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1.
Dy3+/Tm3+共掺杂钒磷酸钇的共沉淀法合成及光谱性质 总被引:7,自引:0,他引:7
以Y2O3、Dy2O3、Tm2O3、V2O5、(NH4)2GPO4为原料,采用共沉淀化学法合成了体色纯白的Dy^3 、Tm^3 共掺杂YP1-xVxO4荧光粉。对合成荧光粉的V^5 /p^5 、Dy^3 /Tm^3 摩尔比等条件进行了研究。利用SEM、变温紫外激光激发下的发射光谱及紫外激发下的发射光谱,对所合成的粉体的表面形貌及发光性能进行了表征。YP1-xVxO4:Dy^3 ,Tm^3 荧光粉在325nm紫外激光激发下,低温时存在基质VO4^3-的蓝色宽带发射,随着温度升高,VO4^3 吸收的激发能量更有效地传递给Dy^3 、Tm^3 ,使其发光逐渐增强;在254nm的紫外光激发下,YP1-xVxO4:Dy^3 ,Tm^3 荧光粉发白光,是一种潜在的二基色高压汞灯用荧光粉。 相似文献
2.
YP1—xVxO4:Eu^3+在真空紫外区发光的优化 总被引:8,自引:0,他引:8
系统地考查了Eu^3 在YPO4-YVO4固溶体中的发光。当V^5 的浓度低于0.3,出现VO4^3-离子团的蓝色发射。直到V^5 的浓度等于或大于0.3时,VO4^3-离子团的蓝色发射才被Eu^3 离子的红色发射所猝灭,发射主波长在619nm,在真空紫外线的激发下,Eu3 在YPO4-YVO4固溶体强发光,并随着P5+浓度的增加,Eu^3 离子的发光增强。经过优化的组成为YP0.7V0.3O4:Eu^3+的荧光粉在真空紫外激发下既具有较强的发光,又具有优良的色纯度,将是一种新型的良好的等离子体平板显示用荧光粉。 相似文献
3.
共沉淀法制备Y(P,V)O4:Tm3+荧光粉及其光致发光 总被引:3,自引:2,他引:1
采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4:Tm^3 荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究。结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4:Tm^3 荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为:0.167≤x≤0.200;0.146≤y≤0.183。从这些结果来看,Y(P,V)O4:Tm^3 体系还不能满足实际应用的要求,仍需进一步的深入研究以改善其性能。 相似文献
4.
用高温固相法合成了红色荧光粉Ca4(La1-x-yGdxYy)1-nO(BO3)3:nEu^3+(LnCOB:Eu,Ln=La1-x-y-GdxYy),并对其在真空紫外至可见范围的发光性质进行了系统的研究,找出发光较好的组分范围并与某些商品红色荧光粉进行了比较。LnCOB:Eu在254nm紫外线激发下的发射光谱为Eu^3+的^5D0→^7FJ(J=0,1,2,3,4)的特征跃迁。监测其最强的^5D0→^7F2发射线,其激发光谱在250nm左右有一个宽的激发带,归属于Eu-O电荷迁移带,适于用254nm汞线激发;在300—450nm有一些弱的归属于Eu^3+的f-f跃迁的锐吸收峰;在真空紫外区184—188nm附近有一个宽带,为基质吸收带,并可能包含了Eu^3+的f-d跃迁。在Ca4GdO0(BO3)3:Eu^3+的激发光谱中,还包含了Gd^3+的^8S7/2→^6GJ跃迁,此跃迁增强了荧光粉在184~188nm附近的激发强度。 相似文献
5.
采用氨水、双氧水和磷酸氢二铵溶液作沉淀剂,通过共沉淀法制备出Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉,利用XRD、SEM、紫外以及真空紫外激发下的发射光谱对其进行研究。结果表明:共沉淀法制备的Y(P,V)O4∶Tm3+荧光粉的颗粒形貌好,在147nm真空紫外光和254nm紫外光激发下,荧光粉发射主峰位于476nm,色坐标范围为: 0. 167≤x≤0. 200; 0. 146≤y≤0. 183。从这些结果来看,Y(P,V)O4∶Tm3+体系还不能满足实际应用的要求,仍需进一步的深入研究以改善其性能。 相似文献
6.
固相法制备了碱土金属铝酸盐荧光粉CaAl12O19∶Eu,Mn,测试了样品的XRD及激发与发射光谱,对样品的结构及其发光性能进行了分析,并且考察了灼烧温度及Eu^3+的浓度对样品发光性能的影响,对Eu^3+的作用机理进行了探讨。该荧光粉能被波长短于550nm的蓝绿光以及紫外和近紫外光激发,其发射光谱峰值在590,615,645,657nm,其中前两个为Eu^3+的特征发射,后两个为Mn4+的2E-4A2跃迁发射。该荧光粉的最佳烧结温度与时间分别为1550℃和4h,Eu^3+的最佳掺杂摩尔分数为0.11%左右。 相似文献
7.
