点价δ^v的改造及其对AnBm型过渡元素化合物△fHm^Φ的相 …

定义了有效价电子数Ｚｉ，引入了成键电子数ｍｉ，并对分子中原子点价δ＾ｖ重新定义为δｉ，用δ＾ｖ和δｉ构成的分子结构参数Ｘ＾ｖ和Ｘ对３３个ＡｎＢｍ型过渡元素卤化物标准生成焓的相关性研究表明，要关系数分别为０．９０９９，０．９４００。在δｉ中如用价电子数Ｚｉ代替Ｚｉ，则相关系数仅为０．９２３５。     

改进了的价连接性指数及其应用实例：δi和δ^v在结构／性质相关 …

对价连接性值δ＾ｖ实行了改造，重新定义了价连性值δ＾－ｉ，认为分子中某一原子的特征数值δ与某原子的价电子数，成键电子数，价电子层的最高主要量子数有关，对于碳氢体系，顶点的连接度，δｖ，δｉ具有相同的数值，对于含杂原子体系，δ具有更大的适用范围，给出两个例子论证之，同时，δ，δｉ具有相似的定义形式，所以由δｖ构成的各级价连接性指数＾ｍＸ＾ｖｉ的方法可以完全移植过程，由δ构成的拓扑指数记为＾ｍＸｉ作为     

N(~4S_u) CH(a~4∑~-)体系的分子反应动力学研究

用轨线法对Ｎ（４Ｓｕ）＋ＣＨ（０，０）→ＣＮ（ｖ′，Ｊ′）＋Ｈ（２Ｓｇ）和Ｎ（４Ｓｕ）＋ＣＨ（０，０）→ＮＨ（ｖ′，Ｊ′）＋Ｃ（３Ｐｇ）反应进行计算，研究了两个反应的阈能、反应截面、产物散射分析和微观反应机理     

Si／Ge应变层异质结带的价带偏移理论计算

在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中，建议一种以平均键能为参考能级的△Ｅｖ值理论计算方法，该方法在Ｓｉ为衬底，以Ｇｅ为衬底和自由共度生长等３种不同应变情况的Ｓｉ／Ｇｅ异质结价带偏移△Ｅｖ值计算中，分别得到０．７３１ｅＶ，０．２４３ｅＶ和０．５２１ｅＶ的计算结果。     

用原子势模型理论对碱金属原子能级和精细结构的研究

用最弱受约束电子势模型理论方法，研究了碱金属原子的能级和精细结构的表达式．由实验给出的精细结构间隔数据，得到了一组既适合精细结构计算，又适合能级计算的有效量子数ｎ′和有效电荷数Ｚ′，使二者的计算统一在同一组ｎ′和Ｚ′之下．     

KrFH体系的势能函数与反应动力学研究(Ⅰ)基态KrFH的分析势能函数

使用ａｂｉｎｉｔｉｏ计算ＨＦ／ＬＡＮＬ２ＤＺ方法优化出了基态ＫｒＨＦ为Ｃ∞ｖ结构，而基态ＫｒＦＨ为Ｃｓ结构，同时，计算了平衡几何和离解能，并用ａｂｉｎｉｔｉｏ计算ＭＰ２／ＬＡＮＬ２ＤＺ方法计算了谐性力常数。应用多体项展式法导出了ＫｒＦＨ（Ｘ１Ａ′）体系的分析势能函数，研究了势能面上的主要特征     

i线投影光刻曝光系统的光学设计

叙述具有同轴对准特性的光学投影物镜双远心结构和均匀照明光学系统原理。为了满足ｉ线光刻所需的光学传递函数要求，讨论了光刻分辨率和数值孔径的关系。设计了一种新的双远心投影物镜，其数值孔径ＮＡ＝０．４２，放大倍率Ｍ＝－１／５，像场尺寸１５ｍｍ×１５ｍｍ（直径２１·２ｍｍ），共轭距Ｌ＝６０２ｍｍ。用光学设计程序ＺＥＭＡＸ－ＸＥ计算此ｉ线物镜的像质。设计结果说明，整个视场内波差＜λ／４，ＭＴＦ＞０．５５，当空间频率为７１５ｐａｉｒｌｉｎｅｓ／ｍｍ，使用波长为３６５士３ｎｍ时。可以实现０．７μｍ光刻分辨率；照明均匀器，由８１个小方型透镜组成一方列阵。用本文模拟计算软件ＯＰＥＮＧ计算被照像平面上的光能分布，说明实际系统的照明不均匀性为土２％。     

