95％/Al_2O_3瓷与金属的扩散封接

引言氧化铝陶瓷具有强度高、高频损耗小和热稳定性好等特点,因此在电子工业、航空工业和原子能工业上,广泛地采用各种金属和氧化铝瓷的封接件。随着上述工业的发展对各种封接件的质量要求也越来越高。以往国内外常用的封接方法有烧结金属粉末法、活性合金法等。但是这些方法存在着高频损耗大、抗辐照能力和介电性能低等缺点,已经不能完全满足上述工业发展的需要,希望有更可靠的封接方法提高封接件的工作性能和使用寿命,真空扩散封接工艺是可以克服上述缺点的方法之一。扩散封接可以获得真空气密性好、热稳定性好和绝缘性好的封接组件。常规的陶瓷-金属封接主要是依靠高温产     

95％Al_2O_3瓷高真空透气性的测量

一、前言随着科学技术的发展,对无线电技术提出了愈来愈高的要求。尤其近些年来,随着宇宙航行的开辟和新式武器的出现,对电子器件的要求就更加苛刻和迫切了。金属与陶瓷封接结构的出现,为电真空工业的发展开辟了新的领域,为超高频大功率,高的工作温度和耐震管的制造提供了有利的条件。它所具有的优良性能,是金属与玻璃封接结构无法比拟的。     

95％Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化机理研究

本文以实验证实了95％Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化的玻璃迁移机理。所用的9~#金属化配方为添加玻璃的配方,陶瓷金属化烧结时,主要靠金属化层中的一部分玻璃向陶瓷中迁移,冷却时,靠此玻璃把陶瓷和金属化层粘结在一起而完成真空致密封接的。     

提高95Al_2O_3瓷抗酸性的途径

含Mg~(2+)组分的MgO-CaO-Al_2O_3-SiO_2系95Al_2O_3瓷抗酸性随Mg~(2+)组分含量增加而提高。通过相图计算其矿物组成和SEM观察瓷体的组织结构,探讨了Mg~(2+)对95Al_2O_3瓷抗酸性的影响机理。添加少量矿化剂La_2O_3,在合理的工艺条件下,含Mg~(2+)组分的95Al_2O_3瓷具有优良机电性能,抗酸性提高两个数量级以上。     

钛零件与95％Al_2O_3瓷封接区域的物相研究

本文应用金相、电子探针和X射线分析等方法,对Ti零件与95%Al_2O_3瓷活性封接的封接区域进行了分析。确定了封接区域的全部物相,部份区域的钛、银、铜的合金比例,以及部份封接区域的宽度和显微硬度值。得到从扩散层到过渡层之间钛、银、铜元素的平均含量为Ti-15%,Ag-56.2%,Cu-28.8%,其宽度为63微米。同时对封接的机理进行了初步的探讨。     

纯Mo法Al_2O_3瓷和金属的封接

所谓Mo-Mn法和纯Mo法是通过金属化、镀Ni和其后硬焊而形成的陶瓷和金属气密封接的方法.关于Mo-Mn法Al~2O~3瓷和金属的封接,作者在以前的文章中业已报导。本文所研究的是用含MnO的92%Al~2O~3的圆片,以纯Mo法对可伐另件进行了封接。并研究了封接层的抗张强度和封接件的真空气密性. 用光学显微镜和电子扫描显微镜以及电子探针对封接层进行了检验. 为了解纯Mo法的封接机理,石英玻璃和Mo箔的封接也附带地进行了观察。本文所得的结果如下: (1)当1400-1400℃/60分进行陶瓷金属化时,获得了最高的封接强度和最好的真空气密性。 (2)封接处是按下列顺序的多层所组成:陶瓷-金属化层-镀Ni层-硬焊料层-镀Ni层-可伐。在Mo-Mn法的封接中,看到了陶瓷和金属化层之间的中间层。而在纯Mo法中,则认为是不存在的. (3)在石英玻璃-Mo箔封接中,Mo金属表面层被氧化,如此形成的Mo氧化物扩散到石英玻璃中而形成了过渡层,从而十分有利地降低封接应力和改善粘结 (4)SiO~2-MnO-Al~2O~3系统玻璃相和Ni填充了Mo金属化层的孔隙;前者来自于陶瓷体,而后者来自于镀Ni层。这些物质的浸润和相互扩散得到了强固的和真空气密的封接层。     

低温烧成Al_2O_3陶瓷

本文详细介绍了两种低温烧成９６％Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷的配方及制作工艺，讨论了其低温烧成原理和需采用的相应工艺技术。     

利用Ti-Ag-Cu活性金属化法直接针封95Al_2O_3瓷

在通常所采用的陶瓷 金属封接结构中 ,平封和套封结构成品率相当高 ,直接针封成品率偏低 ,而直接针封通常采用Ｍｏ Ｍｎ金属化法进行封接 ,在保证瓷孔内涂膏均匀且尽量减小封接应力的情况下能够得到较高的成品率。而在陶瓷 -金属封接中采用的活性金属化法与Ｍｏ Ｍｎ金属化法相比较具有工序少、工艺简单的优点 ,在平封结构中广泛使用。利用活性金属法直接针封 95Ａｌ2 Ｏ3瓷尚未采用 ,曾有人做过此方面的试验 ,均因成品率太低而放弃。通常不用此方法是因为活性金属粉末涂于瓷孔内 ,金属粉与陶瓷粘接不牢固 ,装架时易碰掉金属粉 ,造成瓷孔内…     

低温三氧化钼金属化工艺的研究

(一)引言高温钼锰法是国内普遍采用而且比较成熟的一种陶瓷金属化方法.在此工艺中为保证陶瓷与金属的封接质量,必须采用1450℃～1500℃的高温烧结工艺,由于金属化烧结温度较高,破坏陶瓷的内相均匀性,同时也改变了所设计的陶瓷体的物理性能及介电性能,从而出现瓷体弯曲和尺寸变化等现象.这对于电子器件的高可靠性的提高、保证在复杂的电子陶瓷金属封接装置中的精确公差要求都非常不利.     

