光阴极RF腔注入器

 光阴极RF腔注入器是一种强流、窄脉冲(ps量级)、低发射度的电子束源。文章给出了CAEP光阴极RF腔注入器的结构和实验结果,结构主要包括驱动激光器、Cs₂Te阴极制备室、2.5个RF腔、高功率微波源和测量仪器等,其中驱动激光器的参数是影响注入器电子束质量的重要因素;实验上,该光阴极RF腔注入器可稳定输出能量2MeV、流强70A、发射度～4mm.mrad的高亮度电子束流。     

光阴极RF腔注入器

光阴极RF腔注入器是一种强流、窄脉冲(ps量级)、低发射度的电子束源。文章给出了CAEP光阴极RF腔注入器的结构和实验结果,结构主要包括驱动激光器、Cs2Te阴极制备室、2.5个RF腔、高功率微波源和测量仪器等,其中驱动激光器的参数是影响注入器电子束质量的重要因素;实验上,该光阴极RF腔注入器可稳定输出能量2MeV、流强70A、发射度～4mm.mrad的高亮度电子束流。     

光阴极RF腔注入器中激光脉冲的时间抖动

介绍光阴极RF腔注入器中的驱动激光器,采用二极管泵浦的自锁模激光器,通过锁相,使输出激光脉冲的时间抖动小于2ps,实现激光脉冲同微波相位之间的严格同步,在实验上获得流强70A、能量2MeV、亮度4.4×1011A/(m2.rad2)的电子束。     

光阴极RF腔注入器中激光脉冲的时间抖动

 介绍光阴极RF腔注入器中的驱动激光器,采用二极管泵浦的自锁模激光器,通过锁相,使输出激光脉冲的时间抖动小于2ps,实现激光脉冲同微波相位之间的严格同步,在实验上获得流强70A、能量2MeV、亮度4.4×10¹¹A/(m².rad²)的电子束。     

紧凑型高平均流强光阴极注入器

根据北京大学1+1/2单元超导腔直流--超导(DC-SC)光阴极注入器的实验研究结果, 证明了这种新型光阴极注入器的可行性, 在此基础上对这种新型注入器进行了升级设计, 使之成为实用的紧凑型高平均流强的光阴极注入器, 为北京大学自由电子激光装置提供品质良好的电子束流. 给出了升级的3+1/2单元超导腔注入器的详细设计, 包括注入器核心结构的电磁场设计、束流动力学模拟、机械设计. 并对整个注入器的恒温器进行了初步设计.     

光阴极注入器的驱动激光器

 光阴极注入器要求驱动激光器的激光时间抖动小、脉冲宽度窄、激光波长短和脉冲功率高。从原理和实验上介绍光阴极注入器的驱动激光器,包括连续波锁模振荡腔、时间同步,激光脉冲功率放大等;该激光器输出激光微脉冲宽度10ps,微脉冲时间抖动小于2ps,宏脉冲宽度2.5 μs, 峰值功率100kW, 已用于光阴极RF腔注入器实验,并获得了很好的结果。     

光阴极注入器的驱动激光器

光阴极注入器要求驱动激光器的激光时间抖动小、脉冲宽度窄、激光波长短和脉冲功率高。从原理和实验上介绍光阴极注入器的驱动激光器,包括连续波锁模振荡腔、时间同步,激光脉冲功率放大等;该激光器输出激光微脉冲宽度10ps,微脉冲时间抖动小于2ps,宏脉冲宽度2.5 μs, 峰值功率100kW, 已用于光阴极RF腔注入器实验,并获得了很好的结果。     

射频腔光阴极注入器发射度研究

在激光驱动的光阴极注入器产生的高亮度电子束中,空间电荷引起发射度的增长。分析了射频腔中引起发射度增长的因素以及解决这个问题的办法——在射频腔的阴极附近加一个螺旋聚焦磁场进行补偿,也给出了补偿后电子束的发射度并和数值模拟结果进行比较,实验测试表明,所得结果比较符合。     

光阴极RF腔注入器束流发射度研究

分析了光阴极RF腔注入器中的RF场效应和空间电荷效应,给出了电子在加速腔中束流发射度的解析表达式,它说明在加速过程中束流发射度是振荡变化的。利用SUPERFISH和GPT程序模拟计算了光阴极1+1/2腔注入器输出束流发射度与加速场强、注入相位、束团大小和形状、束团电荷的关系。适当选择这些条件,可以获得横向发射度小于2πmm·mrad 的输出束流。     

射频腔光阴极注入器发射度研究

 在激光驱动的光阴极注入器产生的高亮度电子束中，空间电荷引起发射度的增长。分析了射频腔中引起发射度增长的因素以及解决这个问题的办法——在射频腔的阴极附近加一个螺旋聚焦磁场进行补偿，也给出了补偿后电子束的发射度并和数值模拟结果进行比较，实验测试表明，所得结果比较符合。     

1MJ高温超导储能磁体的设计方案研究

微型超导储能系统(SMES)可用于改善电能质量和电力系统的动态稳定性,但在应用中需满足漏磁场的要求,本文主要以储能量为1MJ的超导储能磁体为例,结合多种有源屏蔽型超导储能磁体的结构特点,主要包括轴线平行、组合式环型,研究了有源屏蔽微型超导储能磁体的方案.对以上这两种类型的超导储能磁体进行了优化设计,并对优化结果进行了比较分析.     

