首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
总结了在神光Ⅲ原型激光装置上开展的一系列黑腔物理实验研究,从多个方面研究了黑腔内部等离子体状态和辐射场特性。用真空黑腔能量学研究获得了散射光、辐射温度和不同能段辐射流份额的定标规律,从能量学角度梳理和分析了整个激光黑腔相互作用过程。通过对黑腔中充入低密度低Z气体抑制了腔壁等离子体运动,明显减少了可能造成靶丸预热的金M带辐射流(1.6~4.4 keV)份额。针对黑腔内部不同区域等离子体,研究了光斑区等离子体的运动,分析了其与电子热传导限流因子的关系;研究了冕区等离子体的运动,分析了不同充气等离子体条件对其的影响;在同一发次实验中同时测量了光斑区与再发射区的辐射流比值。  相似文献   

2.
总结了在神光Ⅲ原型激光装置上开展的一系列黑腔物理实验研究,从多个方面研究了黑腔内部等离子体状态和辐射场特性。用真空黑腔能量学研究获得了散射光、辐射温度和不同能段辐射流份额的定标规律,从能量学角度梳理和分析了整个激光黑腔相互作用过程。通过对黑腔中充入低密度低Z气体抑制了腔壁等离子体运动,明显减少了可能造成靶丸预热的金M带辐射流(1.6~4.4keV)份额。针对黑腔内部不同区域等离子体,研究了光斑区等离子体的运动,分析了其与电子热传导限流因子的关系;研究了冕区等离子体的运动,分析了不同充气等离子体条件对其的影响;在同一发次实验中同时测量了光斑区与再发射区的辐射流比值。  相似文献   

3.
本项目主要关注金腔靶内辐射烧蚀等离子体运动对辐射场特性及其诊断产生的影响和抑制方法。黑腔诊断口附近金等离子体喷射容易造成堵口现象,对X光发射能谱特性和角分布测量产生不利影响。腔内金等离子体向心运动还会使入射激光光路偏折,从而改变着靶点位置和能量沉积区域,影响腔内辐射场分布。为便于实验诊断分析,采用半腔靶和静态充气腔靶两种分解靶型进行研究,分别对应以下研究内容:了解金腔靶诊断口附近等离子体喷射对X光诊断的影响和抑制方法;利用填充气体抑制腔壁金等离子体喷射,证实静态充气黑腔靶实验的技术可行性。  相似文献   

4.
点火黑腔内环激光通道内靠近黑腔壁的区域是内环激光受激拉曼散射(SRS)背向散射产生与发展的主要区域。根据内环通道在该区域满足通道内外压力平衡和能量平衡,提出了间接驱动惯性约束聚变点火黑腔等离子体定标关系。该定标关系在一定程度上统筹考虑靶丸性能、激光器指标和激光等离子体相互作用(LPI)。在此基础上,根据靶丸抑制流体不稳定的需求,提出了一个350 eV点火黑腔设计,该设计可以较好地抑制内环LPI的发展,并对激光器设计提出了更高的要求。  相似文献   

5.
点火黑腔内环激光通道内靠近黑腔壁的区域是内环激光受激拉曼散射(SRS)背向散射产生与发展的主要区域。根据内环通道在该区域满足通道内外压力平衡和能量平衡,提出了间接驱动惯性约束聚变点火黑腔等离子体定标关系。该定标关系在一定程度上统筹考虑靶丸性能、激光器指标和激光等离子体相互作用(LPI)。在此基础上,根据靶丸抑制流体不稳定的需求,提出了一个350eV点火黑腔设计,该设计可以较好地抑制内环LPI的发展,并对激光器设计提出了更高的要求。  相似文献   

6.
通过理论分析和LARED多群辐射输运模拟研究了激光间接驱动聚变中黑腔辐射温度的角分布特点。研究发现,黑腔辐射温度角分布主要决定于光斑区与非光斑区的对比度、视野中光斑区的面积比例,以及体发射的份额。激光二维光环排布下黑腔辐射温度角分布与二维LARED模拟结果非常一致。研究还发现,二维的LARED模拟能够有效地用于研究神光Ⅲ原型黑腔实验中三维光斑排布下的辐射温度角分布。通过缩小FXRD测量面积能够有效地提高黑腔辐射温度随角度的变化,从而降低辐射流测量误差对辐射温度角分布的影响。  相似文献   

7.
通过理论分析和LARED多群辐射输运模拟研究了激光间接驱动聚变中黑腔辐射温度的角分布特点。研究发现,黑腔辐射温度角分布主要决定于光斑区与非光斑区的对比度、视野中光斑区的面积比例,以及体发射的份额。激光二维光环排布下黑腔辐射温度角分布与二维LARED模拟结果非常一致。研究还发现,二维的LARED模拟能够有效地用于研究神光Ⅲ原型黑腔实验中三维光斑排布下的辐射温度角分布。通过缩小FXRD测量面积能够有效地提高黑腔辐射温度随角度的变化,从而降低辐射流测量误差对辐射温度角分布的影响。  相似文献   

8.
间接驱动惯性约束聚变和高能量密度物理实验中使用黑腔作为强X射线辐射源,黑腔源靶的等效辐射温度受安装在辐射出口的实验用靶的影响而与单独进行辐射源特性研究时有所不同。通过对几种不同辐射输运靶对半黑腔辐射源的影响进行的实验研究发现,添加不同填充材料的输运管能够使测量到的黑腔辐射源的辐射温度升高3~8 eV。实验结果的统计显示,输运管越长,填充材料密度越大,辐射温度越高。  相似文献   