Al_2O_3钝化工艺简况

目前,半导体器件及电路已经广泛地应用在通信、雷达、遥控遥测、电子计算机、航天技术、工业自动化控制及各种仪器表中。这些领域对半导体器件及电路的可靠性提出了愈来愈高的要求。     

95%Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化机理研究

95%Al_2O_3瓷的活化 Mo-Mn 法金属化工艺,在我国已广泛地应用。但由于对陶瓷金属化的机理研究不多,认识比较肤浅,生产中仍存在质量不稳定,出现问题不能及时解决的现象。本课题使用扫描电镜、电子探针等现代分析仪器,对95?_2O_3瓷活化 Mo-Mn 法金属化的机理进行了比较深入、系统的研究,揭示了陶瓷金属化机理。此机理有助于从事陶瓷金属封接的同行们,准确及时地分析废品原因,制定合理的工艺规范,提高质量、降低成本。     

95%Al_2O_3瓷中玻璃相的成分分析

本文主要介绍95％ Al_2O_3瓷中玻璃相的化学成分测定方法,其要点是首先以5％HNO溶解瓷中的玻璃相,然后测定玻璃相中的Al_2O_3,SiO_2及CaO,从而确定瓷中玻璃相的成分。     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3低温共烧陶瓷介质材料研究

采用1 500℃高温熔融水淬制得K2O-(n-x)B2O3-xSiO2玻璃粉,掺入Al2O3陶瓷填充料来制备K2O-(n-x)B2O3-xSiO2/Al2O3低温共烧陶瓷介质材料。系统研究了玻璃基中SiO2/B2O3比例变化和玻璃掺入量对玻璃/陶瓷材料结构和性能的影响规律。研究结果表明,B2O3含量增加抑制了玻璃Y中SiO2析晶,使复合材料的介电常数、介电损耗在一定程度上有所减小,复合材料的抗弯强度也有一定程度的减小。     

95%Al_2O_3瓷中玻璃相的组成和性能

<正> 一、引言陶瓷中玻璃相的组成和数量是至关重要的。对瓷而言,它可以连接Al_2O_3晶体和填充气孔而使瓷成为一个致密的整体,同时也可以使瓷的烧成温度降低和晶粒细化,是陶瓷显微结构的重要组成部分。对金属化而言,适当的玻璃相有助于得到气密和高强度的封接。组成和数量不同,其封接结果亦不     

95%Al_2O_3瓷中温金属化配方的经验设计

根据长期的实践经验,确定了中温金属化配方中活化剂的组成三要素即SiO_2、MnO及Al_2O_3及氧化物的计算因子,进而用加和法较容易地计算出适合于1300～1400℃范围的陶瓷-金属化配方。     

低温共烧Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3复合材料烧结工艺的研究

采用烧结法制备了低温共烧Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃/Al_2O_3复合材料。研究了玻璃粉末的粒度、玻璃与Al_2O_3质量比,成型压力和热处理制度对复合材料烧结性能和电学性能的影响。结果表明,玻璃粉末中位径为1.233μm、玻璃/Al_2O_3质量比为3:7、成型压力为15 MPa、烧结温度为900℃以及保温时间为2 h时,复合材料具有较高的体积电阻率(3.8×1012?·cm)、较低的介电常数(6.86)和介电损耗(0.001 43),可以满足基板材料对电学性能的要求。     

MgO-Y_2O_3对热压烧结Al_2O_3性能的影响

以高纯的硫酸铝氨分解的无定形Al2O3为原料,MgO-Y2O3为烧结助剂,在N2气氛下热压烧结制备Al2O3陶瓷。研究了烧结助剂掺量对Al2O3材料的相组成、显微结构、烧结性能、力学性能、热导率和介电性能的影响。结果表明:所制Al2O3陶瓷具有细晶的显微结构特征和超高的抗弯强度。随着MgO-Y2O3掺量的增加,晶粒尺寸、抗弯强度和热导率先增大后减小,而介电损耗则呈现先减小后增大的变化规律。当MgO和Y2O3掺量均为质量分数2%时,Al2O3陶瓷呈现为较佳的综合性能:抗弯强度达最大值为603 MPa,热导率为36.47 W.m–1.K–1,介电损耗低至6.32×10–4。     

LSI中的金属化工艺

钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。     

Al_2O_3透明陶瓷及其快速烧结

本文叙述了一种高透明度(94.1～96.0％)、低温烧结(1700℃)和快速烧结(四小时周期)的AI_2O_3透明瓷的配方和工艺。确定了固相扩散的烧结模式。对烧结初期进行了理论计算。应用SEM、XPS和IMMA等对陶瓷断面进行了分析,确认陶瓷致密化的基本原因是固溶体机理。     

日本α－Al_2O_3粉体进展

综述了日本近１０多年来α－Ａｌ２Ｏ３粉体的发展状况。特别介绍了日本对α－Ａｌ２Ｏ３粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量是非常重要的。