Cs134的衰变

本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs¹³⁴(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16％),410(5％),652(64％)和683(15％)千电子伏;它们的相应的logft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba¹³⁴的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E     

β–NMR和β–NQR谱仪的建立

介绍了在中国原子能科学研究院建成的我国第一台βNMR及βNQR谱仪.进行了¹²B的寿命、磁矩和极化度的测量,实验结果表明谱仪工作可靠     

τ轻子Michel参数测量中的电子识别方法

北京谱仪(BES)合作组通过τ→eνν衰变的电子能谱测定Michel参数,本文利用BES在质心系能量4,03GeV处获取的e⁺e^－对撞数据,通过BES给出的带电粒子dE/dx、β、E/p测定值及其适当组合,实现了电子的有效识别.     

Gd159的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅱ)

本工作使用高透射率带铁中间象式β谱仪和闪烁谱仪,测量了浓缩同位素纯Gd¹⁵⁹(半衰期为18小时)的β连续谱,γ射线谱,γ-γ和β-γ符合谱。用磁谱仪观察到3个β分支的能量和相对强度的百分比为962(60.6％),800(15.1％)和600(24.3％)千电子伏;它们相应的log ft是6.7,6.9和6.4。在β-γ符合能谱测量中,除观察到上述3个β分支外,还定出端点能量为440千电子伏的β分支。此外,还定出Tb¹⁵⁹的10条γ跃迁的能量和部份γ跃迁的多极性:27,56(M1),80(M1+E2),107,136(M1),198,225(E1+M2),362(E1)和468千电子伏。内转换系数的测量肯定了362千电子伏γ射线的幅射多极性为E1型。在测量结果的基础上拟出Gd¹⁵⁹的衰变纲图。最后并将Tb¹⁵⁵,Tb¹⁵⁷, Tb¹⁵⁹和Tb¹⁶¹的能级数据综合在一起,利用综合模型来比较它们之间核结构的相似性。     

Yb169的衰变——稀土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅰ)

本工作用有铁双聚焦β谱仪、双磁镜β谱仪和γ闪烁谱仪测量了Yb¹⁶⁹的γ射线的内转换和外转换电子线谱、γ闪烁谱和γ-γ符合能谱。定出了Tm¹⁶⁹的14条γ射线的能量和多极性:8.8,20,21,43,63.7(E1),93.9(M1),111(M1),120(E2),131.8(E2),177.5(M1),198(M1),199(M1),240和308(E2)千电子伏。并用正比计数管测量了能量为8.8千电子伏的低能γ射线。在测量结果的基础上拟出Yb¹⁶⁹的衰变纲图。最后将Tm¹⁶⁹与Tm¹⁶⁷,Tm¹⁷¹激发能级的实验数据综合一起,来看它们之间核结构的相似性,并与综合模型所预言的结果相比较。     

Tb160的衰变—希土元素大变形核的激发能级的研究(Ⅲ)

本文叙述用双磁镜β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁谱学技术来研究Tb¹⁶⁰(半衰期为72天)的衰变。定出了五个β分支,其能量、强度和logft值分别为274千电子伏(9％)7.9,464千电子伏(14％)8.5,562千电子伏(42％)8.1,868千电子伏(34％)8.9,1740千电子伏(0.4％)11.9。确定了二十七条γ射线,其中九条高能量γ射线是新观察到的。按照γ-γ级联关系和γ射线的能量定出了Dy¹⁶⁰的十四个激发能级,其能量、自旋和宇称分别为86.6(2+),283.5(4+),965.7(2+),1048(3+),1198(1—),1264(2—),1287(3—),1358(3—),1398(3—),1566,1591,1658,1696,1721千电子伏。最后就Dy¹⁶⁰核的激发能级的特性及其运动形态加以讨论。     

真空蒸发法制备放射源

在β谱学的研究中,经常需要薄而均匀的放射源。为此目的,我们设计了一套真空蒸发制源装置,并用它制出了In¹¹⁴,Au¹⁹⁸和Sm¹⁵³的放射源。为了说明问题,我们分别用液滴蒸发和真空蒸发法制备了In¹¹⁴的放射源,用双磁镜和双聚焦β谱仪测量了它们的内转换能谱,并对它们的结果进行了比较。可以看到,真空蒸发法制备源的优点是明显的。此外,也给出了双聚焦β谱仪测量的Sm¹⁵³69.67千电子伏γ射线的K,L_Ⅰ,L_Ⅱ和L_Ⅲ转换电子线以及Au¹⁹⁸411.84千电子伏γ射线的K转换电子线。     

