激光微调薄膜片状半固定电阻器

为了满足电子产品对体积小、可靠 性高的半固定电阻器的需求,日 本进工业公司开发出薄膜可调片状电阻器。 半固定电阻器具有可变机构,可能会因振动与冲击而发生结构变化,而且,其接点为机械性接触,难以保持其长期稳定与可靠。另外,在实际用于电路时,自动调整电路需要使用高水平的自动设备,成本相当高昂。     

薄膜电阻器的潮湿试验方法

本文介绍了八种用来衡量电阻器耐湿能力的潮湿试验方法,从中推荐煮沸试验和双85潮湿施加低电压试验,作为最有效的方法.最后用上述两种方法对四个供应商的各四档阻值进行对比试验,得出结论这两种试验方法对评价电阻器耐湿能力具有一致性.     

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm~2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm~2。     

DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作

设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。     

压敏电阻器工业的关键技术

发展氧化锌压敏电阻器应抓好大生产技术、测试评价技术和应用技术。生产技术关键是解决瓷料配方和瓷体均匀性,即掺杂配比及添加杂质的均匀分布问题。测试评价包括陶瓷特性、电特性、稳定性和可靠性几个方面。     

薄膜与基体间的附着力测试

薄膜是一种特殊形态的材料,在微电子等领域得到了广泛的应用.薄膜与基体间的附着性能在很大程度上决定了薄膜应用的可能性和可靠性,但是,迄今为止对薄膜与基体间界面的了解还不够深入,也没有一种通用的测量技术.阐述了薄膜与基体间的附着机理和增加附着力的途径,介绍了胶粘法、划痕法等各种比较常用的附着力测试方法.     

微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。     

薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

当前的小型化趋势将电阻器技术推到了极限。例如,0201尺寸的片状电阻器仅封装就大约占到了元件总成本的60％。对某些在电路板上同一相邻位置使用相同电阻值的设计来说,片状元件阵列可以帮助缓解布局和封装问题。不过,这并不适用于所有厂商。     

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。     

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。     

基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法

薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。     

提高金属膜电阻器可靠性的途径

介绍了采用射频反应工艺制备的ＡｌＮ薄膜对金属膜电阻器性能的影响，通过功率老化、高温贮存试验和电阻温度系数的测量，结果表明在陶瓷基体上淀积ＡｌＮ薄膜可以提高金属膜电阻器的可靠性。     

用双源蒸发台制作混合电路用的Gr·SiO薄膜电阻器

本文简要介绍使用钟罩型真空镀膜机和双源蒸发工艺制作高质量Cr&;#183;SiO薄膜电阻器的探索与实践，结果表明，这是一种基于原有设备的具有工艺简单稳定、流程短而效率较高的实用新工艺，完全可以替代原有工艺而投入生产。     

氮化硅瓷与不锈钢封接界面分析Ti／Mo／Ni薄膜金属化法

本文用磁控溅射多层薄膜金属化法对氮化硅瓷不锈钢这两种热膨胀系数极不匹配的组合进行了封接研究,并获得了平均抗拉强度达140MPa,最高强度为160MPa的满意结果。本文主要介绍工艺试验条件,以及用SEM和YPS对结合界面进行各种元素的分布、化学状态以及深度变化的研究,并对机理作了初步讨论。     

片式电阻器包封玻璃浆料的研究

论述片式电阻器的玻璃包封浆料对电阻特性的影响。通过国产玻璃浆料与国外玻璃浆料的对比试验，证明国产玻璃包封浆料完全可以在引进生产线上应用。     

一种测量薄膜电阻器微弱噪声的放大电路设计

针对薄膜电阻器微弱噪声信号的检测,设计了一种实用化的基于AD797集成运放芯片的低噪声放大电路。同时,在电路形式设计和器件选择两方面论述了放大电路设计要点,并在实验和理论的基础上分别进行了电路性能的验证和探测下限的讨论。实验结果表明:电路在10 Hz~10 MHz宽频带内的放大增益为1 210倍;电路在100Hz输出的噪声功率谱密度仅为3.12×10–18 V2·Hz–1。