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实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型. 相似文献
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在半导体中首次鉴别激子隧道效应是从GaP∶N时间分辨激发光谱的研究中报导的。在这些材料中存在有一系列高达10个分立的辐射线。它是由束缚于附近等电子陷阱氮中的激子的衰减所形成的。在重掺杂(10~(18)-10~(19)N/cm~3)材料中这高能NN线由能量输运机构猝灭到低能线对。仔细地考虑可能的输运或猝灭过程,我们揭示出激子隧道效应是主要的。 相似文献
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本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaP:N LED''s老化过程中深能级的变化。老化条件为:在正偏直流I=800mA下室温老化约650小时。发现GaP:N LED在老化前只存在两个能级△Ex和△Ea,而在老化的过程中观察到一个新能级△Eb逐渐形成。结合老化前后测量的LED''s发光光谱、光通、C-V特性及CLI、EBIC和SEI结果,讨论了深能级在GaP:N LED老化过程中对发光效率和退化特性的影响,认为△Eb是限制GaP:N LED发光效率及退化特性的无辐射复合中心。 相似文献
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用化学腐蚀配合扫描电镜对几种不同来源的国产Gap:N液相外延材料及各自的衬度的位错密度Np和发光亮度进行了测量。结果表明:样品的发光亮度随LPE层的ND随低而升高,降低衬底的ND可降低LPE层的ND。 相似文献
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我们知道,如果用紫外线或X光照射激发含有少量外来碱金属离子的碱金属卤素晶体,则要另外产生(表征杂质离子的)发光。KBr晶体中添加的Na~ ,在紫外线的激发下,除了产生4.4eV(σ)及2.3eV(π)的本征发射带外,还在2.9eV附近产生一个强的发射带。这个发射保持到~100°K,在图1中画出了在10°K观测到的这个发射带。 相似文献
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在CdS等直接带材料中研究强激发的情况要比在Ge,Si等间接带材料中的同类研究远为富有启发。这是因为为了达到例如激子的可测出的非平衡浓度必须利用较高的泵浦能级。在通常的汽相生长CdS晶体中,在束缚激子线内产生激光,一般都出现自由激子浓度的积累,所以经常是连一个能形成激子的能级也达不到。 相似文献
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测量了GaP纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱,研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响.在老化后的发光光谱中观测到650nm和1260nm发光带,发现1260nm发光带的发光强度随老化时间的增加而增强.实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了GaP纯绿LED的发光效率. 相似文献
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变物性对微通道内流动与传热的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
分别采用入口物性、平均物性和变物性对Dh=0.333 mm、Re=101~1775的矩形微通道内层流流动与传热进行了三维流固耦合数值模拟.将不同方法下局部和平均流动与传热特性的计算结果与新近文献中的实验结果、常见关联式及近似理论解进行了对比分析.结果表明,与入口物性法相比,平均物性和变物性法均获得明显较低的fapp和较高的hz和Nuz.与平均物性法相比,变物性法在通道起始段具有更高的fapp Reave和较低的hz,而在后段具有较低的fapp Reave和较高的hz.Nuave的计算结果与Sieder-Tate关联式吻合良好,表明传统的宏观数学模型能够正确用于预测本文尺度和Re范围内微通道内的流动与传热特性. 相似文献
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光合作用原初过程中的电子转移 总被引:1,自引:0,他引:1
以用共价分子链连接而成的卟啉—醌化合物的发光研究结果为重点,综述了光合作用原初过程中电子转移问题研究的进展,讨论了相互作用的基团之间的间距和空间取向对分子中电子转移过程的影响,此外也指出了进一步研究中引起人们兴趣的几个问题。 相似文献
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离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在前期对多孔硅发光机理研究的基础上,研究了离子注入对多孔硅光致发光的影响.实验表明离子注入除了可以降低多孔硅光致发光的强度外,还将使多孔硅的光致发光光谱谱峰产生蓝移、半高宽展宽,并在多孔硅发光谱带中产生一些发光减弱区和次峰结构.文中最后对实验现象做了解释. 相似文献
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《Journal of Macromolecular Science: Physics》2013,52(4-6):1091-1104
The influence of cooling rate from the melt on the polymorphism and crystallinity is investigated as a function of isotacticity and stereo-defect distribution in polypropylenes. Detailed analysis of wide angle x-ray diffraction patterns shows that crystallinity in the materials used is nearly independent of the experimental cooling rates (0.5–40°C/min). At high cooling rates, the materials exist mainly in the α-phase, whereas the amount of the γ-phase increases at the lower cooling rates. With an increasing amount of stereo-defects, this cooling-rate dependence of the polymorphism is enhanced. The effect of different stereo-defect distributions, as observed in metallocene-(random) and Ziegler–Natta (blocklike) derived isotactic polypropylenes, was investigated. The formation of the γ-phase is more prevalent in materials with a random defect distribution compared to the materials in which the stereo-defects have a blocklike distribution. The crystallinity decreases more rapidly as a function of the tacticity in the random defect-distributed materials. 相似文献
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1前言陶瓷坯体在烧成过程中的温度场和热应力场,是影响制品烧成质量的主要因素。尽管三维热应力的数值分析在其他领域内已经得到一些应用,但在陶瓷烧成的热应力分析领域却还未发现,随着对产品质量的越来越关注,人们已逐渐地把目光转移到陶瓷坯体烧成过程的研究中,一方面为了探讨坯体烧成中的变形机理、探讨陶瓷材料物性参数及力学参数对坯体烧成中热应力的影响,另一方面为了寻找制品的最佳烧成曲线,摆脱长期以来受经验所制约的情况,以期以最短的时间烧制出符合质量要求的最佳产品,达到节能、高产和低能耗的目的,这些需求使得对生… 相似文献
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壁面对纳米管轴向导热影响的MD模拟与分析 总被引:3,自引:1,他引:2
纳米管是一种有着广泛应用前景的纳米材料,作为初步研究,本文采用非平衡分子动力学模拟方法和LJ势函数研究了氩结构纳米管的轴向热导率随着纳米管的温度、厚度和长度的变化,并对结果进行了分析。研究表明:在温度为12-60K的范围内,纳米管的轴向导热率随着温度的升高先上升,然后很快下降,再比较缓慢下降。氩纳米管的轴向导热率随着壁厚的增加先是基本不变,然后出现一个极大值。本文分析了产生极值的原因。 相似文献