基于阈值光电子-光离子符合技术的分子离子光谱和解离动力学研究

对电子和离子同时采用速度聚焦电场收集的阈值光电子-光离子符合成像谱仪能够有效提高电子的收集效率和能量分辨率.利用该符合成像谱仪,开展了Xe/Ar/Ne 惰性混合气体及NO 分子的阈值光电子谱、阈值光电子-光离子符合质谱和质量选择的符合光谱等实验研究,精确测量了NO 分子的电离势,并且获得了NO⁺离子振动态分辨的X¹Σ⁺,c³Π和B^{1相似文献}   

磁β谱仪中弱磁场分布的测量

利用二次谐波磁通门磁强计测量了一台低能有铁双聚焦β谱仪的弱磁场(磁感应强度约10高斯)分布, 相对测量精度好于±0.05%. 这台谱仪用于氘β衰变β谱的测量, 以进一步测定电子反中微子的静止质量.     

Al激光等离子体电子温度的时间分辨诊断

 将门控分幅相机与平面晶体谱仪耦合，构成时间分辨光谱测量系统，对Al激光等离子体的K壳层发射谱进行测量，获得了相对入射激光延迟约1ns，积累时间约200ps的光谱信号。利用稳态碰撞-辐射平衡（CRE）近似条件下的等离子体光谱辐射动力学模型，给出了Al激光等离子体Ly-β线与He-β线强度比以及Ly-γ线与He-γ线强度比与电子温度的函数关系。在此基础上，根据实验谱线强度比，得到激光强度为2.319×10¹⁴，1.937×10¹⁴和3.946×10¹⁴ W/cm²时，等离子体冕区电子温度分别为1.190(1±27%)，1.165(1±27%)和1.525(1±27%)keV。     

简易180°聚焦β谱仪

本文描述一台简易的180°聚焦β谱仪。谱仪的电子运动轨道平均半径是100mm,谱仪的均匀磁场是由单轭磁铁所产生的。D形真空室高70mm,利用磁极面作为底盖,用橡皮垫圈密封,谱仪的磁场测量采用“零点测磁仪”,测磁仪的心脏部分是一个偏心地安装在张紧的钨丝上的小的测量线圈,要使线圈在磁场中保持某一特定方向,就得使通过线圈的电流随着磁场的变化而作相应的改变,使得电磁作用所产生的力短和作用于线圈的机械力矩相平衡。因为重力矩固定不变,通过线圈电流的大小将和磁场强度成反比,测量所得电流读数可以作为磁场强度的度量,包括磁场测量在内谱仪测量总的线性和重复性都在0.1％左右。经过调整和改进以后,谱仪目前的最好的分辨率是0.7％,那是利用源宽0.8mm的Hg¹⁹⁸K内转换谱线测得的。对于源宽2mm的Ba¹³⁷K内转换谱线我们测得的谱仪分辨率是0.9％。谱仪的主要优点在于它的简易。     

北京谱仪(BESⅡ)的飞行时间计数器(TOF)蒙特卡罗模拟的改进

北京谱仪Ⅱ经过1995年升级后,其TOF系统对Bhabha事例的电子时间分辨率是180ps^[1],相对北京谱仪Ⅰ的330ps有了很大的改进.随着硬件性能的提高,其相应的软件系统(包括刻度,重建),特别是蒙特卡罗模拟,也必须作相应的改进.本文利用北京谱仪Ⅱ已获取的5000万J/ψ数据,对飞行时间计数器的时间分辨率进行认真的研究,通过比较现有的模拟数据和真实数据的结果,对飞行时间计数器的模拟进行改进,最后给出改进后的模拟数据和真实数据的比较结果,两者符合得很好.     

Ar+17和 Ar+16谱线的电子碰撞展宽

利用修改后伦敦理工大学的UCL扭曲波程序, 本文计算了自由电子与原子或离子的碰撞反应矩阵, 以此得到它的散射矩阵和碰撞强度.利用碰撞强度, 研究电子碰撞对辐射谱线影响.具体地, 以Ar⁺¹⁷和Ar⁺¹⁶的α线和β线为例, 计算了不同电子温度和密度下谱线的展宽和位移.     

