以Liq作为电子注入层的高效有机电致发光器件

利用Liq(8-hydroxy-quinolinato lithium)作电子注入层，制备了结构为ITO(indium tin oxide)／TPD(N，N′-diphenyl-N，N′—bis(3—methylphenyl)—1，1′biphenyl-4，4′diamine)／Alq3(tris-(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)／Liq／Al的电致发光器件。实验表明，以Liq作为电子注入层器件的效率约为无Liq器件的5倍。其原因可归于Liq在金属铝电极与Alq3有机层之间产生偶极层，从而形成铝与有机层间的欧姆接触，使电子注入效率大幅提高。     

以联苯乙烯衍生物为发光层的蓝色有机发光二极管特性的研究

以一种新型联苯乙烯衍生物NPVBi作为发光层，制备了结构为：ITO／TPD／NPVBi/Alq3/LiF/Al的有机薄膜电致发光器件，其中TPD厚度保持为50nm,NPVBi与Alq3厚度之和保持为50nm。通过调节NPVBi与Alq3的厚度，获得了色纯度较好的NPVBi蓝色电致发光，最高亮度为708cd/m^2，最大流明效率为1.13lm/W。结果表明，发光层NPVBi和电子传输层Alq3的厚度对器件的发光特性有显著的影响。     

锂喹啉配合物作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响

利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡／锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0．5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。     

基于新型空穴传输材料的有机电致发光器件的研究

利用真空蒸镀方法以N2,N7-二(间甲苯胺基)-N2,N7-二苯基-2,7-二胺基-9,9-二甲基芴[2,7-bis(pmethoxyphenyl-m'-tolylamino)9,9-dimethylfluorene,TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum,Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件.与制作的典型双层结构N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺[N,N'-biphenyl-N,N'-bis-(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'diamine,TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为(0.30,0.53),为Alq3材料发光.以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline,bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件.结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为(0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W.基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19℃的玻璃化转变温度(Tg).     

基于迭层结构的高效红色有机电致发光器件

为了提高红色有机电致发光器件的亮度和效率,引入Alq3:Mg/WO3作连接层制备了红色迭层有机电致发光器件.通过调节WO3的厚度得到了最佳器件,其效率和亮度达到了普通器件的三倍和四倍.利用铕配合物[Eu(DBM)3bath]和小分子染料器件(DCJTI)单元进行组合制备迭层器件,结构为ITO/TPD/DCJTI:CBP/BCP/Alq3/Alq3:Mg/WO3/TPD/Eu(DBM)3bath:TPD/Eu(DBM)3bath/LiF/A1,器件的最大亮度达8609 cd/m'2,最大效率达10.2 cd/A.     

稳定的光谱不随电流变化而改变的白色有机发光器件

使用新材料构成了两种结构白色有机薄膜电致发光器件，一种是蓝色及红色发射在同一层中，另一种是蓝色发射和红色发射分别在两层中，器件结构分别为ITO／CuPc／NPB／JBEM（P）：DCJT／Alq／MgAg（器件1）和ITO／CuPc／NPB／JBEM（P）／Alq：DCJT／Alq／MgAg（器件2）。这里（CuPc）是空穴注入层；N，N’－bis－（1－naphthyl）－N，N’－diphenyl－1，1’bipheny1－4－4’－diamine（NPB）是空穴传输层（HTL）；9，10－bis（3’5’－diaryl）phenyl anthracene（JBEM）是蓝色发射层；tris（8－quinolinolato）aluminium complex（Alq）是电子传输层（ETL）；DCJT是红色染料。在器件1中得到稳定的且色度不随电流增在而变化的白色发射。它的最大亮度为14850cd/m^2，最大效率2．88lm/W，色度x＝0．31，y＝0．38（从4mA/cm^2到200mA/cm^2），半亮度寿命为2860小时（初始亮度1000cd/m^2）。比较了两种结构的器件，蓝红色发射在同一层结构的器件，在亮度、效率及稳定性上都优于蓝红发射在不同层结构的器件。     

TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究

采用有机小分子TBPe(2,5,8,11-tetratertbutylperylene)以不同比例掺入MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])作为发光层,研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响,进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件,TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm,其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Liq/Al有机电致发光器件的最优掺杂比例为MEH-PPV∶TBPe=100∶30(质量比),其发光亮度相比于未掺杂器件提高了44%。在上述器件的基础上增加Alq3层提高电子注入,分别制作了Liq和LiF作为修饰层的ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/Liq/Al和ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV∶TBPe/TBPe/Alq3/LiF/Al多层器件,发光亮度分别达到4 162 cd/m2和4 701 cd/m2。所有器件的电致发光波长均为580 nm,为MEH-PPV的发光,TBPe的掺杂对MEH-PPV的发光起到了增强作用。     