用高温固相法合成了Sr3B2O6:Tb^3+,Li^+绿色荧光粉,并研究粉体的发光性质。发射光谱由位于黄绿区的4个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于495,548,598,625nm,对应了Tb^3+的^5D4→^7F6,^5D4→^7F5,^5D4→^7和^5D4→^7F3特征跃迁发射,548nm的发射最强。激发光谱表现从200—400nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350-410nm辐射有效激发。研究了Tb^3+掺杂和电荷补偿剂对样品发光亮度的影响。Sr3B2O6:Tb^3+,Li^+是一种适用于白光LED的绿色荧光粉。 相似文献
8.
为进一步提高Y2O2S:Eu^3+的发光性能,采用改善主要原材料Y2O3结晶性的方法,使Y2O2S:Eu^3+红色荧光粉在20kV和25kV下发光强度分别增强5%和10%,且不影响色度、粒度、粉体分散性等主要考核指标。提高了粉体的耐电压特性(发射强度与激发电压间的关系特性)。讨论和分析了发射强度增强、电压特性改善的原因:主要原材料Y2O3的结晶性的改善,使得合成的Y2O2S:Eu^3+具有更好的晶体质量,Eu^3+离子品场环境得到进一步改善,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失,发光效率得到增强,电压特性得刮改善。文验表明,获取高质量多晶Y2O3的最佳分解温度为1400℃左右。 相似文献
9.
(Y,Gd)BO3:Tb3+的真空紫外及紫外激发光谱特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用传统的高温固相反应法合成出(Y,Gd)BO3:Tb荧光体,对所制得的荧光体进行了晶体结构分析,分析结果表明结晶良好。(Y,Gd)BO3:Tb在147nm真空紫外光激发下的发射主峰在544nm(Tb^3+的^5D4→^7F5跃迁),是一种绿色发光材料。样品的真空紫外激发光谱及紫外激发光谱表明,(Y,Gd)BO3:Tb的基质吸收带位于150nm附近。Gd^3+离子对真空紫外区的光吸收有增强作用,存在着Gd^3+→Tb^3+的能量传递。测量了荧光粉在室温下的荧光衰减特性,其余辉时间约为8ms,能够满足显示显像技术的要求。因此,(Y,Gd)-BO3:Tb是一种有前景的PDP用绿色发光材料。 相似文献
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纳米晶Gd2O3:Eu^3+的制备及发光性能 总被引:2,自引:3,他引:2
采用低温燃烧合成法制备了Gd2O3:Eu^3+纳米晶。用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光光谱仪分别对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明,改变甘氨酸与稀土离子的比例(G/M)、退火温度可以制备出不同结构和晶粒尺寸的Gd2O3:Eu^3+纳米晶。在退火温度为800℃,G/M等于0.83和1.0时,均得到了纯立方相的Gd2O3:Eu^3+纳米晶,随着G/M的增加,Gd2O3:Eu^3+从立方相逐渐向单斜相转变。粉末的晶粒尺寸随着退火温度的增高而增大,晶粒尺寸在10-30nm之间。立方相的Gd2O3:Eu^3+纳米晶主发射峰位置在612nm(^5D^0→^7F2跃迁),激发光谱中电荷迁移态发生了红移。 相似文献
11.
目前,商用PDP三基色荧光粉主要为红色(Y,Gd)BO3:Eu3+,绿色Zn2SiO4:Mn2+、BaAl12O19:Mn2+或(Gd, Y)BO3:Tb3+,蓝色BaMgAl10O17:Eu2+。然而,以上3种荧光粉均存在发光效率低的问题;另外,(Y, Gd)BO3:Eu3+的色纯度较差,Zn2SiO4:Mn2+和BaAl12O19:Mn2+的衰减时间较长,(Gd,Y)BO3:Tb3+亮度不足,BaMgAl10O17:Eu2+的稳定性较差,这些因素在一定程度上制约了其发光和显示性能。本文总结了目前红、绿、蓝三种发光材料的真空紫外发光机理以及发光性能改进的研究进展,同时,对目前开发新型PDP用发光材料的研究也进行了介绍。 相似文献
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采用高温固相法制备了LiGd1-xEux(MoO4)2钼酸盐红色发光粉,利用XRD和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外光(395nm)有效激发,产生Eu3+的5D0→7F2特征跃迁红光发射(616nm)。x=0.4时,即LiGd0.6Eu0.4(MoO4)2样品的发光强度超过商用红粉Y2O2S:Eu3+发光强度的5倍,虽然比未加入Gd样品LiEu(MoO4)2的发光强度略低,但LiGd0.6Eu0.4-(MoO4)2样品的组分中却减少了60%的Eu用量,明显降低了原料成本,更具实用价值,有希望成为白光发光二极管的红色发光材料。 相似文献
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Ln(BO_3,PO_4)[Ln=La,Y]基质中Ce~(3+)、Tb~(3+)、Gd~(3+)的光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了硼磷酸镧和硼磷酸钇基质中Ce3 +、Tb3+、Gd3+的发射光谱和激发光谱。结果表明 :La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+的发射降低 ,Tb3+的发射增强 ;Y(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb体系中加入钆后 ,Ce3+和Tb3 +的发射均增强 ,且前者增加的幅度高于后者。因此在La(BO3,PO4 ) :Ce ,Tb ,Gd体系中Gd3+离子起着能量传递中间体和敏化剂的作用 ;在Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd体系中Gd3 +离子只起敏化剂作用 ,并且阻碍Ce3+→Tb3+的能量传递。与Y(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd相比 ,La(BO3,PO4 ) :Ce,Tb ,Gd对紫外吸收强 ,2 5 4nm激发下发出的光绿色纯度高 ,强度大 ,更适合做荧光灯中的绿粉 相似文献
