含左手材料异质结构光子晶体的零平均折射率带隙的展宽

运用光学传输矩阵理论,研究了含左手材料一维二元光子晶体的禁带特性.提出了含左手材料的光子晶体异质结构中零平均折射率带隙展宽的方法.根据此方法设计的异质结构的光子晶体形成的零平均折射率带隙,与一维光子晶体零平均折射率带隙相比,零平均折射率带隙的宽度和相对带隙宽度可以得到显著的拓宽.而且它的零平均折射率带隙的边缘与TM波和TE波相关.这种特性在微型谐振腔、天线基片、同轴波导等方面都具有潜在的应用.     

含特异材料的光量子阱频率特性研究

基于传输线加载集总元件的方法制备光量子阱. 对阱内物质为光子晶体和左手材料两种情况下的传输特性进行比对. 结果表明局域模个数与阱内物质的周期数相同; 左手材料情况下光量子阱具有尺度小、 便于调节的优点.实验结果与理论结果相符合.     

零平均折射率带隙中离散模的实验研究

通过实验研究了零平均折射率带隙中离散模的传输特性.零平均折射率带隙存在于左手材料与右手材料交替形成的一维光晶体中.在实验中,左手材料与右手材料分别由左/右手复合传输线和右手复合传输线实现.实验结果表明,左手材料与右手材料的色散特性使离散模并没有按照理论上期待的"单点频"传输,而是彻底地覆盖了零平均折射率带隙.由于左手材料在本质上是色散的,因此该实验结论普遍适用于零平均折射率带隙中的离散模,即离散模的出现会使零平均折射率带隙消失.     

基于传输线技术的零平均折射率(zero-n-)带隙的实验研究

基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-n-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-n-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.     

基于传输线技术的零平均折射率(zero-)带隙的实验研究

基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.     

含负折射率材料并具有零平均折射率的半无限一维光子晶体的表面态

用传输矩阵方法和Bloch定理,从理论上分析以色散介质为背景,由正负折射率材料组成的半无限一维光子晶体的表面态,发现以色散介质为背景,在满足平均折射率等于零的情况下,第一层厚度变化时,表面态将会在较大频率范围内显著变化。讨论了同一入射角度下不同频率的表面态的电场分布情况,结果表明：远离带边的表面态局域长度较小。     

引入零平均折射率材料掺杂的一维光子晶体缺陷模的特性研究

本文利用特征矩阵理论模拟了一维光子晶体引入零平均折射率材料的缺陷模特性,发现在基频带隙处出现了孪生缺陷模,并分析了组成零平均折射率材料的正负折射率材料的折射率的变化对孪生缺陷模的位置、透射率和半峰宽度的影响,为双通道窄带滤波器的设计提供了新的思路和理论依据.     

含各向异性左手材料一维光子晶体微腔的Wannier-Stark态

通过传输矩阵方法,研究了含各向异性左手材料的一维光子晶体耦合微腔结构。结果表明,该结构中存在两类微带,一类位于常规的Bragg带隙,另一类位于零均值折射率带隙。当腔的厚度发生调制时,两类微带变成两类Wannier-Stark态。耦合微腔厚度梯度因子增大时,两类带隙中Bragg振荡周期都减小,而且透过率降低。     

含负折射率材料一维光子晶体的全方位带隙和缺陷模

运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料一维二元光子晶体的禁带特性和局域模特性,发现了一种新型全方位光子带隙.与传统的Bragg带隙相比,这种新型全方位光子带隙的中心频率和带宽对入射角的变化不敏感.讨论了引入缺陷层后,入射角变化和各层介质厚度做一定比例的缩放时对缺陷模位置的影响.这种特性在具有固定带宽的全方位反射器和微波技术中全方位或大入射角滤波器方面有重要的应用价值.     