PS-TPD空穴传输层的高亮度绿光有机电致发光器件的研究

研究了不同质量比的聚苯乙烯(PS)三苯基二胺(TPD)复合空穴传输层对有机电致发光器件(OLED)性能的影响。采用此掺杂体系作器件的空穴传输层,利用旋涂工艺制备了结构为indium-tin-oxide(ITO)/polystyrene(PS)∶N,N′-bis(3-methylphenyl)-N,N′-diphenylbenzidine(TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)-aluminium(Alq3)/Mg∶Ag的双层有机电致发光器件。为便于比较,另直接蒸镀TPD薄膜做空穴传输层制备了相似结构的器件。利用飞行时间法对不同PS-TPD质量比例的薄膜的空穴迁移率进行了表征,并对器件的电致发光特性进行了测试。测试结果表明,掺杂薄膜的空穴迁移率比纯TPD膜的低1~2个数量级。当质量比为m(PS)∶m(TPD)=10∶90时,器件具有最高光亮度14280 cd/m2和最高流明效率1.2 l m/W。说明适当质量比PS的引入相对降低了薄膜的空穴迁移率,调节了TPD的空穴传输能力,更有效地平衡了复合区内正负载流子的数目,从而提高了器件的发光亮度和效率。     

发光效率及稳定性改善的有机薄膜电致发光器件

不久前,我们报导了以TPD为空穴传输层,Alq为电子传输兼发光层的双层薄膜电致发光器件,在定电流密度6mA/cm2连续驱动下,初始亮度106cd/m2下降至一半亮度的时间为120小时,而继续操作500小时,亮度仍有38cd/m2[1]。在这篇文章中,我们将报道一个在上述器件的空穴传输层TPD中掺杂而构成的新器件。这个新器件发光亮度和效率比原器件增加了50%,而稳定性增加了近10倍,初始亮度165cd/m2的半亮度寿命达1200小时。     

联苯乙烯类蓝色发光材料DPVBi的合成及发光性质研究

合成了联苯乙烯类蓝色有机发光材料DPVBi[4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，l′-联苯]，用^1H-NMR，IR，元素分析等方法对其结构进行了表征。以DPVBi作发光层制备了电致发光器件，其结构为：ITO／CuPc／NPB／DPVBi/Alq3／LiF／Al，研究了器件的电致发光性质。器件最高亮度达4 373cd/cm^2，最大流明效率为1．24 lm／w，在20mA／cm^2电流密度驱动下的亮度为434cd／cm^2，CIE色坐标为x=0．15，y=0．16，器件的蓝色发光具有较好的色纯度。重点对器件发光色度的稳定性进行了研究，结果表明，随电流密度(4～4 000mA／cm^2)的变化，器件色度具有很好的稳定性。     

双层有机电致发光器件中多成分激发态发射

在结构为ITO/TPD(60nm)/PBD(60nm)/Al的双层器件观察到了单体发射、激基复合物发射和电荷对复合物发射.该器件和TPD∶PBD(等摩尔)混合蒸发薄膜的光致发光光谱研究表明激基复合物仅在TPD/PBD界面形成.电致发光光谱随偏置变化，反映出各激发态的不同形成机理和不同的占有比例及载流子在器件中动态复合的过程. 关键词： 电致发光 激发态发射 激基复合物 电荷对复合物     

有机阱结构器件在反向偏压调制下光致发光猝灭的研究

实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyll-4,4’-diamine(NPB)和4,4,N,N’-dicarbazolebiphenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒。讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭。研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝灭速度快。这主要是因为NPB层中的有效电场要比CBP层中的有效电场强。当所制备的有机阱结构器件的周期数增加时,在相同的反向电场下,NPB和CBP层中的激子猝灭速度会随之增加,因为实验中制备的这3个器件为Ⅱ型量子阱结构,激子在这种阱结构器件中会随着阱周期数的增加而变得越来越不稳定,因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显。     

Deep‐level characterization of emissive interface states in Alq3‐based OLEDs

We have succesfully investigated emissive interface states in fabricated indium‐tin‐oxide (ITO)/N,N′‐di‐1‐naphthyl‐N,N′‐diphenyl‐1,1′‐biphenyl‐4,4′diamine (α‐NPD)/tris(8‐hydroxyquinoline) aluminum (Alq₃)/LiF/Al organic light‐emitting diodes (OLEDs) by a modified deep‐level optical spectroscopy (DLOS) technique. In the vicinity of the α‐NPD/Alq₃ emissive interface, a discrete trap level was found to be located at ～1.77 eV below the conduction band of Alq₃, in addition to band‐to‐band transitions of carriers from α‐NPD to Alq₃. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

New spiro[benzotetraphene-fluorene] Derivatives: Synthesis and Application in Sky-Blue Fluorescent Host Materials

