基于巨磁电阻的地磁传感器设计

介绍一种新型地磁传感器,该传感器由单轴巨磁电阻传感器捷联构成。通过外加磁通聚集器和磁偏置技术改进GMR传感器的输出特性,使地磁场的大小位于传感器输出曲线的线性范围内。用ANSYS对永磁体的偏置磁场进行数值模拟,ANSYS能根据偏置磁场快速地确定出永磁体的相关参数。该传感器具有结构简单、灵敏度高等优点,可以较好应用于地磁场测量。     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器

本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器.该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热.文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件及软件设计.     

巨磁电阻传感器在磁场线性测量领域中的应用

对巨磁电阻传感器进行了研究,介绍了巨磁电阻传感器的结构和屏蔽作用,选取电流检测作为巨磁电阻传感器在线性磁场测量的代表,通过对巨磁电阻传感器测试和电流检测的测试,分析了巨磁电阻传感器在磁场线性测量方面的性能优越性,给出了巨磁电阻传感器在磁场线性测量方面的一些注意事项。     

磁电子学与巨磁电阻效应的发展和应用

本文在论述磁电子学兴起的基础上,对磁电阻效应的发展历史进行了简要描述。同时,对磁电子学的理论基础进行了重点阐述,并概括了巨磁电阻效应的应用现状。     

巨磁电阻传感器的特性测试与应用前景分析

介绍了巨磁电阻效应的发现、发展和应用情况，在自制实验平台上，分别测试了深圳华夏公司和美国NVE公司传感器的静、动态特性。结果表明，NVE传感器在线性区间、静态灵敏度、线性度、磁滞等方面优于华夏产品。在测试结果的基础上，对NVE公司巨磁电阻传感器的应用前景进行了探讨，给出了该传感器应用于电力系统母线大电流测试时的具体方案，并对方案实现过程中可能遇到的问题进行分析。     

基于巨磁阻抗效应的微磁传感器设计与实现

介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%.在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计.通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传感器输出性能并给出了典型结果.在常温下,非晶带激励电流频率为10 MHz时得到了非晶带...     

基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器

本文叙述了利用铁基非晶丝的磁敏特性和石英晶体振荡器,设计制作了一种新型巨磁阻抗磁敏传感器,并对其性能进行了测试,实验结果表明,该传感器具有良好的性能,可以作为弱磁场探测,在地磁测量、弱电流检测等方面有良好的应用前景.     

基于巨磁电阻传感器的油管转动圈数检测系统

为了更好的实现对油管转动圈数的隔离检测,采用巨磁电阻传感器,MSP430系列单片机以及低功耗信号处理器件组件检测系统,同时在结构上采用4个巨磁电阻传感器芯片均匀分布与内管的方式提高系统的可靠性,实际使用情况表明该系统具有体积小,构建简单和可靠性高等优点。     

A micron-sized GMR sensor with a CoCrPt hard bias

A GMR (giant magneto-resistive) spin valve sensor for magnetic recording has been designed in an attempt to solve the Barkhausen noise problem in small-sized GMR sensors. In this study, the GMR ratio of the top-pinned spin valve is optimized to a value of 13.2%. The free layer is magnetized perpendicular to the pinned layer by a CoCrPt permanent magnetic bias so that a linear magnetic field response can be obtained. An obvious improvement on performance is observed when the permanent magnetic bias is magnetized, while the GMR sensor has a steadier MR-H loop and a smaller coercive field.     

基于GMR效应的新型生物传感器研究

制备出了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta,磁阻变化达9.2%的GMR自旋阀传感器,并用该种传感器对浓度为200μg/mL、直径2μm的生物免疫磁球溶液进行了检测。实验结果表明,该生物传感器可以对被测生物免疫磁球溶液产生平均350μV的电压输出信号,随着磁球溶液的继续增加,电压输出信号可以达到最大值450μV。除去背景干扰信号的影响,由磁球产生的有效电压输出信号为300μV。此外,交流励磁场的频率的增加也会使输出电压信号减小。     

基于GMR效应的新型生物传感器研究

制备出了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta，磁阻变化达9.2%的GMR自旋阀传感器，并用该种传感器对浓度为200μg/mL、直径2μm的生物免疫磁球溶液进行了检测。实验结果表明，该生物传感器可以对被测生物免疫磁球溶液产生平均350μV的电压输出信号，随着磁球溶液的继续增加，电压输出信号可以达到最大值450μV。除去背景干扰信号的影响，由磁球产生的有效电压输出信号为300μV。此外，交流励磁场的频率的增加也会使输出电压信号减小。     

基于GMR生物传感器的甲胎蛋白检测

采用磁控溅射、光刻、离子束刻蚀和剥离工艺等工艺和方法,制备了多层膜结构的巨磁阻(GMR)生物传感器件,并利用此种传感器来检测甲胎蛋白。在传感器表面通过生物处理固定甲胎蛋白单克隆抗体(McAb1)作为探针,以捕获目标抗原———甲胎蛋白。用直径1μm的超顺磁磁珠标记目标抗原。当传感器表面抗体将目标抗原捕获后,磁珠标记即被固定在GMR传感器的表面。垂直于传感器表面施加230 Oe(1 Am-1=4π×10-3 Oe)的磁场,即可检测到由磁珠产生的信号。本实验对质量浓度为1 ng/mL的甲胎蛋白进行了检测,得到了信号为0.29～0.34Ω的电阻变化值。此种检测方法可用于诊断原发性肝癌。     

一种自旋阀GMR隔离放大器设计

为了解决传统光电隔离、电容隔离和变压器隔离存在的线性度及频率特性等问题,设计了一种自旋阀巨磁阻（GMR）隔离放大器,具有灵敏度高、线性度好及结构简单等特点,且可以与硅等半导体电路集成。基于CSMC 0.5μm混合信号工艺,采用Tanner软件对电路进行编辑、仿真与验证。隔离器前端电路可将0～5 V的输入电压转换为1.4～10 mA电流,后端接收电路在增益为1时的共模抑制比为73 dB,增益可调节范围为1～200,工作带宽大于100 kHz,能满足恶劣环境条件下应用的各项指标要求。     

基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

介绍了巨磁电阻（GMR）及隧道磁电阻（TMR）效应,讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。     

Au/Fe磁性多层膜在离子束混合过程中的巨磁电阻效应在线研究

在离子束混合条件下,在线研究了Au/Fe磁性多层膜转变为纳米颗粒膜过程中的巨磁电阻效应,发现了不同磁场强度下的离子束混合对巨磁电阻效应影响的初步规律,测量了不同注入剂量和磁场强度下的巨磁电阻,并对结果进行了讨论。     

基于C8051F021和GMR的焊枪自动定位系统设计

为了解决黑色金属焊接过程中焊枪悬浮高度定位GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻)传感器信号的处理问题,提出了以SoC(System on Chip,片上系统)C8051F021构建的数据采集与处理电路,并采用时间触发器分时处理方法,设计焊枪定位检测系统.试验表明:该系统实时性能好,抗干扰能力强,焊枪定位误差达到±0.1 mm,能满足生产实际要求,具有良好的实用价值.     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致。所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。     

低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜，并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片。利用弱磁场下的退火工艺，改变薄膜易磁化轴的方向，当退火温度为150℃、外加磁场为120Oe时，GMR芯片的矫顽力可以降至0.2Oe以下。同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型，用以解释这一退火效应。利用Mat-lab计算GMR芯片的Meff-H曲线，所得到的计算结果与实验结果一致。所以，自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系。