电流模式开关电源中电流检测电路的分析与设计

电流检测电路是功率集成电路中重要的功能模块.通常采用的方法是在所要检测电流的支路加入一个小电阻,通过采样电阻上的压降来反映支路上的电流,或是利用MOS管的漏源电压的变化来采样流过该管的电流.前者将会增加一个额外的功率损耗,而后者由于温度等的变化会导致电流检测精度的降低.本文设计了一种新型无额外功率损耗的高精度电流检测电路,克服了传统电流检测技术中增加额外功率损耗和精度较低的缺点.     

灵巧功率集成电路中功率MOSFET电流感知方法的研究

功率器件的过流保护是提高灵巧功率集成电路可靠性的关键,采用不同的电流检测方法会有不同的误差。通过对功率MOSFET的电流检测技术的研究,对比分析了几种常用的电流感知方法,重点阐述了应用在灵巧功率集成电路中感知高压功率器件电流的SenseFET结构的工作原理,并分析了影响电流检测准确度的误差源。可以为设计高性能的电流检测过程提供参考。     

n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

USB高端功率开关AIC1520

AIC1520是一种高端功率开关集成电路，它是专门为USB电源设计的。其主要特点为．内部功率MOSFET的导通电阻5V输入时仅120mΩ；连续负载电流可达500mA；静态电流80μA；内部有电流限制(1A)及短路保护；内部有过热保护；有欠压锁存保护(VIN上升时为2．8V，VIN下降时为2．6V)；具有接通慢、断开快功能(导通上升时间500μS，关断下降时间0．2μs)。     

一种片上集成低压高精度电流检测电路

提出了一种应用于电流模PWM DC-DC转换器的片上集成电流检测电路.它利用检测电阻和检测晶体管的结合,实现电感电流的检测;同时,在I-V转换电路中,运用结构简单的电流镜连接的共栅放大器实现反馈控制.在10～600 mA电感电流范围内,都可以得到高精度的检测电流,最小检测误差为0.04%.该电路在VTHN=0.735 V、|VTHP|=0.941 V的0.5 μm 1P2M CMOS工艺条件下,电路最低工作电压为1.5 V.     

用全自对准方法制作超低导通电阻的功率MOS FET

本文论证了用全自对准加工方法制作超低导通电阻的功率MOSFET。新方法的特点是大部分工艺步骤,例如:沟道形式,栅的确定,和开接触孔等,通过一次光刻步骤来进行。这就容许封装密度显著增加,从而使得沟道电阻减小。 用4微米间距版图方案的新加工方法已经实现了单位面积为50cm/mm~2的棚宽,此值比常规VDMOSFET至少大四倍。实验制作器件的总栅宽在3.8mm×4.0mm芯片内为480cm,导通电阻为9mΩ,击穿电压为30V,导通电阻与面积的乘积为137mΩ·mm~2,是截至目前为止报导的最小值。     

SiZ710DT:功率MOSFET

Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的     

SiZ710DT：功率MOSFET

Vishay推出采用PowerPAIR6mm×3．7mm封装和TrenchFETGenIII技术的非对称双通道TrenchFET功率MoSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43％,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

低温下功率MOSFET的特性分析

文章完成了对功率MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）闽值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试，并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析．从实验结果中．我们发现阀值电压随温度的降低略有升高；而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数，所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。     

Dynamic Current Sharing in Paralleling Power MOSFET

By combining the theory with the practice,the dynamic current shar-ing in paralleling power MOSFET is analysed.The principles of choosing parameters in-fluencing dynamic current sharing are described,and some experiment results are given on the basis of these steps.     

Dynamic Current Sharing in Paraleling Power MOSFET

ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...     

功率场效应晶体管VDMOS导通电阻的优化

本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显的改变,为实际研制工作提供了依据。     

电流差分缓冲放大器及其应用

电流差分缓冲放大器(CDBA)作为一种新的有源器件,近年来在应用上普遍受到中外学者的关注,一般用来实现滤波电路及震荡电路方面,通过对CDBA原理的分析,研究了用电流差分缓冲放大器来实现模拟电路中常用的如受控源、负阻抗变换器、回转器等有源网络器件,因为电流差分缓冲放大器不仅具有第二代电流传输器(CCⅡ)和电流反馈放大器(CFA)的优点,而且由于CDBA是四端口有源元件,在实现上比用电流传输器更加方便,同时给出了相应实现的二端口参数方程和电路结构,这些电路结构在电子设计中应用广泛。     

注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为

分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。     

面向电源噪声的动态电流测试

电源噪声在深亚微米设计中正变得越来越突出，而因电源噪声引起的电路故障测试也变得越来越重要。本文针对这一情况提出了动态电流测试来实现由电源噪声引起的故障测试。与IddQ测试不同，动态电流测试依据电路中的器件切换时电源电流的动态变化情况来判断电路中是否存在故障。通过仿真分析，动态电流测试是可行的。     

异步电路的设计方法及其应用

由于异步电路不仅具有高性能、低功耗、模块性等优势,而且有望解决微系统芯片中存在的模块互联难题,并被越来越多地应用于芯片的设计中,因而近年来引起了人们的高度重视.文章对研究较多的Huffman电路、延时无关电路、速度无关电路以及定时电路等的设计风格及其工具进行了对比分析,并提出了异步电路的发展趋势及其应用领域.     

强微波场中功率分布的采集与处理

该文提出一种测量微波场功率分布的有效方法.为了定量测量强微波场功率分布,设计了测试容器及多路温度同步采集和处理系统;并构造了两种算法对采样数据进行修正处理,给出了微波场功率分布的实验结果.此方法可行、可靠,很有实用价值.     

电荷泵电路功耗优化设计及改进

通过简单的解析模型,提出了电荷泵电路功耗最小化的设计原则。利用这一原则,可以由输入和输出电压确定升压级数,使转换效率最大化。根据所需的输出电流,确定充电电容的值。通过对传统电荷泵电路的改进,消除了衬偏效应。在华虹NEC 0.35μm EEPROM CMOS工艺下进行仿真,仿真结果证明了提出的设计原则的正确性。