碘掺杂聚对苯撑的EPR和σdc

本文对聚对苯撑及其掺碘的样品进行了电子顺磁共振和直流电导率的研究,并分别给出了σdc和EPR谱室温线宽ΔHpp对碘浓度N(I)的变化关系。由于掺杂而诱导的单极化子和双极化子态之间产生极化子跃迁,利用这种跃迁过程解释了此材料的导电性质。从电子顺磁共振的实验结果发现,电子顺磁共振信号与掺碘浓度呈现一种新的现象。试图探讨未掺杂及掺杂的聚对苯撑材料中自旋产生的原因。我们提出了在掺碘后的聚对苯撑材料中,由于碘在材料中以不同形式存在,影响单极化子和双极化子的形成,导致单极化子态和双极化子态之间相互转化的概念。     

聚对苯撑及其烷氧基衍生物的能带研究

利用扩展Hückel分子轨道方法，运用BICON-CEDiT程序包计算了聚对苯撑及其系列烷氧基取代物的一维能带结构.计算结果表明：聚合物的能带结构在很大程度上受到杂原子、侧链等因素的影响，这与已知的实验结果相符；随着烷氧基侧链中C原子数的改变，聚合物的带隙呈现规律性变化.理论计算得到的带隙值与已有的实验观察值符合得相当好.     

聚对苯撑中杂质诱导的磁性缺陷

本工作研究了掺FeCl₃和掺碘聚对苯撑(PPP)样品中与极化子相互转化有关的电子顺磁共振(EPR)谱特性.在掺碘的样品中,我们观测到一种新的实验现象:室温线宽△H_pp(RT)、自旋浓度N_spin对掺碘浓度的特有依赖关系,即随碘浓度N (Ⅰ)的增大,△H_pp首先减小又增大,然后再次减小重又增大.与此对应,自旋浓度首先升高又下降,然后再次升高又下降.然而,在掺FeCl₃的样品中,△H_pp和N_spin没有出现象在掺碘的样品中那种变化现象,而是随掺FeCl₃浓度增大,△H_pp,首先减小而后增大.相对应地,N_spin首先升高而后下降.本文着重探讨了产生上述差别的原因.由于聚合物链上的自旋和掺杂分子相互作用,观测到的g因子数值接近自由基g值,并且基本上不随掺杂种类、温度的变化而变化.     

聚对苯撑乙炔咔唑薄膜对TNT挥发物的检测

以3, 6-二溴-9-辛基咔唑和2, 5-二戊烷氧基-1, 4-二乙炔基苯为单体,通过Pd催化的Sonogashira偶联反应合成了聚对苯撑乙炔咔唑衍生物PPECz。PPECz的溶液和固体薄膜都具有较好的发光性能,并且均对2, 4, 6-三硝基甲苯(TNT)有明显的响应。在常温常压条件下,微量(40 μg)的TNT挥发物在60 s内就能使聚合物PPECz薄膜的荧光强度被猝灭56%,可作为一种潜在的硝基苯类爆炸物的荧光检测材料。     

Eu(DBM)_3Phen掺杂聚甲基丙烯酸甲酯静电纺丝荧光纤维

通过静电纺丝技术获得直径约为700 nm,均匀且随机取向的亚微米级Eu(DBM)3Phen/PMMA纤维。在紫外光辐射下,亚微米级荧光纤维发出明亮的红色荧光。其激发光谱表明,荧光纤维有效激发波长范围为200~400 nm。利用积分球配以CCD探测器,在367 nm长波紫外LED激发下对荧光纤维开展绝对光谱功率测试。当LED泵浦功率为535.76#W时,厚度80#m的Eu(DBM)3Phen/PMMA纤维薄层对紫外辐射的吸收率高达89%,350~850 nm范围内发射的总绝对光谱功率、总光子数和总荧光量子产率分别为36.56#W、11.46×10~(13)cps和12.94%。亚微米级Eu(DBM)_3Phen/PMMA纤维薄层中,Eu~(3+)较高的跃迁发射几率及较大的发射截面使得纤维可以高效吸收紫外辐射并转变为可见光,在提高太阳能电池光电转换效率方面具有潜在应用价值。     

对协方差|σ_(xy)|≤σ_xσ_y的不等式的证明及应用

给出了有关误差传递协方差的定义 ,提出了对不等式 |σxy| σxσy 的证明及应用。     

共轭聚合物聚对苯撑乙烯膜的光稳定性研究

采用UV-Vis吸收光谱、荧光光谱对MDMO-PPV膜和MEH-PPV膜进行了光稳定性测试,最大吸收峰为500nm,最大荧光强度峰分别为580和589nm。在氧的存在和光的辐射下,均可降低它们的荧光强度。运用非均相光催化氧化技术,利用固态纳米TiO2-PVC复合膜,对提高PPV膜的光稳定性进行了初探。     

