硅集成器件工艺中的二次缺陷

本文从硅材料质量与器件关系研究入手，对工艺中发现的滑移位错、失配位错、热氧化堆垛层错，以及微缺陷等几种二次缺陷进行了研究，并试图对它们的性质、工艺中的变化、产生原因及消除办法进行归纳，以便对有关工作有所裨益。     

As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为

研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.     

硅中注入氢后形成的稳定性缺陷

本文对硅中注入质子(氢离子)所形成的缺陷进行了研究,发现注入氢的硅先经600℃处理较长时间后,再经高温处理可形成热稳定性很大的缺陷,而同样条件的样品直接经高温处理后,则看不到形成的稳定性缺陷,这说明600℃的长时间退火对形成的稳定性缺陷起着关键的作用.     

MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模

小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应,需要二维模型描述,本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型,模型是横向场Ｅｒ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数,二维分布模型截有较充分的物理过程,可以基本反映电流密度的实际分布,模型可应用于与电流路径相关的ＭＯＳ器件特性的研究,特别重要的应用领域是ＭＯＳ热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模,选和深亚微米ＭＯＳ器件的横向场     

电力系统二次设备检修技术缺陷及对策

因近年来的智能化二次设备的大量投入,使二次检修工作在调度和执行等方面都出现了一系列的问题,这些问题多数都是因为我们的检修技术不足以跟进智能化二次设备的电网中的部署。本文对主要的二次设备检修问题进行了分析,并且提出了处理措施。     

含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征

氧沉淀吸杂工艺的应用使直拉硅中氧的沉淀及伴生缺陷的形成及其微观结构成为热门的研究课题。氮因有钉扎位错,增加硅片强度的作用而引起重视,并在实际应用中收到了良好的效果,本工作用TEM和HREM研究了氮在直拉硅中沉淀相及其伴生缺陷的特征,并和不含氮的样品进行了对比。所用材料为N型无位错直拉硅单晶,含5.5×10~(17)cn~(-3)的氧和8.4×10~(15)cm~(-3)的氮,经过450℃64小时+750℃223小时+1050℃3小时三步退火处理。IR分析表明此时样品中53％的氧和100％的氮已消失,样品减薄到3μm后,用Ar~+减薄成电镜试样,在JEM-200cx上进行TEM和HREM观察。     

Si+自注入Si晶体中缺陷分布的计算模拟

在两体近似碰撞模型基础上,采用SRIM程序对自注入硅离子及其造成的损伤在样品的分布进行了研究,模拟了Si<'+>自注入si晶体的Si<'+>深度分布几率和注入时的能量传递.计算结果表明:在相同注入能量的情况下,注入Si<'+>的分布概率是恒定的,在注入过程中电离能是阻止Si<'+>进一步深入的主导因素.论文还初步讨论了注入剂量和退火温度对发光强度的影响,以及W缺陷的可能形成原因.     

基于二次谐波注入的Doherty功率放大器

针对传统Doherty放大器在提高效率后会恶化线性指标的关键问题进行了分析与讨论。提出了一种基于二次谐波注入（SHI）的Doherty结构。采用GaN功率管CGH21240的仿真模型,设计了一款Doherty功率放大器。仿真结果显示,该放大器的效率在输出大于50dBm后可以达到47％以上,比平衡式放大器改善约15％;三阶交调在输出为53dBm时仍低于-30dBc;在输出为50dBm时,比未采用二次谐波注入改善约10dBc。该放大器结构简单,且实现了效率和线性的同时改善。