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采用高温固相方法合成了(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+,经X射线结构分析确定为四方晶系,体心结构,空间群为I41/amd[141]。研究了(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+在VUV及UV激发下的光谱特性,讨论了激活剂Eu3+的浓度对发光亮度的影响。(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发射主峰在619nm,证明Eu3+离子占据了非反演对称中心的位置。在(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+(监控619nm)的激发谱,有一个中心位于156nm的吸收带,它属于基质的吸收带。将(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+的发光性能与PDP商用红粉(Y,Gd)BO3:Eu3+进行了比较。(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+的发射主峰在619nm,比发射主峰为593nm的(Y,Gd)BO3:Eu3+色纯度好,是一种很有应用前景的发光材料。 相似文献
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Ba_2B_2P_2O_(10):Eu~(3+)材料的光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高温固相法合成了Ba2B2P2O10:Eu3+材料,并研究了材料的光谱特性。在400nm近紫外光激发下,材料的发射光谱由4组线状峰组成,峰值分别为600,618,627和660nm,分别对应Eu3+的5D0→7F1,7F2,7F3和7F4跃迁。研究了Eu3+掺杂浓度及电荷补偿剂对材料发射强度的影响,结果显示,随Eu3+掺杂浓度的增大,材料的发射强度增大,并未出现浓度猝灭效应,同时,添加电荷补偿剂可增强材料的发射强度。 相似文献
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采用CaCO3,MgO,SiO2,Eu2O3原料,通过高温固相法制备了Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉.通过XRD图谱和PL光谱图,研究了Eu的掺杂浓度与助溶剂(NH4Cl,BaF2)对Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉结构、发光性能和热稳定的影响.XRD图谱对比结果表明,制备的Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉XRD图与理论计算得到的图谱几乎一致.Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉在360~450 nm有很强的激发强度,并且在440 nm激发下发射峰值波长为530 nm的发射光.随着Eu2+离子浓度的增加,发射光谱出现了红移,且在Eu2+离子浓度约为6%时发生了浓度猝灭现象.当添加NH4Cl和BaF2作为助溶剂,Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉的发光强度有一定提高.与未添加助溶剂的Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉的发光强度相比,添加NH4Cl助溶剂后发光强度增加了70%.此外,当温度升高至150 ℃时,Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉和商用绿色荧光粉的发光强度分别降低了7.6%和14%,表明Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉具有良好的热稳定性.这些发光性能均表明Ca3Mg3Si4O14:Eu2+荧光粉是是一种可应用于固态照明的有前景的绿色荧光粉. 相似文献
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微波法合成红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti及其发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用微波辐射法首次合成了Gd2O2S:Eu,Mg,Ti红色磷光化合物,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征.结果表明:材料的晶体结构为六方晶系,与Gd2O2S的相同.颗粒的形貌为类球形,分散性较好,尺寸在1~2 μm之间.Gd2O2S:Eu,Mg,Ti的激发光谱呈带状,激发光谱主峰位于360 nm,另外在400,422,472 nm等处也有激发峰存在;发射光谱为线状光谱,归属于Eu3 的5DJ(J=0,1,2)到7FJ(J=O,1,2,3,4)的跃迁.随着Eu浓度的增加,位于蓝绿区的586,557,541,513,498,471,468 nm处的发射峰逐渐减弱,而主峰位于627 nm处的红光发射明显增强.当Eu浓度为6 mol%时,红光发射最强.Mg,Ti共掺杂可显著改善其余辉性质. 相似文献
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采用高温固相法制备了一种适于近紫外光激发,发射绿光的Ba2B2P2O10∶Eu2+材料,并研究了材料的发光性质.Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射光谱为一峰值位于522 nm的非对称单峰宽谱|监测522 nm发射峰,所得激发光谱覆盖300~450 nm,主峰位于381 nm,为Eu2+的5d→4f跃迁特征激发谱带.利用van Uitert公式计算了Eu2+取代Ba2B2P2O10中Ba2+时所占晶体学格位,得出507 nm和542 nm发射峰分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射.研究发现,Eu2+浓度对Ba2B2P2O10∶Eu2+材料的发射强度有影响,并判断出Eu2+在Ba2B2P2O10中发射的自身浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用. 相似文献