聚对苯撑[poly(p-phenylene)]的基态、极化子和双极化子激发态

本文在紧束缚模型基础上,对聚对苯撑类材料提出一简单的哈密顿量,并计算了系统的能带结构,给出基态、极化子、双极化子激发态,得到了双极化子比两个单极化子更容易激发这一重要结论。在能带中除发现能隙内的两个极化子定域能级外,还发现导带和价带都要发生二劈裂,带边上出现浅能级,它们对应的电子态均是定域的。 关键词：     

聚对苯乙炔(PPV)的薄膜电致发光特性

聚对苯乙炔[poly(p-phenylene vinylene),缩写为PPV]是一种典型的线性共轭高分子.早在1968年,美国化学家Wessling就宣布合成出了PPV[1],但由于当时对该材料的应用前景不清,故未能引起科学界的重视.80年代中期,Murase等用AsF5及其它多种掺杂剂成功地对PPV进行了掺杂导电研究[2],使其电导率提高了16个数量级,由绝缘体变成了导体.     

Br掺杂对二聚物能隙材料(CH_3)_2NH_2Cu(Cl_(1-x)Br_x)_3的晶体结构和物理性质的影响（英文）

晶体的物理性质可以通过晶体掺杂的方式来改变.因此,在这工作中,我们研究了Br掺杂效应对(CH_3)_2NH_2Cu(Cl_(1-x)Br_x)_3(0≤x≤1)晶体的结构,物理性质及比热的影响.研究表明,晶体结构几乎不受Br掺杂影响,而温度T2K的磁性质,其随掺杂浓度的变化而变化.掺杂浓度从x=0到x=1变化过程中,磁相互作用从顺磁态变为铁磁态.这现象可理解为随着掺杂浓度增大,最近邻磁性离子间相互作用发生改变,导致x=0晶体的磁结构中反铁磁二聚化解体.不同磁场下x=0和x=1掺杂的晶体比热研究,x=1晶体的磁比热在温度2-4.5K区域呈现出一个随磁场变化的"肩",表明存在于x=0晶体中的自发反铁磁有序相和磁场诱导有序相被抑制.综上所述,磁性质和比热特征均表明掺杂能有效改变物理性质:x=0晶体的磁结构中反铁磁二聚化解体,x=1掺杂的磁结构演变成铁磁二聚化的反铁磁链.     

锌磷酸盐玻璃掺杂VO~(2+)吸收光谱和EPR谱研究

3d1离子(如VO2+,V4+)是一类非常重要的离子,其掺杂电子顺磁共振谱已有大量的研究,积累了丰富的实验数据。利用3d1离子在四角压缩八面体对称中EPR参量的高阶微扰公式,计算了锌磷酸盐玻璃晶体中掺杂VO2+的EPR参量(g因子g‖,g⊥和超精细结构常数A‖,A⊥)和光吸收谱。由于锌磷酸盐玻璃晶体中掺杂VO2+中配体O2-的自旋-轨道耦合参量ζ0p(≈150cm-1)与中心过渡金属3d1离子V4+的ζ0d(≈248cm-1)相差不太大,故来自配体的自旋-轨道耦合参量ζ0p对EPR参量和光吸收谱的贡献必须予以考虑。采用重叠模型建立了杂质中心结构参数与电子顺磁共振(EPR)参量以及光吸收谱之间的定量关系;通过拟合锌磷酸盐玻璃中V4+中心的EPR参量和光吸收谱理论与试验符合,获得了杂质中心[VO6]8-基团的局域结构;研究发现,[VO6]8-基团的平行和垂直于C4轴的键长分别为:R‖≈0.175nm,R⊥≈0.197nm,即[VO6]8-基团的局域结构为沿C4轴方向呈压缩的八面体结构;所得EPR参量和光吸收谱的理论值与实验符合很好,并对上述结果的合理性进行了讨论。这说明微扰法可以用来研究材料中掺杂3d1过渡金属离子的EPR参量和光吸收谱。此外,对超精细结构常数(A‖和A⊥)的研究发现,较大的芯区极化常数κ值说明VO2+中未配对的s电子对超精细结构常数有较大的贡献。     

(ψ_4As)CuCl_3晶体中Cu~(2+)-Cu~(2+)离子对的EPR研究

本文在晶场理论的基础上,考虑了Cu~(2+)-Cu~(2+)离子间的交换作用后,得到了(φ_4As)CuCl_3晶体中Cu~(2-)-Cu~(2-)离子对的跃迁能级,g-因子和零场分裂,计算结果与实验符合较好。     

