近期外文资料索引

一发光的一般问题无机发光材料的制备· 西德专利1592571碱卤化合物的本征发光 日本物理学会志1974,29 (6)发光 固体物理3(4)11一W一V:族化合物半导体 固体物理6(6)11一W族化合物的能带结构 固体物理8(5)二场致发光硫化锌磷光体的gud碑en一pohl效应和 表面态 J。Lumineseenee 1973。8 (2)164经由EL存贮屏进行扫描变换 美国专利3680087EL光源—在发光材料上触接镀碳灯 妊, 美国专利3772556用升华法制备的磷光体的场致发光 Nekot Aktual VoP. Sovrem。Estest,ozn。 1971。59场致发光层的电泳沉积 CBeToTexH从Ka 1974,5 (11)ZnS粉末…     

《国外信息显示》一九七三年分类目录

一无机发光材料的一般问题: 发射光谱 余辉测量 光和颜色的测量 国外无机晶体发光研究概况 发光材料的能带结构 体效应场致发光 一种联合的发光中心 等电子陷阱二场致发光显示器件和材料: CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究 利用场致发光屏作发光天棚的可能性 粉末场致发光屏亮度的测量 粉末材料EL效率的测量 n一班族化合物粉末的直流场致发光 ZnS薄膜场致发光 粉末场致发光应用现状 薄膜PC一EL夹层型象加强器 碱卤晶体的场致发光简讯:一种硫化镐场致发光器件 ZnS:TbF3薄膜的直流场致发光 Mn注入的ZnS薄膜场致发光元件…     

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一发光的一般问肠对n一U族化合物的电子自旋共振的研究 ,\D 760803I一VI族化合物中的本征缺陷 AD 771797Yvo。、YAso‘、YpO;中稀土离子在激发 态的多声子弛豫 AD 772194测量在77和50OK之间发光的衰减时间的荧 光计 Nouv.Rev.Opt.,一973,4(2),57.36个字母的直流场致发光字符显小器 一973 SID,p30.多晶硫化锌驻极体的场致发光闪光 袱flC。,1973,19(4)641.ZnS:Mn薄膜自发与刺激场致发光理沦 水3T中,1973,(1)371。场致发光装置 日本专利72,27594。 二场致发光对老化的Z。S(Cu,CI)场致发光粉中浅陷 阱的研究 C .R。Aead。Bulg.Sc…     

“国外发光与电光”一九七四年分类目录

一固体发光的一般问题: 固体发光简介 发光材料的光谱特征(1) 制备荧光纯硫化锌原料的一种新方法 发光材料的光谱特征(2) 光度学简介 东芝磷光体 简讯: 用高压烧结法制备磷光体,51一5583一8753一5977一8786一9415一231 2 3 3 56二场致发光材料和器件: 场致发光的应用和固体显示前景 硫化锌和有关化合物的直流场致发光 直流场致发光材料与平板电视显示技术 场致发光磷光体 场致发光Zns: Er“ 薄膜的激发机理 固体X射线图象转换器 新的场致发光显示屏 场致发光体悬浮浓的电泳沉积 粉末材料的场致发光(1) 简讯: 关于场致发光器件的讨论 ZnS:…     

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一、场致发光:薄膜显示开关(a cEL屏用)AD一772544 场致发光屏(用电介质材料) OTKP址THa,H3o6.nPoM曰坦几eHnHeo6Pa3双H,?oBaPHHe 3HaKH 1973,50 (25)198.(Zn,Cd)S磷光体的结构和光学特性IndianJ。Chem。,1973,11(8)场致发光屏亮度和稳定性的提高C刀eToTexaHKa 1974(6)11792重掺杂半导体场致发光理论中T n 1973,7(11)2103 稀土掺杂的ZnS场致发光薄膜器件中亮度对电压的依赖性 Jap.J.Appl.Phys.1974,13(2)性264低温下重掺杂半导体场致发光结构的特中T n 1973,7(12)2269 通过EL对Znse边缘发射中施主一受主对复合的观察 J。…     

场致发光理论(一)

1936年,Destriau发现悬浮在绝缘介质中的ZnS—Cu粉末在交变电场作用下发光,这称为Destriau效应,或本征场致发光。这篇报告的作者总结了自1936年以来对这一现象所观测到的二十种比较重要的实验结果,并简单回顾了对这一现象所作的一些比较典型的理论解释。作者认为,当前对场致发光过程的物理解释仍然是很不清楚的。     

