丹明6G作为探针原子,6个Raman特征峰的平均增益值作为表征表面增强Raman散射衬底增益程度的量度.实验结果表明,Al₂O₃介质薄膜层的引入提高了纳米Ag颗粒的衬底介电常数,并引起了散射共振的增强,从而使表面增强Raman散射强度提高. 关键词： 纳米Ag薄膜 共振吸收 表面增强Raman散射 介电常数     

KCl中FH(CN)-的吸收、发射光谱及e-v能量转换机理研究

以扩展离子处理方法(SLC)从理论上研究了KCl中F_H(CN)^-缺陷中心的基态和激发态的特性,理论计算值与F_H(CN)^-在KCl中的吸收、发射光谱的实验值符合得很好。计算了(CN)^-分子在KCl中的本征振动频率,解释了F_H(CN)^-的振动荧光光谱及相应的Raman谱,指出Raman振动谱中峰的劈裂应该来源于(CN)^-分子在KCl中的 关键词：     

富勒烯C20四聚体的结构与性能研究

采用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函(B3LYP)方法, 在6-31 G基组水平上对C₂₀四聚体进行了几何参数全优化, 得到了基态构型, 并对其稳定性、电子结构、极化率和芳香性进行了计算研究. 结果表明: C₂₀碳笼以[2+2]加成方式结合形成C₂₀四聚体, 具有良好的热力学稳定性; C原子内部以sp²的方式杂化, C原子之间有少量电荷转移; C₂₀ 四聚体的IR和Raman光谱都有较多的振动峰; 随碳笼数的增加, C₂₀聚合物中原子间的成键相互作用随之增强; C₂₀四聚体具有芳香性.     

P3121(D34)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅰ)——二元系压电晶体用Al1-xGaxPO4的Raman谱

测得了二元系压电晶体磷酸铝镓Al_1-xGa_xPO₄(x=0.12)的Raman谱,与α-ALPO₄晶体的Raman谱相比,声子频率的红移多于蓝移;E类振动的TO和LO模的劈裂明显减少,依据晶格动力学的观点解释了这些特点。 关键词：     

MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBR结构的晶格振动

利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga_0.4In_0.6As_0.85P_0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga_0.4In_0.6As_0.85P_0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。     

用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性

用UPS技术获得了GDa-Si_1-xC_x:H合金薄膜的价带谱,分析了掺杂和表面氧化对价带谱的影响,并结合XPS,AES等电子能谱测试手段,对这种材料的价电子分布和键合特性作了初步的研究。 关键词：     

Raman光谱方法研究三氯甲烷与苯分子间的C/H…π相互作用

测量了不同浓度三氯甲烷（CHCl₃）与苯（C₆H₆）二元溶液的Raman光谱,随C₆H₆浓度的增加,受分子间C/H…π相互作用的影响,CHCl₃中C—H键伸缩振动频率向低波数移动;当CHCl₃体积分数小于40%,C—H键伸缩振动频率不变,分子间C/H…π相互作用达到饱和.分别以CHCl₃和C₆H₆体积分数为70%的CHCl₃-C₆H₆混合溶液为研究对象,测量了它们的高压和低温Raman光谱.根据CHCl₃中C—H键伸缩振动频率随压强和温度的变化关系,得出了分子间C/H…π相互作用对压强和温度的扰动表现出不稳定性.     

K3Ba3C60在不同温度下的Raman光谱研究

研究了K₃Ba₃C₆₀在不同温度下的Raman光谱.发现Raman光谱随温度的变化发生有规律的变化.随着温度的降低,所有模的线宽和强度的变化情况与纯的C₆₀的情况明显不同.径向Ag(2)模的频率在20K到室温之间有一个反常大的向高频漂移(9cm^-1),这表明在C₆₀分子和掺杂离子之间存在着轨道杂化.另外Raman光谱中Ag(1)模两个分量的相对强度随着温度的降低发生有规律的变化. 关键词： 高频漂移 轨道杂化     

不同含氮量的a-Si:H/a-SiNx:H超晶格界面性质的研究

通过电调制吸收、光热偏转谱、光致发光及红外吸收谱等实验技术,研究了不同含氮量的a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格的界面性质。由电调制吸收测试得出的界面电荷密度Q_s～10¹²cm^-2。Q_s比由光热偏转谱所获得的界面态密度N_i～10¹¹cm^-2大出约半个数量级。N_i,Q_s,及光致发光相对峰值 关键词：     

激光法制备纳米a-SixNy:H的光谱及键结构研究

用红外吸收光谱和喇曼光谱对激光法制备的纳米a-Si_xN_y:H粉末及其加压成形块体的键结构进行研究,发现在a-Si_xN_y:H中存在着Si-N,Si-Si,Si-H,N-H,Si-O-Si及OH基团,讨论了块体及其退火后光谱畸变和键结构变化。 关键词：     

