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本文描述了一个用于中能(20—100MeV/u)重离子核反应研究的高质量分辨带电粒子望远镜探测器.该望远镜由三片全耗尽硅半导体ΔE探测器(130μm+1580μm+5000μm)和一块10×10×30mm3CsI(Tl)闪烁体(光二极管读出)E探测器组成,具有高能量分辨、高质量分辨(对12C ΔA/A=25%FWHM)、大能量范围(对于α粒子为16—350MeV)等特点,能较好地用于中能核反应研究中类弹碎片和轻粒子的同位素鉴别与能量测量. 相似文献
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用光二极管读出的CsI(Tl)闪烁探测器和多叠层硅望远镜,测量了46.2MeV/u 12C引起各种靶64Ni、58Ni、12C、197Au、209Bi反应中所发射的轻粒子和中等质量碎片,这些探测器对轻粒子和中等质量碎片有很好的能量分辨和质量分辨.单举的能谱用运动源模型进行了分析,对各种靶在不同角度的中等质量碎片的产额进行了比较.由单举数据推出同位素产额比随靶质量变化的系统性,讨论了N/Z自由度的平衡. 相似文献
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描述了一种用于中能重离子核反应实验研究的大动态范围双维位置灵敏多叠层探测系统.该探测系统由纵向电场气体电离室(IC)、大面积双维位置灵敏穿透型Si探测器(PSSD)、大面积Si光敏二极管(SPD)和用光二极管读出的16单元CsI(Tl)闪烁体探测器阵列组成.用a放射源Am(5.486MeV)测得的IC、PSSD的能量分辨率分别为3%和2.6%.在25MeV/u 40Ar诱发的核反应中,探测到的a粒子的能量动态范围为2—130MeV,此探测系统清楚地分辨出Z=2到Z=21的元素,对Z=18的Z分辨本领Z/△Z≈44.5,位置分辨为0.86±0.03mm(FWHM). 相似文献
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25MeV/u 40Ar+93Nb反应中热核的激发能和核温度 总被引:1,自引:1,他引:0
利用半导体望远镜探测器和PPAC对25MeV/u 40Ar+93Nb反应中的带电粒子和余核进行了关联测量,对所得α粒子能谱用三源模型进行了拟合,并由余核飞行时间和粒子多重性得到热核激发能.通过对温度的修正,发现在本实验中有激发能E*/A为4.3MeV,温度Tinit为6.9MeV的热核形成.通过与其它实验结果的对比可以看出核物质在轻系统和重系统中行为的差异. 相似文献
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利用能量为85—105MeV的16O束流,通过187Re(16O,5n)反应研究了198Bi的高自旋态能级结构.用6台BGO(AC)HPGe探测器和一台用于探测低能γ跃迁的平面探测器进行了γ射线的激发函数、γ-γ—t符合及γ射线的角分布测量.基于这些测量,首次建立了包括26条γ跃迁的198Bi的高自旋能级纲图,确定了一个半寿命为(8.0±3.6)ns,自旋和宇称为15+的同质异能态.基于较重的双奇铋核200—206Bi能级结构的系统性,定性地对198Bi的能级结构进行了解释. 相似文献
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描述一种可用于兰州放射性束流线(RIBLL)上的ΔE探测器——横向场气体电离室. 对其性能进行了测试, 包括它的坪曲线、探测效率和能量分辨. 测试结果显示, 在混合气Ar(80%)+CO2(20%)的不同气压下, 此电离室具有较长的工作坪区, 较小的坪斜. 相对于Si的探测效率为99.31%.在118mbar的气压下, 对能损为4.94MeV的α粒子, 其能量分辨率为3.25%. 并在RIBLL上利用50MeV/u的58Ni轰击Ta靶的实验中进行了在束应用. 相似文献
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新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能 总被引:1,自引:1,他引:0
研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了241Am 5.48MeVα粒子、57Co 122keV的光子和90Sr 2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过137Cs 662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率.测量结果显示这种新型金属─半导体─金属(MSM)结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力,而且具有很好的抗辐照性能. 相似文献
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用屏栅电离室测量了入射中子能量为5.1MeV的58Ni(n,α)55Fe核反应的α粒子角分布,238U裂变电离室作中子注量率的测量,测得该能点58Ni(n,α)55Fe的总截面为(47.4±5.0)mb.用中国核数据中心推荐的理论计算程序UNF计算了在1—8MeV能区58Ni(n,p)58Co,58Ni(n,α)55Fe的反应截面和入射中子能量为5.1MeV的58Ni(n,α)反应角分布.理论和测量数据的比较说明,用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的. 相似文献