5~88 keV能区硬X光能谱精密测量

利用滤波荧光（FF）法建立了5~88 keV能区硬X光能谱测量系统,对闪烁探测器的灵敏度进行了精密标定,不确定度好于10%。通过研究干扰产生的原因,改善系统屏蔽,有效地排除了干扰,提高了系统的信噪比;通过更换大电流的光电倍增管,改变准直光阑的尺寸和滤片的厚度,将测量系统的线性动态范围从4提高到104。在神光Ⅲ原型物理实验中定量给出Au平面靶硬X光谱,实现硬X光能谱的精密测量。     

紫外超短脉冲激光辐照固体靶产生硬X射线研究

 实验研究了紫外高强度超短脉冲激光(248nm, 440fs, 50mJ)辐照固体靶时产生的硬X-射线(>30 keV)能量连续谱，靶上强度达到10¹⁷ W/cm²。P极化光45°照射5mm铜片，实验探测到了能量大于200keV的X射线信号，利用Maxwellian分布拟合能谱得到了的超热电子温度为67keV。     

紫外超短脉冲激光辐照固体靶产生硬X射线研究

实验研究了紫外高强度超短脉冲激光(248nm, 440fs, 50mJ)辐照固体靶时产生的硬X-射线(>30 keV)能量连续谱,靶上强度达到1017 W/cm2。P极化光45°照射5mm铜片,实验探测到了能量大于200keV的X射线信号,利用Maxwellian分布拟合能谱得到了的超热电子温度为67keV。     

超热电子与金黑腔靶作用产生硬X射线的蒙特卡罗模拟

激光打靶产生大量麦氏分布的超热电子,与金腔靶相互作用产生硬X射线.利用蒙特卡罗方法,对超热电子在金腔靶中的传输进行了研究,模拟了在不同超热电子温度、份额下硬X射线谱的变化及在不同腔体尺寸、腔壁厚度情况下,硬X射线谱的变化情况,给出硬X射线产生效率的决定因素.利用硬X射线谱反推得到的超热电子信息与蒙特卡罗程序模拟结果相结合的方法,获得金腔内部超热电子初始信息. 关键词： 热电子 超热电子 蒙特卡罗方法 硬X射线     

腔靶超热电子产生硬X射线的理论模拟

利用计算得到的原子数据参数,定量地计算了强激光与金腔靶相互作用时,其超热电子产生的硬X射线的角分布、空间分布、硬X射线转换效率等参量。为进一步诊断腔靶内超热电子的状况提供了必要的理论依据。     

超灵敏爆炸物探测器

一种比经过训练的狗更灵敏的能够探测隐藏的爆炸物和地雷的装置已研制成功，研究人员认为，这种新的探测装置可以在离开爆炸物一定距离处使用，对于识别自杀性爆破手和藏有爆炸物的物件具有潜在的应用前景，美国MIT的研究小组使用激光来增强现有的爆炸物探测方法的灵敏度，这种方法是基于荧光半导体有机聚合物，这种聚合物当接触到爆炸物质发出的分子时荧光会减弱，用简单的光子探测器就可以观察到这种减弱，MIT的小组发现，     

超强飞秒激光驱动气体靶致X光源的背光成像

在拍瓦级飞秒激光装置上完成了两轮激光驱动甲烷气体靶的实验,用产生的X光源配合SCCD（转换屏+CCD相机）对小型金属器件背光成像,采用经验公式和PIC数值模拟方法分别预估了超热电子温度,得到X光能量分别为377 keV和130 keV,据此两轮实验分别选择1.3 mm和0.8 mm厚度的轫致辐射体。分析比较了两轮实验背光成像质量。通过对次轮实验图像中铝、铜金属台阶灰度值曲线的分析求得X光的能量分别为49 keV和92 keV,这表明采用PIC数值模拟方法得到的X光能量更加符合实验结果。     

GaAs1×4Mach－Zehnder型光开关列阵研究

采用非对称Ｘ结耦合器设计并研制了ＧａＡｓ１×４Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型光开关列阵。简述了非对称Ｘ结和相应的光开关列阵的工作原理及器件的设计和制作过程。在波长为１．１５μｍ的光波下测量单元器件，得到了小于－２０ｄＢ的串音和小于１２Ｖ的开关电压，器件的光波导传输损耗约为７ｄＢ／ｃｍ。文中最后分析了导致器件中串音和损耗的各因素，并提出了可能的改进方法     

GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究

运用Kronig-Penney模型的新形式,研究了超晶格子带间光跃迁的频率、带宽和跃迁强度,用GaAs/Al_xGa_1-xAs多量子阱材料做了关于红外吸收的实验,理论与实验符合较好。 关键词：     

