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应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀。朗缪尔探针诊断结果表明 :射频电源功率为 2 0 0 W时 ,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达 6.71 70× 1 0 1 0 cm- 3。以 CCl F2 为刻蚀气体 ,进气流量 2 m L/min,RF功率 2 0 0 W,等离子体反应刻蚀运行气压 7.98Pa时 ,对 In Sb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀 ,获得刻蚀图形 ,宽深比为 5 相似文献
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借助SIMS、AES、RBS和TEM对Be注入InSb的快速热退火特性进行了深入的研究.Be注入能量为100keV,注人剂量为5×1014cm-2.快速热退火温度范围为300—500℃,退火时间为30—60秒.结果表明,快速退火后,Be注入分布剖面的内侧不存在再分布,但峰值浓度有不同程度的降低,表面存在Be的外扩散.350℃退火,Be注入InSb的晶体损伤基本消除,InSb表层不存在化学配比的偏离.退火温度超过350℃,InSb表层发生热分解,产生Sb的耗尽,形成由In、Sb及其氧化物组成的复杂结构. 相似文献
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本文介绍采用(211)方向生长的InSb晶体,在均匀性方面有明显的改善,用此晶体制造的3~5μm光伏探测器组件,有优越的性能,该产品已提供用户使用8年之久,性能一直保持稳定。 相似文献
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本文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况,并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求,另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互连及测试工作。最后介绍了器件的测试结果及一些应用情况。 相似文献
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本文简要介绍用箱法扩散成结,蒸发SiO_2钝化表面和金属化层作欧姆接触,热压焊等类似Si集成电路工艺研制的InSb多元红外探测器的情况,获得了高阻抗、无串扰的线列器件。并就工艺对串扰和均匀性的影响进行讨论。 相似文献
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本实验选择较轻元素镁和较重元素锌对n~-InSb进行离子注入,用LSS理论估算了注入离子浓度和结深,结合霍耳测量结果就理论值与测量值的差异进行分析,提出实验中存在的注入离子反射损失率问题,考虑了离子反射损失的修正并估算了几个样品的有效注入离子的掺杂效率。 相似文献
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利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70~90 nm/min,刻蚀台阶垂直度~80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23 μm×23 μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 相似文献
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进行了InSb中Be注入成结实验研究。得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守I0eqv/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1 V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1 V时反向电流密度为3.9×10-6A/cm2,优值因子R0A为1.89×105Ωcm2。经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平。 相似文献
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感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是目前国际制备InSb台面结型焦平面阵列技术的主流技术之一。文章研究采用ICP刻蚀技术,以CH4/H2/Ar刻蚀气体体系对InSb材料进行干法刻蚀时刻蚀气体体系中Ar气体积组分对材料刻蚀形貌及器件性能的影响。实验方案设置为在控制其他实验变量相同的情况下设置不同Ar气体积分数的刻蚀气体体系对InSb材料进行台面蚀刻,通过扫描电子显微镜(SEM)、激光共聚焦显微镜考察台面刻蚀形貌,通过I-V测试得到的器件性能结果考察刻蚀损伤情况。从实验结果得到,Ar体积占据总气体体积的30%~35%时台面刻蚀形貌良好,表面损伤轻,器件性能良好,刻蚀工艺满足要求。 相似文献