Ir(Fppy)_3掺杂PVK体系发光特性的研究

对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。实验结果发现,磷光材料掺杂浓度不同,器件发光特性不同。当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时,EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光;当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时,会发生浓度猝灭;当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较适中时,EL光谱中观察不到PVK的发光,只有Ir(Fppy)3的发光。通过I-V-L特性的比较,当掺杂浓度为4%时,器件的光电特性最好。     

聚(2,5－二丁氧基对苯乙炔)电致发光性能的研究

本文对以聚(2,5-二丁氧基对苯乙炔)为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究。其发光峰值波长为590um,起亮电压为12V,最大亮度可达112cd/m2.热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长,一般以200℃,真空处理3.5h为宜。还原气氛(N2+H2)下的热处理有利于电致发光性能的提高。器件在空气中具有一定的使用寿命。其量子效率可达0.16%光子/电子。并研究了器件制备工艺对性能的影响,初步探讨了聚合物电致发光机理。     

碳纳米管掺杂对聚合物聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔-PbSe量子点复合材料性能的影响

基于碳纳米管的良好导电性、激子传输性能和量子点聚合物复合材料高的光电转换性能, 采用原位缩合法制备了聚合物聚(2-甲氧基-5-辛氧基)-对苯乙炔(MOPPV)功能化碳纳米管(SWNT)-PbSe量子点复合材料, 通过对复合材料的X射线衍射、透射电子显微镜和紫外可见吸收光谱研究, 发现MOPPV, SWNT与PbSe量子点可以有效地复合, 且SWNT与MOPPV形成网状结构; PbSe量子点尺寸为5.75 nm, 其可均匀地分散在MOPPV-SWNT基体中形成包覆或镶嵌结构, 并发生了光诱导电荷转移.通过对复合材料的光电性能研究发现, 当MOPPV, SWNT, PbSe三者的质量比为1: 0.3 : 1 时其光电性能最好, 开路电压为0.556 V, 短路电流为2.133 mA, 填充因子为34.48%, 转换效率为0.452%, 与聚合物MOPPV-PbSe量子点复合材料材料相比, 光电性能提高了2–3倍. 关键词： 量子点 碳纳米管 复合材料 转换效率     

镱掺杂钼酸铅的光谱和EPR谱的理论研究

该文表达了一个研究Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的理论方法. 采用晶体场理论,推导了有关光谱和电子顺磁共振谱的公式. 基于这些理论公式,构建了4f¹³电子组态在D_2d晶体对称下包括Zeeman磁相互作用的14阶能量矩阵. 通过对角化这一能量矩阵,研究了Yb³⁺掺杂PbMoO₄晶体的光谱和电子顺磁共振谱. 所得的理论结果与实验值很好符合. 而且,相关的晶体场参量也在研究中确定.     

应力对(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

考虑到应力对超薄层(GaP)_1/(InP)_1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)_1/(InP)_1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小0.31eV.通过对辅助模型的研究,可以发现随键长应力的增大,系统带隙加宽,费密能级移动,同时计算得到的各晶位上原子的电子占有数结果清楚地反映了InP的离化程度比GaP高,最后证明这类应力超晶格(111)表面有类似的SP_z+P_x—P_y退杂化轨道存在,但是各分波轨道对它的贡献与(GaAs)_1/(AIAs)_1(001)超晶格中(001)表面的相应情况是不同的。     

非化学计量和掺杂对(Na_(1/2)Bi_(1/2))_(0.92)Ba_(0.08)TiO_3陶瓷电性能的影响

研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3的压电性能及去极化温度的影响 .研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能 ;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O3系压电陶瓷的相关规律 ;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO6 八面体的耦合作用 ,影响到畴的稳定性 ,从而影响到 (Na1 2 Bi1 2 ) 0 .92 Ba0 .0 8TiO3陶瓷的去极化温度 ;所研究的陶瓷样品的去极化温度越低 ,压电系数越高 .     

聚对苯乙炔的能带结构和关联能计算

在考虑电子-电子相互作用情况下,对基态非简并聚合物聚对苯乙炔(PPV)的长程关联能进行了理论计算,并用长程关联能对带隙进行修正,最后讨论了长程关联能对带隙的影响.在对PPV链的计算中发现,长程关联能先会随着链长N的增加而减小,但当链长大于10个PPV单元后,长程关联能会达到饱和.与由Hartree-Fock(HF)方法所得的能隙宽度比.长程关联能的修正会使得能隙降低,这种修正后的能隙宽度与实验结果一致.