超短超强激光与金属靶作用产生硬X射线照相

 超短超强激光与物质相互作用产生硬X射线的应用之一是X射线照相。利用等离子体国家重点实验室的SILEX-Ⅰ激光器进行了超短超强激光与高Z平面金属厚靶相互作用产生硬X射线作为照相光源的照相实验研究。采用闪烁体+胶片和闪烁体+CCD相机的方式分别接收X射线图像,在靶的侧向和后向得到清晰X射线图像。由于采用的闪烁体厚度和照相几何不同,图像质量和空间分辨率存在明显差别。这种照相技术不仅可以作为激光与固体靶相互作用产生光源研究的基础手段,而且可以作为激光与固体靶相互作用致硬X射线的探测方式。     

GaAs IMSM光电探测器及其与FET的单片集成研究

采用S.I.GaAs衬底上MBE生长的两层结构外延材料制作了IMSM-PD并与采用离子注入材料制作的IMSM-PD的特性进行了比较,结果表明采用MBE材料的器件特性较优,在5V偏置电压下暗电流小于1nA。已将IMSM-PD与MESFET放大电路进行了单片集成构成光接收器。     

GaAs：Cr探测器中子辐照改性研究

介绍了一种新型脉冲辐射探测器以及提高其性能的一种方法,并报告了探测器性能与中子积分通量关系的实验结果。     

GaAs探测器实验标定

叙述了在闪光Ⅰ上用6MV轫致辐射实验标定快响应GaAs光电探测器的原理实验结果以及分析讨论。     

GaAs-InP异质材料的结构特性和光学特性研究

我们在低压金属有机汽相沉积(MOCVD)设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出GaAs-InP材料,并对此进行了X-射线衍射、低温光致发光谱(PL)和Raman谱分析,结果表明,GaAs外延层的位错密度低于用两步升温法得到的GaAs材料,PL谱峰较强,GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到。Raman谱PL谱的峰移表明GaAs外延层处于(100)双轴伸张应力下,应力大小随温度变化是由于GaAs、InP之间的热膨胀系数不同。     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量

本文介绍了透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法,另外还给出了相应的实例.     

神光Ⅲ激光装置直接驱动内爆靶产生的连续谱X光源

激光驱动的内爆靶通过轫致辐射过程可以产生覆盖1—100 keV能区的小尺寸、短脉冲和高亮度的光滑连续谱X光源,可用于高密度等离子体的点投影照相和吸收谱诊断等.本文对30—180 k J输出能量的神光Ⅲ激光装置直接驱动氘氚冷冻靶产生的连续谱X光源辐射特性进行了模拟研究,为优化内爆光源提供物理基础.采用了美国OMEGA激光装置和美国国家点火装置(NIF)使用的定标率来给出不同驱动能量时的靶参数和激光脉冲参数.研究发现,内爆靶丸在停滞阶段瞬时的密度和温度剧增可以产生尺寸约100μm、发光时间约150 ps的X光脉冲;X光辐射主要产生于被压缩的氘氚冰壳层内侧、而不是中心的高温气体热斑区;等离子体的自吸收可以显著降低1—3 keV的较低能区的X光发射,但对更高能区没有影响;X光辐射主要集中在30 keV的较低能区,氘氚聚变反应可以增强30 keV的硬X光辐射、但对30 keV的较软的X光辐射没有明显贡献.     

X光透镜及其应用

着重介绍了Ｘ光透镜的原理，制作方法，及其在Ｘ光产业中的应用和发展前景。     

GaAs极化电子源实验研究

对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究，着重采用2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量，以达到最佳的激活状态，并获得了一些有意义的实验结果.     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究

本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布,阐明了GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射的分析方法,最后给出了实例.     

Influence of electron irradiation on properties of semi-insulating GaAs detectors

The effects of electron beam irradiation on electrical and spectrometric properties of semi-insulating (SI) GaAs detectors were studied. The electric properties were monitored by reverse and forward current–voltage characteristics. In general, a breakdown voltage decrease with the dose was observed. However, some samples showed a local increase in the breakdown voltage at doses between 5 and 10?kGy. The detector spectrometric properties (the charge collection efficiency (CCE), the energy resolution and the detection efficiency) were evaluated from measured spectra of the ²⁴¹Am radionuclide gamma source before and after electron irradiation. The CCE and energy resolution showed minor changes after irradiation. The detection efficiency noticed an initial increase (up to a dose of 5?kGy) followed by a permanent decrease. At 30?kGy, the overall degradation of detector functionality was observed with all samples.