1MJ高温超导储能磁体的设计方案研究

微型超导储能系统(SMES)可用于改善电能质量和电力系统的动态稳定性,但在应用中需满足漏磁场的要求,本文主要以储能量为1MJ的超导储能磁体为例,结合多种有源屏蔽型超导储能磁体的结构特点,主要包括轴线平行、组合式环型,研究了有源屏蔽微型超导储能磁体的方案.对以上这两种类型的超导储能磁体进行了优化设计,并对优化结果进行了比较分析.     

MNI—1U中性注入器高压长脉冲稳定电源研制

本文介绍一种为MNI-1U中性注入器研制的大功率长脉冲高压稳定电源。电路的技术指标为:输出脉冲电压50kV,脉冲电流30A,脉冲宽度50ms,上升下降时间小于25μs,平顶稳定度优于0.5％,调整响应时间30μs。当作直流高压稳压和稳流电源使用时,输出电压1-80kV,电流0.5—5A,电压或电流的稳定度可优于0.1％     

压力对不同Tc的Bi2+xSr2Ca1-xCu2Oy单晶超导电性的影响

 在研究BiSrCaCuO超导单晶的过程中，我们发现材料的实际化学组分与理想的2212相配比组分有着一定的差别，正是这种成分偏析造成了样品的T_c与结构的不同。本文研究了在压力下不同T_c的样品随压力改变T_c的变化关系，发现偏析越大、T_c越低的样品的dT_c/dp也越大，而越接近理想组分，则dT_c/dp越趋于最小值，还可以从此推断出BiSrCaCuO理想单晶材料的T_c最佳值。压力对超导电性的这种影响可能与耦合链长的变化有关。     

3.3MeV直线感应加速器的设计和性能

综述3.3MeV直线感应加速器(LIA)的物理工程概貌和束流特性参数测量。所测数据均达到或超过了设计指标。并已成功地做为曙光一号自由电子激光器出光实验的电子束源。目前,拟串接更多的加速组元使加速器的电子束能量达到10MeV,以便同时用于自由电子激光研究和闪光X射线照相。     

高压对高温超导体La1.85Sr0.15CuO4电子结构的影响

 采用Recursion方法计算了常压和1 GPa、4 GPa、8 GPa高压下La_1.85Sr_0.15CuO₄的电子结构，给出了费米能、费米能处态密度以及各晶位原子价的定量变化。结果表明：高压下T_c的变化可能源于CuO₂面上氧空穴和铜空穴数目的改变，且氧空穴数目的增加有利于超导性。     

TE011模式园柱形ESR样品腔的设计

本文介绍了TE_(011)模式园柱形ESR样品腔的设计方法和作者的一个设计实例.     

TE011腔使用扁平样品管提高水溶液样品ESR波谱灵敏度的研究

实验表明,在TE₀₁₁模式园柱形腔中,不但可以使用扁平样品管测量水溶液样品的ESR波谱,而且获得好的腔品质因子Q和高品质的ESR信号。所观察到的信号高度,是使用最佳尺寸毛细管样品时最大信号高度的3.2倍;又是在具有波导尺寸的TE₁₀₂腔中使用扁平样品管时所获得信号高度的3倍。本文对此作了定性的理论分析。     

1+1/2对转涡轮高压动叶气膜冷却数值研究

对1 1/2对转涡轮高压动叶设计了冷却方案,在高压动叶前缘滞止线,压力面和吸力面分别开设了冷却孔,并对冷却方案进行了三维数值模拟.为了研究变工况下,高压动叶气膜冷却性能,对三种典型的工况进行了详细的数值模拟.研究了不同转速对高压动叶前缘冷却效果的影响,以及吹风比对高压动叶前缘气膜冷却效果的影响;给出了前缘、压力面、吸力面冷气射流的流动特征;分析了冷气喷射对高压动叶型面马赫数,型面压力的影响.最后探讨了高压动叶吸力面后部70%轴向弦长处冷气喷射对高压动叶通道内波系结构的影响.     

APPROXIMATE B.S. WAVE FUNCTIONS FOR AN ELECTROMAGNETIC BOUND SYSTEM OF SPINS (1/2, 1/2) OR (1/2, 1/2) WITH UNEQUAL MASSES

The Bethe-Salpeter equation for an electromagnetic bound system of spins (1/2—1/2) or (1/2—1/2) with unequal masses are solved in this paper. The approximate B.S. wave functions for these systems are given. Utilising these wave functions, the decay rate and branching ratio for Ξ⁰→(Σ⁺μ^－)+v_μ are calculated with accuracy up to order O(α). The results are wΞ⁰→(Σ⁺μ^－)+v_μ1.12(1/sec) and R=[wΞ⁰→(Σ⁺μ^－)+v_μ]/[wΞ⁰→(Σ⁺μ^－)+v_μ]4.7×10^-7. Similarly, the process Λ→(pμ^－)+v_μ is also discussed.