三角形弯晶单色器的分光及聚焦特性研究

北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）的４Ｗ１Ｃ光束线用斜切角为１２．１６°的三角形Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（２２０）和Ｓｉ（４２２）晶体在衍射角为２３．６５°时选择０．２５２ｎｍ、０．１５４ｎｍ和０．０８９ｎｍ波长的单色Ｘ光．三角形晶体压弯成柱面，可实现单色光水平方向的聚焦，为漫散射实验站提供聚焦的单色Ｘ光．解析计算和ＳＨＡＤＯＷ软件包进行追踪的结果与实验测试结果符合得很好．     

超声射流冷却SO2^—A2—^1A1激光诱导荧光激发谱

测得了３１５￣３３０ｎｍ超声射流冷却下ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１激光诱导荧光（ＬＩＦ）激发谱，获得了７个有明显Ｋ结构的Ｃ型跃迁的转动子带分辨谱，并将７０个转动子带归属为（１，ｍ，１）－（０，０，０）和（０，ｎ，１）－（０，０，０）（４≤ｍ≤７，８≤ｎ≤１０）的跃迁带系。光谱分析得到ＳＯ２＾１Ａ２－＾１Ａ１跃迁的带源ｖ００、＾１Ａ２态弯曲振动频率ｖ′２，非谐性常数Ｘ２２′分别为（２７９５０±５）、（２     

X射线衍射研究Bi2Sr2—yMyCuO6＋δ（M=La,Pr）晶体结构

作报道了用Ｘ射衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝ＬａＰｒ０．０＜ｙ＜１．０）系列单晶样品进行结构的研究，根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域，第一个区域的掺镧量在０．０＜ｙ＜０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ＝βｂ＋γｃ，第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ＜０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公     

石榴子石结构的变化规律

在石榴子石的晶体结构中，ＺＯ４四面体与ＸＯ８十二面体联结成链。各链沿Ｘ、Ｙ、Ｚ三个方向延伸，靠ＹＯ６八面体等联结形成晶体结构。结构中３种阳离子都位于特殊位置，只有Ｏ离子的坐标（ｕ、ｖ、ｗ）随成分而变化。这样，ｕ、ｖ、ｗ坐标值的变化就牵动着整个结构的变化。对于石榴子石链说来，沿链轴方向ＺＯ４四面体与ＸＯ８十二面体的坐标值比例随ｕ值而变化；链的偏转角随ｖ／ｗ值变化。而ＹＯ６八面体的扁平角则与ｕ、ｖ、ｗ     

苯乙酮类化合物的碳谱研究

本文分析了九个被羟基和和（或）甲氧基取代的苯乙酮类化合物的碳谱数据，首次提出了理论计算这类化合物芳环碳化学位移的计算公式以及羟基和甲氧基的取代参数。羟基的取代参数分别为：３０．４（Ｚ），－１３．２（Ｚ）（Ｚｍ）和－７．８（Ｚｐ），甲氧基的取代参数分别为：３０．５（Ｚｉ），－１４．１（Ｚｏ），０．６（Ｚｍ）和－７．２（Ｚｐ）。计算公式分别为：δＣ１＝１３７．３＋ΣＺδＣ４＝１３３．０＋ΣＺresume     

原子—分子离子反应N‘＋NH^＋（0,0）→N＋N’H＋（v‘,j’）的研究

由多体项展式法导出（ＮＮＨ）＾＋分子离子绵势能函数，用准经典轨线法研究了原子－分子离子反应Ｎ′＋ＮＨ＾＋（０，０）→Ｎ＋Ｎ′Ｈ＾＋（ｖ′，ｊ′）。结果表明，该反应为热中性有阈能的直接交换反应，阈能约为４８ｋｃａｌ／ｍｏｌ。依据对势能面的分析合理地解析了反应机理。     

分子束条件下NO（A,B,a）态产物的分支比研究

在相对碰撞平动能为０．０５ｅＶ的分子束实验条件下，研究了ＣＯ（ａ）＋ＮＯ（Ｘ）的Ｅ－Ｅ传能通道。通过测量观测区域的发射光谱，求得了反应物ＣＯ（ａ，ｖ）的相对振动布居。利用计算机模拟传能产物ＮＯ（Ａ－Ｘ）和ＮＯ（Ｂ－Ｘ）的发射光谱求得了它们初生态的相对振动布局、转动温度以及传能通道的分支比γ／β１．３±０．３。同时提出传能是经过中间复合物ＯＣＮＯ过程可用电子是进行了解释。利用ＮＯ（Ｂ＾２П，ｖ′＝０     