用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量

以¹⁹²Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(⁷Be)、5.11852.70±0.58eV(¹⁰⁶Ru)、514004.87±0.52eV(⁸⁵Sr)、520399.01±0.63eV(⁸³Rb)、529594.48±0.69eV(⁸³Rb)和552551.14±0.68eV(⁸³Rb).用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合.     

中子与9Be和6,7Li反应的次级中子发射谱实验研究

测量了8.17MeV与10.27MeV中子与⁹Be和^6,7Li作用的次级中子双微分截面. 对于10.27MeV, 为了消除从D(d,np)破裂反应来的源破裂中子对双微分截面测量结果的影响, 采用了常规多探测器快中子飞行时间谱仪和非常规多探测器快中子飞行时间谱仪相结合的办法. 用Monte-Carlo方法对实验测量得到的飞行时间谱进行了详细的模拟, 通过测量谱与模拟谱的比较, 得到了实验测量的次级中子双微分截面. 实验测量结果以n-p(常规谱仪)和n-C(非常规谱仪)弹性散射微分截面作为归一. 测量结果与评价数据以及其他测量数据进行了比较. 用一个基于Hauser-Feshbach和激子模型的轻核核反应理论模型对^6,7Li的次级中子双微分截面进行了计算, 理论计算结果与实验结果符合得较好.     

τ衰变中米歇尔(Michel)参数的测量

分析北京谱仪(BES)收集的4.03GeV质心系能量下e⁺e^－对撞数据,选出e⁺e^－→τ^±τ⁺→e^±X⁺v′S事例,X^±可以为μ^±,τ^±,ρ^±,拟合τ→ev′s中电子的能谱,得到τ→ev′s中Michel参数为ρ_τ→e=0.705,此结果与标准模型的预言相符合.     

4π△Eβ探测器的建立及其在丰中子核素研究中的应用

建立了一台4π△E_β探测器,它具有很好的时间响应性能,它的上升时间为8ns.利用4π△E_β-γ符合的技术使缺中子核素中来自电子俘获的γ线强度受到了很大的抑制,而对以100%β-方式衰变的丰中子Hg同位素的γ线具有60%的符合探测效率.将该探测器用于¹⁸O十²⁰⁸Pb的实验中,使康普顿本底水平大大降低.     

e/π识别的dE/dx方法在北京谱仪τ重轻子质量测量中的应用

本文介绍了北京谱仪(BES)主漂移室(MDC)e/π识别的dE/dx方法在τ重轻子质量测量中的应用.该方法的应用使得对τ⁺τ^－衰变产生的“eμ”事例的标记效率,比仅用传统的电磁簇射信息标记时提高了3倍以上.效率的提高不仅减少了事例丢失,还使得为找到同样多的τ⁺τ^－事例所需要的谱仪和对撞机运行时间和数据离线处理所用的计算机CPU时间均减少了～75%.     

激光间接驱动内爆靶丸的X光诊断

 报道了神光Ⅱ激光聚变实验中内爆燃料靶丸区电子温度、电子密度以及燃料面密度的X光诊断结果。在电子温度诊断中，采用X射线光谱学方法，根据聚变靶丸燃料区的Ar示踪元素的Ly-β线与He-β线的强度比推断出靶丸燃料区电子温度为(950±100) eV；在电子密度诊断中，利用靶丸燃料区Ar元素的He-β线Stark展宽确定聚变靶丸芯部的电子密度为(0.9±0.2)×10²⁴ cm^-3；在燃料区面密度诊断中，利用X光单能照相技术获得了内爆靶丸的燃料面密度为（3.2±0.5） mg/cm²。     

中性和带D介子单举半轻子(电子)衰变分支比的测量

利用北京谱仪(BES)在北京正负电子对撞机(BEPC)e⁺e^－对撞质心系能量为4.03GeV处收集的积分亮度为22.3pb^－1的数据,测量了带电及中性D介子的单举半轻子(电子)衰变的分支比.分析中采用了“联合D⁰和D⁺单双标记”的方法,测得D^－和D⁰单举半轻子(电子)衰变的分支比分别为BF(D^－→e^－X)=(21.8±8.5±4.2)%,BF(D⁰→e^－X)=(8.9±3.0±1.6)%,其相对比值为BF(D^－→e^－X)BF(D⁰→e^－X)=2.4±1.7±0.8.