红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发,研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺,探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高．以此为基础,我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况     

载流子寿命对半导体激光器调制特性的影响

针对通常用来研究半导体激光器调制特性的速率方程中所采用的载流子寿命不变近似所存在的问题，重新对小信号调制下半导体激光器的速率方程组进行了线性化处理。     

半导体激光器端面剩余模式反射率测量结果的分析

本文分析了单色仪出射狭缝宽度对半导体激光器镀膜端面反射率测量的影响,理论预言了调制度和反射率的测量值以及测量谱中波峰和波谷的位置随缝宽周期性变化的规律。实验结果证实了理论预测的正确性。     

直接调制半导体激光器技术初探

阐述了影响高速调制半导体激光器的主要因素,着重从理论上对半导体激光器的阻抗匹配网络设计进行了分析,结合採用微波 CAD 技术,给出了理论上的结果。     

大功率半导体激光器调制特性的实验研究

设计了一种带有调制输入接口及恒电流、恒功率、恒温控制的光源系统,着重对其低频调制特性进行了实验研究.通过引入负反馈及自动温度控制技术,从外部电路角度改善了半导体激光器的调制输出特性,有效抑制了驰豫振荡,优化了激光二极管(LD)的调制输出参数.     

直接调制半导体激光的相干性

本文分析了直接调制半导体激光的相干性，并予实验证实。对深入了解直接调制半导体激光的特性，具有实用价值。     

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用

本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．     

中红外半导体奇异材料

美国普林斯顿大学的研究人员研制成了具有负折射率的半导体（In．Ga047As和Al048In052As）型奇异材料。负折射并不仅仅是一种光学现象，它为亚波长成像和制备超透镜带来了希望。在望远镜和显微镜中，光通过利用正折射率材料制备的透镜时，     

红外双向反射率测量应用及研究进展

本文介绍了双向反射分布函数(BRDF)的概念和测量方法。分析并评述了双向双射 率测量在一些领域诸如:植被长势检测、国土资源遥感、环境气候监测及抑制杂散光等方面的应用。最后展望了该技术在现代国防军事领域中的广泛应用前景。     

半导体材料的霍耳测量

利用霍耳效应研究半导体材料的电阻率，载流子浓度和迁移率是霍耳测量的主要技术之一。文章简单介绍了ＨＬ５５００霍耳测量系统；列举了用该霍耳系统测量的各种半导体材料，特别是高阻和高迁移率材料的结果，并讨论了有关的干扰问题。     

半导体激光器调制特性的人工神经网络仿真

对半导体激光器调制特性进行了理论分析，通过研究半导体激光器调制特性的速率方程，推导了调制特性的解析表达式。用广义回归神经网络建立了激光器调制特性的神经网络模型，通过训练好的神经网络模型对激光器调制特性进行了深入分析，并对激光器结构进行了仿真设计。模型输出结果与理论分析的结果相吻合，且该方法具有速度快、精度高、重复性好等优点。研究结果表明，利用神经网络模型可以对半导体激光器性能进行分析，并确定半导体激光器的一些结构尺寸。     

论半导体激光器及调制技术

在当代的通讯传输领域中，半导体激光器及调制技术展示出前所未有和不可代替的技术成就。半导体激光器及调制技术的种类较多，从其对光源进行调制的方式上来区分，可分为光强度直接调制和光强度外部调制两种方式。本分别对这两种光强度调制方式进行了论述。     

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。     

WO3薄膜的后氧处理及其红外反射率研究

本文采用“改进电沉积法”制备ＷＯ３薄膜,并研究了该薄膜的后氧处理方法,以及后氧处理条件对薄膜的电化学特性,尤其是红外反射率的影响。结果表明,经该方法处理过的薄膜,其红外反射率调制能力提高８％。     

半导体光放大器的偏振调制特性研究

首先理论分析了半导体光放大器的非线性偏振调制（PolM）效应,导出了稳态条件下SOA的偏振转换矩阵。通过数值仿真,描述了包括非线性自偏振调制（SPolM）、互偏振调制（XPolM）导致的偏振态在庞加球上的变化形态。计算结果表明,SOA偏振调制效应表现为偏振旋转特性,偏振旋转的大小由入射光强和偏振态决定,旋转结果表现为输出光中的TM模分量增加,而TE模分量下降。文章同时讨论了SOA驱动电流变化对PolM效应的影响以及由其引起的电光偏振调制（IPolM）效应,并仿真得出了电流变化导致的输出光偏振态的变化轨迹。