X射线衍射研究Bi_2Sr_（2－y）M_yCuO_（6＋δ）（M＝La，Pr）

作者报道了用Ｘ射线衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝Ｌａ，Ｐｒ，０．０≤ｙ≤１．０）系列单晶样品进行结构研究的结果．根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域．第一个区域的掺闭量在０．０≤ｙ≤０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋γ１ｃ．第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ≤０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋ｃ．第三掺杂区的掺镧量在０．６０＜ｙ≤１．０之间，晶体的平均结构转变为另一单斜结构，在这一区域有两类调制结构共存．第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似；第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化，调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一．对于Ｂｉ２（Ｓｒ１．２Ｌａ０．８）ＣｕＯ６＋δ单晶，其第二类调制波矢为ｑ２＝０．１２２ｂ＋０．４３ｃ．     

取代环戊二烯基铬,钼或钨羰基物和有机铁硫砷簇合物UV—VIS…

通过对三种类型十个有机族合物在十种有机溶剂中紫外－可见光谱的测试及计算机辅助处理，得到了族合物在一些溶剂中ＵＶ－ＶＩＳ谱ＣＴ带的ｖｍａｘ／ｃｍ＾－１和溶剂极性参数（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋１），Ｚ值之间存在着好的性关系，其相关系分别到了０．９８４－０．９９０。本文还对ＣＴ带的ｖ／ｃｍ＾－１和（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋），Ｅｔ（３０）进行了二元线性回归处理，得到了更好的线性关系，相关系数为０．９     

势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07／Si／Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数

采用包络函数方法对生长在Ｇｅ０３Ｓｉ０７（００１）衬底上势垒区δ掺杂量子阱Ｇｅ０３Ｓｉ０７／Ｓｉ／Ｇｅ０３Ｓｉ０７的电子能带结构及子带间光吸收特性进行了自洽的计算．对光吸收系数与量子阱的阱宽、δ掺杂位置及δ掺杂密度间的变化关系进行了讨论．最后对由高浓度的二维电子气的退极化效应所引起的频率位移进行了研究     

~(14)N~(16)O分子X~2Π_(3/2)R(1.5)v=0→1及~(15)N~(16)O分子X~2Π_(3/2)Q(1.5)v=0→1跃迁的FLMR光谱

本文采用法拉弟效应的激光磁共振光谱技术，研究了－氧化氮分子１４Ｎ１６ＯＸ２Π３／２Ｒ（１．５）ｖ＝０→１和同位素分子１５Ｎ１６ＯＸ２Π３／２Ｑ（１．５）ｖ＝０→１跃迁的ＦＬＭＲ光谱，实验给出了样品浓度和信号强度之间的关系及调制磁场强度与ＦＬＭＲ信号强度之间的关系。     

^14N^16O分子X^2П3＼2R（1.5）v=0→1及^15N^16O分子X^2П3＼2Q（…

本文采用法拉弟效应的激光磁共振光谱技术，研究了一氧化氮分子＾１４Ｎ＾１６ＯＸ＾２П３／２Ｒ（１．５）ｖ＝０→１和同位素分子＾１５＾１６ＯＸ＾２П３／２Ｑ（１．５）ｖ＝０→跃迁的ＦＬＭＲ光谱，实验给出了样品浓度和信号强度之间的关系及调制磁场强度与ＦＬＭＲ信号强度之间的关系 。     

淬火和制备工艺对Bi（Pb）－2223相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响

本文通过透射电子显微镜观察、超导电性测量、Ｘ射线衍射、氧含量测定等手段研究了淬火和制备工艺对Ｂｉ（Ｐｂ）－２２２３相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响．结果表明，随着淬火温度的提高，Ｔｃ（０）呈现一个不连续的变化，在１００－４００℃范围内，Ｔｃ（０）基本不变，在５００－６００℃，Ｔｃ（０）略有升高，在７５０℃．Ｔｃ（０）呈现一个极小值．在５００—６００℃淬火处理可以增加样品中的氧含量，具有Ｔｃ（０）近１１０Ｋ的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋６的最佳氧含量在δ＝０．１４—０．２９之间．在８００—８２０℃淬火处理可以改善样品晶粒间的弱连接状态，而样品的弱连接和微结构与阳离子和氧的组成及其制备工艺密切相关．