9.
六通黑腔是我国独立自主设计的新型激光惯性约束聚变驱动腔型。在大型激光装置上采用全束组注入方式, 首次获得了新型六通黑腔10~20倍收缩比综合内爆完整配套实验数据, 实现最高YOC2D (实验产额/二维模拟产额) 达80.4%的综合内爆性能。  相似文献   

10.
11.
本文报导了黑洞靶X光产生机制实验研究。实验采用波长为1.053μm,能量为300-700J/束,脉宽为600-1000ps的高斯型激光脉冲。利用三台亚千X光能谱仪,三台软X光针孔相机、一台软X光透射光栅谱仪和十个平响应亚千X射线二极管对十余种结构、尺寸腔靶实验进行测量。实验给出了腔靶发射X光的空间分辨像、时间过程、光谱结构及空间角分布测量结果。通过分析,基本弄清了黑洞靶X光产生机制。  相似文献   

12.
在“神光”装置上对几种类型的空腔靶进行了激光打靶实验,我们利用亚千X光透射光栅谱仪(TGS)、针孔相机(PC)、以及平响应X光二极管(P-XRD)对激光等离子体X光发射特性进行了研究。基本上弄清了空腔靶源区、向爆区X光发射特性。为激光间接驱动内爆的理论数值模拟和靶的优化设计提供了实验依据。  相似文献   

13.
双束黑洞靶辐射特性实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文着重介绍在“神光”装置上两路对打黑洞靶辐射特性实验研究。利用两台配置时标装置的亚千电子伏能谱仪(Dante)进行时间关联测量,分别监测双束靶吸收转换区和内爆压缩区泄漏X光谱脉冲波形、辐射能谱、辐射温度、辐射时间谱及其辐射温度随时间变化关系。同时进行了大量不同型号黑洞靶实验,给出吸收转换区辐射温度随注入激光能量面密度变化的关系曲线及其定标关系式。实验中,首次把掠入射平面反射镜用于亚千X光能谱测量,并取得预想的结果。  相似文献   

14.
黑腔靶X光转换,输运的定量测量   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了测量黑腔靶X光引光效率、转换效率,我们设计了相应的分解靶(泄漏靶)实验,1989~1992年在″神光″装置上共进行了四次漏靶分解实验,利用灵敏度作了绝对标定的平响应X光二极管对漏靶注入孔、引光孔流出的X光角分布进行了测量,测出了x光角分布,得到了黑腔靶X光转换效率为50%~60%,引光效率约6%,为以后辐射驱动内爆研究的理论计算和靶的优化设计提供了重要的数据。  相似文献   

15.
腔靶转换区辐射温度测量及定标关系   总被引:5,自引:1,他引:4  
对近年来的激光腔靶实验的辐射温度作了综合分析和研究。对多种不同类型的柱型腔靶,在波长1.06μm的各种激光条件(不同的能量和脉宽)下,测量了腔靶转换区的辐射温度,并研究了辐射温度作为入腔激光能量、脉宽及腔靶转换区内表面积函数的定标关系。  相似文献   

16.
戴琳 《大学物理》1998,17(12):30-33
失效物理是物理学的一个分支,近年得到蓬勃发展,并被广泛为应用,它是“物理学+工程学”的基础性学科,它提供了失效分析和事故预测技术的理论基础,是一种有用的工具,本将叙述其梗概。  相似文献   

17.
浅谈大学物理实验教学改革   总被引:20,自引:3,他引:17  
首先对大学物理实验教学的重要性以及教学实践中出现的问题作了阐述,然后从三个方面提出了对大学物理实验教学的改革思路:一方面在实验内容的安排以及实验时间上作适当的词整,另一方面通过加强网络资源建设提高预习效果,最后是定期开展大学物理实验操作技能大赛。  相似文献   

18.
提出了一种双温度区(光斑区和腔壁区) 模型, 这种模型可以在满足能量平衡方程的同时提供一种估算辐照不均匀度各阶球谐展开的简单有效的方法。这种方法用于分析平面靶放置在腔壁侧面中段的腔靶辐照不均匀度的各阶球谐展开。计算表明, 在各阶不均匀度中以l=4,m=2的均匀度最大。由光斑分布带来的不均匀度是产生平板辐照不均匀度的主要原因。  相似文献   

19.
 提出了一种双温度区(光斑区和腔壁区) 模型, 这种模型可以在满足能量平衡方程的同时提供一种估算辐照不均匀度各阶球谐展开的简单有效的方法。这种方法用于分析平面靶放置在腔壁侧面中段的腔靶辐照不均匀度的各阶球谐展开。计算表明, 在各阶不均匀度中以l=4,m=2的均匀度最大。由光斑分布带来的不均匀度是产生平板辐照不均匀度的主要原因。  相似文献   

20.
 用解析方法和数值模拟方法研究了用冲击波测量黑腔辐射温度的可能性及其可能达到的精度。结果表明, 通过精确测量镶嵌于黑腔靶侧面中间的Al楔形靶中冲击波的传播速度和压力的变化来推断黑腔的辐射温度随时间的变化是一种可行的方法, 而且可以大幅度地提高辐射温度的测量精度。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号