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HL-2A和HL-1M装置采用了激光吹气注入高Z杂质来缓减大破裂中的等离子体电流衰竭,并给出了初步实验结果。在HL-2A装置上建立了利用MHD扰动的参量预报放电破裂先兆的报警系统,研制了MHD实时检测与处理系统,实现了放电破裂先兆的预报、快速触发激光吹气、形成阻性高辐射等离子体、消耗热能和磁能,缓减大破裂。实验证明,这是一种使得大型聚变实验装置在放电破裂之前显著减少等离子体中热能和磁能,而且能安全终止放电的简单、快速和有效的途径。     

HL—1装置的金属杂质沉积实验

采用立体探针与二次离子质谱计（ＳＩＭＳ）分析相结合，对ＨＬ－１装置刮削层空间的杂质沉积特性和分布规律进行了实验研究。测量了在石墨活动孔栏条件下，立体针表面杂质沉积特性和分布规律进行了实验研究。测量了在石墨活动孔栏条件下，立体探针表面杂质沉积的径向分布，纵向分布，极向分布和Ｈ＾＋剖面分布。并讨论了实验结果。     

HL—1M装置的密度极限研究

描述了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆加热状态下的密度极限,该密度极限是放电破裂前的最高密度值。通过比较氘、氢放电,硅化前后的放电,超声分子束注入、冰弹丸注入和脉冲送气放电,发现ＨＬ－１Ｍ装置的壁条件、加料方式以及氢同位素对ＨＬ－１Ｍ 装置的密度极限影响很大。产生密度极限破裂的原因主要是等离子体约束变差,总体辐射损失与欧姆加热功率平衡被破坏     

HL—1装置几种杂质特性

本文叙述了用真空紫外光谱方法观测HL-1装置常规、器壁碳化和抽气孔栏三种放电条件下等离子体杂质的变化以及某些杂质的特性。     

HL-1装置杂质成分的AES分析

HL-1装置放电期间,利用输样机构上GH39和Si收集探针的俄歇电子谱仪(AES)分析,观测了由器壁和孔栏溅射,蒸发出来的金属重杂质Mo,Cr和Ni等在刮离层中的空间分布,以及沉积层的深度分布。     

HL－1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

碳氢靶强激光烧蚀特性

 给出了准稳态情况下强激光烧蚀碳氢靶的实验结果,并与理论定标关系进行对比。 实验中采用晶体谱仪时间积分和X射线条纹相机同时获取碳氢平面靶强激光烧穿厚度和烧穿时间。采用基频光大能量注入,大焦斑(Φ 400μm），光束经列阵透镜均匀化后, 烧蚀碳氢平面靶。     

HT—6M托卡马克欧姆加热下氧杂质的输运模拟

本文利用HT-6M托卡马克上现有的实验数据,对氧杂质进行了输运模拟,给出了HT-6M托卡马克在欧姆加热下氧杂质的输运特性,空间分布和辐射能量。     

中国环流器新一号装置总体联调

本文介绍中国环流器新一号装置工程总体联合调试的内容和主要结果。该装置总体联调是非常成功的，获得了重复性很好，环电流平顶宽的稳定平稳的放电波形，这对物理实验的开展非常有利。     

再循环对密度极限破裂的影响

用简化的再循环模型和破裂模型,研究了边缘发生的电离与电荷交换的能量损失与密度极限破裂的关系,得到HL 1M装置的临界破裂密度nc≤1.6×1020m-3。     

HL-1装置掠入射真空紫外杂质谱线观测

本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。     

HL-1M装置在NBI期间注入H弹丸和Al杂质的辐射损失特性

使用十六道探测器阵列在HL1M装置上对中性束加热等离子体中注入氢丸和铝杂质的辐射损失功率进行了测量。通过对测量数据的分析,获得了以下主要实验结果:(1)中性束加热等离子体辐射损失功率密度分布在等离子体小半径(35)a范围内较平坦,辐射功率密度为0.1W·cm-3左右;(2)在中性束加热期间,用激光吹气注入铝杂质,辐射损失功率密度增加了1倍,但它的分布不明显峰化;(3)注入的氢丸使等离子体辐射损失功率密度增加了2倍多,且辐射损失功率密度分布显著峰化。     

HL-1M装置中超热电子的X射线辐射测量

用新研制的五通道碘化汞（ＨｇＩ２）半导体探测器阵列分别观测了在欧姆发热、弹丸注入及离子回旋共振加热（ＩＣＲＨ）条件下,ＨＬ－１Ｍ等离子体中的超热电子引起的能量在１０～１５０ｋｅＶ范围内的Ｘ射线辐射强度的时空变化,及超热电子辐射的Ｘ射线能谱。结果显示,在ＩＣＲＨ期间,等离子体边缘的Ｘ辐射增强,超热电子的温度大约为３０ｋｅＶ,ＩＣＲＨ的能量沉积在等离子体边缘。     

HL-lM装置在NBI期间注入H弹丸和AI杂质的辐射损失特性

使用十六道探测器阵列在HL-1M装置上对中性束加热等离子体中注入氢丸和铝杂质的辐射损失功率进行了测量。通过对测量数据的分析,获得了以下主要实验结果,(1)中性束加热等离子体辐射损失功串密度分布在等离子体小半径(3/5)a范围内较平坦,辐射功率密度为0.1W·cm     

HL-1M装置等离子体约束时间

强调了托卡马克等离子体的约束时间是等离子体粒子损失或热能损失的特征时间,评述了有关物理概念和实验现象分析了方面的问题,并应用于HL－1M装置等离子体。     

HL-1装置放电清洗系统和实验

本文描述了HL-1装置的泰勒放电清洗系统和其清除氧、碳等轻杂质的能力。研究了水分压强的某些特性及其同充氢气压、等离子体电流(电子温度)、电子密度的关系。从而找到了HL-1装置的泰勒放电清洗最佳运行参数。     

HL—1M托卡马克LHCD加热离子温度测量和杂质辐射特性

叙述了在ＨＬ－１Ｍ托卡马克ＬＨＣＤ实验中观测到的杂质ＶＵＶ辐射特性。用谱线的都卜勒展宽测量了离子温度。在一定的电子密度下，ＬＨＣＤ改善了等离子体的约束性能，对离子有显著的加热效果。     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

HL-1M装置锁模不稳定性研究

研究了HL－1M装置上锁模不稳定性和密度极限破裂。锁模不稳定性通常出现在低密度的实验中,在软X射线和Mirnov磁扰动上都观察到了频率相同的先兆振荡,其时间尺度为10ms。边3比温度的然下降是产生模不稳定性的重要标志。锁械出现几毫秒后时常发生大破裂。提出了抑制锁械的稳定性的建议。     

HL-1M装置中的离轴电子回旋加热实验

在HL-1M装置上进行了离轴电子回旋加热实验。研究了电子温度的变化，等离子体密度对加热效果的影响，离轴加热条件下MHD锯齿的变化，波对m/nk=1/1模的影响及在与低杂波电流驱动共同作用下的各种实验现象。 这些现象被认为与高能电子和它们的分布有关。