MICROSTRUCTURE OF SiOx:H FILMS PREPARED BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The micro-Raman spectroscopy and infrared (IR) spectroscopy have been performed for the study of the microstructure of amorphous hydrogenated oxidized silicon (a-SiO_x:H) films prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition technique. It is found that a-SiO_x:H consists of two phases: an amorphous silicon-rich phase and an oxygen-rich phase mainly comprised of HSi-SiO₂ and HSi-O₃. The Raman scattering results exhibit that the frequency of TO-like mode of amorphous silicon red-shifts with decreasing size of silicon-rich region. This is related to the quantum confinement effects, similar to the nanocrystalline silicon.     

a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性

报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０^１１ｃｍ^-2。 关键词：     

非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究

实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiN_x:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:H和a-SiN_x:H层厚度比近似于1:2时,硅衬底上生长的a-Si:H/a-SiN_x:H/c-Si样品,弯曲最小,并能保持很长时间。文中还给出了应力随退火变化的情况,并对实验结果进行了讨论。 关键词：     

嵌埋在SiO2基质中的nc-Ge的制备及其发光现象

采用等离子体化学汽相淀积技术生长a-Ge_xSi_1-x∶H薄膜，然后在800℃，10⁵Pa下于传统开口管式炉中氧化热处理，制备嵌埋在SiO₂中的nc-Ge微晶粒．利用傅里叶变换红外光谱、喇曼光谱和X射线衍射谱分析样品的微结构，研究a-Ge_xSi_1-x∶H薄膜的氧化过程中发生的化学和物理变化，并用平衡态化学反应热理论加以解释．在某些样品中观察到室温下的光致发光现象，采用Brus电 关键词：     

FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF THE SIZE-CONTROLLED AND PATTERNED nc-Si DOTS

A new method of phase-modulated excimer laser crystallization is adopted to fabricate the patterned nanometer-sized crystalline silicon (nc-Si) dots within the sandwiched structure (a-SiN_x:H/a-Si:H/a-SiN_x:H) films. The results of transmission electron microscopy, electron diffraction and Raman scattering show the ultra-thin and single-layer nc-Si films were patterned in the lateral direction and the size of crystallites is controlled by the thickness of as-deposited a-Si film in the longitudinal direction. The effects of the laser energy density on the structures of the samples and the crystallization mechanism are discussed.     

Spectroscopic analysis and magnetic susceptibility of CuO-TeO2-V2O5 glasses

This article reports on the structure of the glassy system xCuO-65TeO₂-(35−x)V₂O₅, 5≤x≤10 mol% which was studied using infrared (IR) and Raman spectroscopy methods as well as magnetic susceptibility measurements. IR and Raman spectroscopy analysis reveals the presence of four main absorption bands attributed to [TeO₃], [TeO₄], [VO₄], and [VO₅] structure units. It suggests that Cu²⁺ ions occupy the available open spaces of the Te-O network without straining the bonds too much. Increasing the concentration of Cu²⁺ ions beyond 5 mol% results in the modification of the glass by straining and locally distorting the surrounding of the Te-O network. The magnetic susceptibility of these materials was investigated in the temperature range of 5-200 K revealing the paramagnetic behavior described by the Curie-Weiss law and indicating the presence of weak antiferromagnetic exchange interactions between Cu ions. The magnetic entropy change of the glasses was determined based on the temperature and magnetic field dependence of magnetization.     

Vibrational properties of superionic glasses (AgI)x(Ag2O nB2O3)1-x

In this letter we refer on the Raman-scattering measurements in superionic glasses (AgI)_x(Ag₂O nB₂O₃)_1-x where 0 ? x ? 0.5. The behaviour of the low-frequency Raman spectra, Δν < 250 cm^?1, has been interpreted as due to a vibrational density of states mainly due to the silver halide. Nonlinear increase of the Raman efficiency with the increase of AgI concentration has been found: a phenomenological explanation is presented.     

a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应

采用带有可转动掩板的沉积系统,合成出一类新的a-Si:H/掺杂a-SiN_x:H超晶格。样品中各子层厚度及a-SiN_x:H子层中N/Si比固定,仅改变掺杂浓度。结果发现:此类超晶格中的费密能级可以通过a-SiN_x:H层中的掺杂来控制,即a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格可以从n型转变为p型,依赖于a-SiN_x:H子层中B的掺杂比。然而,a-SiN_x:H子层中P的掺杂对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格传输特性影响并不大。 关键词：