高纯汽相生长GaP的场致发光及电学性质

研究了以汽相外延法在整片单晶GaP衬底上生长的高纯GaP的场致发光、霍尔系数、电阻率同温度的关系。在77°K和300°K分别获得高达2370厘米~2/伏秒和189厘米~2/伏秒的霍尔迁移率。以Zn 扩散制成的二极管的场致发光表现为本征复合。在77°K时,除了由于在中性施主位置上的束缚激子复合而引起的狭的非声子谱线外,近边带场致发光还呈现出一组界线分明的谱峰,相应于自由激子的声子协助的复合(下文中简称为“声协”复合)。这些观察到的峰,既和 TA、LA、TO声子的吸收有关,也和它们的发射有关;它们的能量分别为12.5,31.0,44.0毫电子伏。和声子发射有关的谱峰强度对于TO、LA和TA声子来说,大概比率是1:3:1.5。这些能量和相对强度是和本征GaP的吸收及阴极射线发光数据一致。在氮和别的任意杂质浓度很低的器件中,场致发光和温度的关系表明:300°K的发射以本征复合占优势。     

《国外信息显示》一九七二年分类目录

期页一、场致发光显示器件和材料: 粉末状氧化铝的场致发光127 Cdse单晶的双注入、负阻效应和场致发光磷光体场致发光129 SrS一Cu,Eu磷光体场致发光的磷光现象132 延长场致发光屏寿命的几种方法一136 稀土激活的ZnS粉末的直流场致发光27 稳定的低压场致发光屏210 对未来场致发光平板电视的设计考虑214 直流控制的固体X光图象转换器425 场致发光理论(一)415 场致发光理论(二)31 场致发光理论(三)614 由于声电不稳定性引起的ZnS低压场致发光56 场致发光层的高温固化对其亮度的影响510 磁场对ZnS一Cu场致发光粉结构和光学性质的影响512 …     

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一、发光的一般问题: 对发光材料的光学和电学性质的研究 A D 778 413 某些n一VI族化合物的禁带宽度与温度的关系同前1974,(12)53含氧化锌发光材料的直流场致发光板日本特许74 011796高分辨率场致发光X射线象转换器日本特许74 01179734(12)Phys.Chem.Solids.,1973, 2167了 489二、场致发光:ZnS。.。S。。.‘晶体中的绿色场致发光Appl.Phys。Lett.,1974 25(9) 参加场致发光过程的陷阱光谱 J .Lumineseenee,19749(2)156 晶体光致发光和场致发光磷光体 PWN,1974,164 5.(波) 稀土场致发光溶液 美国专利3835345 介质与场致发光亮度/温度…     

交流场致发光薄膜显示器

据美国《电气与电子工程师协会会报》1973年7期报导,美国西马闯公司制造的交流场致发光薄膜显示屏的结构如图所示。 场致发光薄膜材料主要是ZnS:Mn蒸发膜,膜的下面有一层黑色的电介质,上面有一层透明的电介质。黑色介电层的反射率仅为0.25％。在实验室正常照明条件下,反差比可达30:1。据称,当显示器表面亮度     

硒化锌中的场致发光

讨论了含Mn,Mn和Al,Al或Cl的硒化锌单晶制成的肖特基二极管的场致发光性质。这种二极管在反向偏压下发射一种宽度可变的黄色谱带,其峰值波长在5785(2.14 ev)和6050A之间。从ZnSe:Mn二极管得到的最佳发射在1.9×10~(-3)％的能量效率下亮度为500呎朗伯。在较低的300呎朗伯亮度时得到 3×10~(-3)％的最高效率。在反向偏压下ZnSe:Mn二极管呈现出特征锰发射的窄带,其中心位于5785A。像Al那种外部施主的存在将使亮度和效率降低。这个连同发射向长波的轻微漂移和发射带的加宽一起与自激活发射的起始激发相联系,而自激活发射随施主含量的增加而增加。发现ZnSe:Al场致发光中的自激活发射在6300A(1.97ev),而ZnSe:Cl中为5900A(2.1ev)。仅在肖特基接触下含有一较厚(～200A)绝缘层构成的二极管中观测到正向偏压场致发光。正向场致发光在亮度上至少比反向EL低一个数量级。     

