软X射线分光晶体琥珀酸十八酯的生长研究

本文合成了软X射线分光晶体材料琥珀酸十八酯(OSO),对其样品进行了表征和鉴定.对OSO在多种有机溶剂中的结晶性能进行了研究,结果表明在实验的几种有机溶剂中OSO的成核趋势很强,在甲苯和苯中具有较好的结晶特性.测定了OSO在苯和甲苯中的溶解度曲线,并用溶液降温法进行了晶体生长的实验.     

软X射线分光晶体琥珀酸氢十四酯的合成及结晶习性研究

本文合成了软X射线分光晶体琥珀酸氢十四酯(THS).通过红外光谱、差示量热扫描等手段对所合成样品进行表征和鉴定.对THS在苯、甲苯、二甲苯、异丙醇等溶剂中的自发成核和结晶形态进行了研究,结果表明THS在苯、甲苯和二甲苯中表现出良好的结晶习性.采用平衡法测定了THS在苯、甲苯和二甲苯中的溶解度曲线.综合考虑结晶习性和溶解度情况,可选择甲苯作为晶体生长的溶剂进行单晶生长实验.     

溶剂对有机非线性光学晶体NPAN生长习性的影响

本文测定了有机晶体N-(4-硝基苯)-N-甲基-2-氨基乙腈(简称NPAN)在某些醇和酮有机溶剂中的溶解度,研究了NPAN在这些有机溶剂中的溶液热力学性质、溶质与溶剂的相互作用以及溶剂对NPAN结晶习性的影响.根据界面熵因子α值,预测了NPAN晶体在不同溶剂中低指数晶面的晶体生长机制.选择丁酮为生长溶剂,进行单晶生长实验.在35～25℃温度区间内,用溶液降温法在较高过饱和度下成功地培养出尺寸为37×7.0×7.0 mm3的棱柱状透明单晶,所得晶体的外形与预测的结果相吻合.     

软X射线分光晶体马来酸氢十六酯

马来酸氢十六酯(HHM)是一种长碳链酯晶体,晶面间距2d=5.85 nm,对软X射线有很好的衍射性能.它在苯和甲苯溶剂中表现很好的结晶性,增大溶剂的极性时明显地不利于HHM的结晶.以甲苯为溶剂,采用溶液降温法生长HHM单晶,控制晶体生长温度为32 ℃,降温速度为0.02 ℃/d,籽晶转速为6 r/min,经过约2周的生长时间,可以生长出30 mm×16 mm×1 mm的透明单晶体.HHM分子极易形成双分子缔合体,缔合体上由2个羧基组成的局域平面有利于分子的有序排列,这是HHM所以能表现出比其它长碳链酯有更好的结晶性的主要原因.     

反式二苯乙烯(TSB)的溶液法晶体生长

本文观测了TSB在苯甲醚等有机溶剂中的结晶习性,测定了相应的溶解度曲线和亚稳区.采用溶液降温法在50~30 ℃的温度范围内进行晶体生长,获得透明度好的厘米级TSB晶体.通过对所得晶体进行X射线粉末衍射、紫外-近红外透过光谱、吸收光谱和紫外荧光光谱等测试,表明:本实验使用的不同生长溶剂对TSB晶体结构不会产生影响,所得晶体在410~1000 nm波长范围内透过率不低于80;,而在200~360 nm范围内有吸收,在波长为272.8 nm的激发光作用下,得到较强的荧光峰,峰位为386 nm.     

已二酸十八酯（OAO）晶体结果习性研究

已二酸十八酯（OAO）分子间结合力小,结果性差,所以创造条件改善OAO的结晶性是OAO单晶生长的一项关键工作。本文以恒温蒸发法做了OAO在各种极性不同溶剂中的结晶性实验,结果表明溶剂的极性愈小对OAO的结晶愈有利;本文还做了OAO籽晶在不同的过饱和度和不同的晶体生长温度中的生长实验,结果发现,增大溶液过饱和生长温度对OAO结晶生长是有利的,特别使难生长的（001）面容易长厚。     

AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.     

定位硅酸锌结晶釉析晶动力学研究

本文利用定位结晶法研究了氧化锌和硅酸锌两种晶种对硅酸锌结晶釉釉面晶花的影响,根据结晶动力学理论,对结晶釉中硅酸锌晶体的生长规律和结晶机理进行了探讨,并比较了不同晶种对硅酸锌晶体生长规律的影响.实验结果表明:采用氧化锌和硅酸锌作定位晶种的釉面晶花外观效果基本相同;釉熔体中硅酸锌晶体生长半径与保温时间成线性关系;不同的定位晶种对硅酸锌晶体的生长基本没有影响;结晶常数随着析晶保温温度的提高而增加,当析晶保温温度分别为1150 ℃,1100 ℃和1050 ℃时,所对应的结晶常数依次为1.0911,0.9996和0.7177;即使在同一析晶保温温度下,不同的保温时间段其结晶常数也不同.     

Bridgman法晶体生长技术的研究进展

本文首先分析了Bridgman法晶体生长的工作原理,以及生长速率和温度场控制方法。其次从单晶的获得,结晶界面的宏观形貌和微观形貌形成原理的角度讨论了Bridgman法晶体生长过程结晶组织控制的原理。进而分析了Bridgman法晶体生长过程中结晶界面上的溶质分凝及其再分配行为,由此获得了晶体中的成分偏析规律。最后,介绍了近年来Bridgman晶体生长过程控制技术的研究进展,包括强制对流控制技术,电磁控制技术,重力场控制技术及其高压Bridgman法等。     

晶体表面结构和负离子配位多面体生长基元

本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系.指出了晶体表面结构,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹.因此,运用负离子配位多面体生长基元理论模型,晶体的生长机制可以通过对晶体表面结构的分析得以解释.