Blue light-emitting spiro[benzotetraphene-fluorene] (SBTF)-based host materials, 3-(1-naphthyl)-10-naphthylspiro[benzo[ij]tetraphene-7,9′-fluorene] (1), 3-(2-naphthyl)-10-naphthylspiro[benzo[ij]tetraphene-7,9′-fluorene] (2), and 3-[2-(6-phenyl)naphthyl]-10-naphthylspiro[benzo[ij]tetraphene-7,9′-fluorene] (3) were designed and prepared via multi-step Suzuki coupling reactions. Introducing various aromatic groups into SBTF core lead to a reduction in band gap and a determination of the color purity and luminescence efficiency. Typical sky-blue fluorescent organic light emitting diodes with the configuration of ITO/N,N′-di(1-naphthyl)-N,N′-bis[(4-diphenylamino)phenyl]-biphenyl-4,4′-diamie (60 nm)/N,N,N′,N′-tetra(1-biphenyl)-biphenyl-4,4′-diamine (30 nm)/host: dopant (30 nm, 5 %)/LG201 (electron transporting layer, 20 nm)/LiF/Al were developed using SBTF derivatives as a host material and p-bis(p-N,N-diphenyl-aminostyryl)benzene (DSA-Ph) as a sky-blue dopant material. A device obtained from three materials doped with DSA-Ph showed color purity of 0.148 and 0.239, a luminance efficiency of 7.91 cd/A, and an external quantum efficiency >4.75 % at 5 V.     

Color-stable,reduced efficiency roll-off hybrid white organic light emitting diodes with ultra high brightness

High-brightness and color-stable two-wavelength hybrid white organic light emitting diodes (HWOLEDs) with the configuration of indium tin oxide (ITO)/ N, N, N, N-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine (MeO-TPD): tetrafluoro-tetracyanoqino dimethane (F4-TCNQ)/N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N-diphenyl-benzidine (NPB)/ 4,4-N,N-dicarbazolebiphenyl (CBP): iridium (III) diazine complexes (MPPZ) 2 Ir(acac)/NPB/2-methyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (MADN): p-bis(p-N,N-di-phenyl-aminostyryl)benzene (DSA-ph)/bis(10-hydroxybenzo[h] quino-linato)beryllium complex (Bebq2)/LiF/Al have been fabricated and characterized. The optimal brightness of the device is 69932 cd/m2 at a voltage of 13 V, and the Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinates are almost constant during a large voltage change of 6-12 V. Furthermore, a current efficiency of 15.3 cd/A at an illumination-relevant brightness of 1000 cd/m2 is obtained, which rolls off slightly to 13.0 cd/A at an ultra high brightness of 50000 cd/m2. We attribute this great performance to wisely selecting an appropriate spacer together with effectively utilizing the combinations of exciton-harvested orange-phosphorescence/blue-fluorescence in the device. Undoubtedly, this is one of the most exciting results in two-wavelength HWOLEDs up to now.     

NPB:CBP复合空穴传输层对黄色有机电致发光器件的影响

采用N, N'-diphenyl-N, N'-bis(1-naphthyl-pheny1)-1, 1'-biphenyl-4, 4'-diamine (NPB):4, 4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl (CBP) 掺杂体系为复合空穴传输层,制备了结构为indium-tin oxide (ITO)/NPB:CBP/CBP:bis iridium (acetylacetonate) /2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-p 关键词： 有机电致发光器件(OLEDs) 复合空穴传输层 NPB:CBP 器件性能     

Low voltage red phosphorescent organic light-emitting devices with triphenylphosphine oxide and 4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl electron transport layers

We have developed red phosphorescent organic light-emitting devices operating at low voltages by using triphenylphosphine oxide (Ph₃PO) and 4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl (DPVBi) electron transport layers. 4,4′-bis(N-carbazolyl)-1,1′-biphenyl (CBP) and tris-(1-phenylisoquinolinolato-C²,N) iridium(III) [Ir(piq)₃] were used as host and guest materials, respectively. Small voltage drops across the electron transport layers and direct injection of holes from 4,4′,4″-tris[N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino]-triphenylamine (2-TNATA) hole transport layer into the Ir(piq)₃ guests are responsible for the high current density at low voltage, resulting in a high luminance of 1000 cd/m² at low voltages of 2.8–3.0 V in devices with a structure of ITO/2-TNATA/CBP:Ir(piq)₃/DPVBi/Ph₃PO/LiF/Al.     

一种改善红光顶发射OLED色纯度及角度依赖特性的方法研究

在Si/SiO₂衬底上生长金属银作为阳极,4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层,发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III) acetylanetonate(Ir(piq)₂(acac))的结构,4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层,阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层,有效地改善了复合阴极膜系的透射率,从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性,在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善,这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)₂(acac)作发光层,从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)₂(acac)(1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)₂(acac)(1%, 20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率,避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高,而双发光层的结构有利于增大激子复合区域,提高辐射复合几率,减少非辐射损耗,实现主客体之间高效的三线态能量传递,相对单发光层顶发射结构,双发光层结构不仅提高了器件的发光效率,而且改善了器件的色坐标.