《国外发光与电光》一九七五年分类目录

一发光的一般问题:ZnS荧光粉的表面吸附和光化学过程的研究关于磷光体效率的讨论会(动态)稀土发光的一些特性稀土磷光体中辐射及无辐射过程的估算(会议文摘)在磷光体生产中要注意的几点(会议文摘)美.日荧光粉工业的现状与发展趋势一九七五年国际发光会议文摘选辑 14 662 1 213专辑2 3 3 5 5 56 二场致发光:化合物半导体的场致发光扮末,薄膜材抖和器件:4 9 n 41 68 73 2 2 31 58 62 34 36 51 56561上1一JI J.︷,上唯1 2 2 2 2 21公5 5 55 场致发光留象板(动态) 用场致发光屏的电视显象系统(会议文摘) 稳定的高亮度薄膜场致发光屏(会议文摘)…     

对未来场致发光平板电视的设计考虑

从平板场致发光显示整个系统的各个方面看来,制作场致发光电视屏是可能的。这种考虑的基础是采用大面积薄膜晶体管矩阵组成的寻址和驱动线路,把它直接蒸着在场致发光层的背面上。低压直流的场致发光最为理想,而为实现这一点,提出一种Ⅱ—Ⅳ族多晶异质结新原理(半势垒注入场致发光)。不过,现行的交流场致发光也可使用,但有待得到某些改进。     

近期外文资料索引

一、发光的一般问题一九七三年塞格德(匈)发光会议 Aeta Phys.et ehem,Szeged,1973, 19(4)P。321一459。晶体发光粉及其应用 BeeTR。AH CCCP。1974.4,112 一1 14。判定稀土磷光体中的辐射与无辐射过程 J .Eleetroehem.Soe.1974,121 (3),950。直流激发的场致发光粉末材料 英国专利1357420场致发光器件用的磷光粉一激活的磷光体上 镀有一层无阴离子金属 英国专利1353143二、场致发光场致发光材料和显示器的最新进展 European Conferenee on Eleetro- teehnies EUROCON,74.D呈gest, 22一26,April,74。掺稀土离子的场致发光ZnS薄膜…     

《国外信息显示动态》1970年1—6期《国外信息显示》1970年7—9期分类目录

第一部分正文 (一)综述期页显示的应用及其技术(节译)11、28大屏幕显示(节译)129、31大屏幕显示21、13集成化固体显示5 23、31美帝大屏幕显示的研制情况8、91、6发光元件的最新进展8、951~57 (二)荧光材料葫激活A班BvO;型荧光粉的发光性质221、32游激活的几种险及硷土金属的犯酸盐及缸酸盐的的荧光 及阴极射线发光233、36无机磷光体中的三价离子237、5,发绿光的硫化锌场致发光磷光体31~9(加,Cd)(S,Se)的场致发光性质3 10”24 (三)显示方法 (1)场致发光显示平板电视屏的显象方法138~46场致发光平板显示413、23 56硫化锌直流场致发光显示一…     

直流场致发光屏将能批量生产

美国伦敦G.E.C.Hirst研究中心正在生产一种直流场致发光显示屏,据说已宜于批量生产并且价格适中。 这种显示屏用的是硫化锌磷光体,与以前的交流屏所用磷光体不同,它含铜的体浓     

生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响

采用锌粉和银粉为蒸发源,用热蒸发法不同温度下制备了四针状纳米氧化锌,并以单独的锌粉做对照。采用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌,X射线衍射(XRD)谱表征其晶体结构。采用丝网印刷方法将其制备为场致电子发射阴极,将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致电子发射特性对比实验。结果表明较高温度制备的氧化锌具有较好的场致发射性能;掺杂银粉的蒸发源制备的样品的发射性能明显优于没有掺杂银粉的样品。实验证明ZnO是一种优良的场致发射冷阴极材料,在真空电子方面具有广阔的应用前景。     

电致发光显示究研动向

继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL,     

谈场致发光器件的老化原因

在有关场致发光工作中,主要注意力都放在该过程的物理方面,尽管场致发光电容器是一个较复杂的系统,由几部分组成(发光粉、粘合剂和薄膜导电材料),但是这几部分之间的相互作用影响到它的发光特性。本     

近期外文资料索引

1975,11(7),1320 一、发光的一般问题:1。、二。、招,。 一、仪沙”一联’,咫‘13.场致发光矩阵屏 1.有机分子光物理学苏联专利256一092 Organie Moleeular Photophysies.14.直流场致发光电视显示部分中间调1975年出版653页制显示方式 2。光子学少F公步二步1975,3,216 Photoni。5.1975年出版412页15.固体显示器件(场致发光) 3.无机磷光体应用物理1975,44(6),643 HeopraH。!一ec二二e。。M二HO中。po 16.薄摸场致发光文字、数字、图象显1975年出版197页示器件 4.发光及其技术发展动向电子材料1975,(11),52 工*夕卜。二夕,1975,(12)17.场…