含负折射率材料1维光子晶体的偏振无关非全向的缺陷模

运用光学传输矩阵理论,研究了含负折射率材料1维光子晶体缺陷模的偏振特性。结果显示,零均折射率带隙中缺陷模对入射角和偏振有较强的依赖。通过对缺陷层参数的优化设计,得到了一系列的偏振无关非全向缺陷模,这是传统1维光子晶体中不能出现的。应用这些缺陷模,设计了低通、高通、带通空间滤波器。与传统光子晶体空间滤波器相比,这些空间滤波器具有偏振无关的优点。     

色散负折射特异介质的1维光子晶体缺陷态

在1维光子晶体中引入色散负折射特异介质,分析了其介电常数和磁导率在微波区（1～10 GHz）与频率的关系。分别对以色散负折射介质为缺陷的正折射率介质光子晶体及以正折射率介质为缺陷的正负折射率介质光子晶体进行了数值仿真,得出了均匀平面电磁波在正入射和斜入射时的透射谱。结果表明:在介电常数和磁导率均为负值的不同禁带中,分别出现了单、双缺陷模。利用透射谱的这一特点,可实现单、双通道滤波。     

色散负折射特异介质的1维光子晶体缺陷态

在1维光子晶体中引入色散负折射特异介质,分析了其介电常数和磁导率在微波区（1～10 GHz）与频率的关系。分别对以色散负折射介质为缺陷的正折射率介质光子晶体及以正折射率介质为缺陷的正负折射率介质光子晶体进行了数值仿真,得出了均匀平面电磁波在正入射和斜入射时的透射谱。结果表明：在介电常数和磁导率均为负值的不同禁带中,分别出现了单、双缺陷模。利用透射谱的这一特点,可实现单、双通道滤波。     

光频段多频率域负折射率材料的数值研究

利用电介质材料周期性排列构成二维六角结构光子晶体,用平面波展开法研究了二维光子晶体材料各个能级的等频率曲线图,发现此结构光子晶体在多个频段上存在负折射特性,用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD) 数值计算模拟也得到了相同的结果. 关键词： 光子晶体 左手化媒质 负折射 多频段     

Near-infrared tunable narrow filter properties in a 1D photonic crystal containing semiconductor metamaterial photonic quantum-well defect

The near-infrared (NIR) narrow filter properties in the transmission spectra of a one-dimensional photonic crystal doped with semiconductor metamaterial photonic quantum-well defect (PQW) were theoretically studied. The behavior of the defect mode as a function of the stack number of the PQW defect structure, the filling factor of semiconductor metamaterial layer, the polarization and the angle of incidence were investigated for Al-doped ZnO (AZO) and ZnO as the semiconductor metamaterial layer. It is found that the frequency of the defect mode can be tuned by variation of the period of the defect structure, polarization, incidence angle, and the filling factor of the semiconductor metamaterial layer. It is also shown that the number of the defect mode is independent of the period of the PQW defect structure and is in sharp contrast with the case where a common dielectric or metamaterial defect are used. The results also show that for both polarizations the defect mode is red-shifted as the number of the defect period and filling factor increase. An opposite trend is observed as the angle of incidence increases. The proposed structure could provide useful information for designing new types of tuneable narrowband filters at NIR region.     

含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性

利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明，如果改变缺陷的折射率，缺陷模之间的耦合作用将发生改变，使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值，则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带，这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波. 关键词： 光子晶体 缺陷模 杂质带 滤波     

混合导引型光子晶体光纤中纤芯折射率相关的导光特性研究

利用全矢量有限元法研究了一种混合导引型光子晶体光纤在纤芯折射率改变时,光纤导光机理和模式的演变特性.当纤芯折射率小于混合包层中空气孔包层的有效折射率时,芯模的导光机理为"双带隙导引型";当纤芯折射率位于空气孔和高折射率两套包层的有效折射率之间时,芯模的导光机理为"单带隙+全内反射导引型";当纤芯折射率大于高折射率棒包层的有效折射率时,芯模的导光机理为"全内反射导引型".并对该光纤在上述三种条件下的导光特性进行了比较和讨论.这些结果对设计特殊用途的光子晶体光纤具有指导意义. 关键词： 混合导引型光子晶体光纤 带隙 模式     

Parametric analysis of the planar metamaterials based on complementary double-ring resonators

The planar metamaterials comprising complementary double-ring resonators(CDRRs) show its left handed behaviour.As a consequent work,this paper presents a detailed parametric study on the magnetically resonant transmission characteristics of the complementary double-ring metamaterials based on its structural parameters.This will be useful for the design of compact planar metamaterials based on the transmission lines loaded with CDRRs.     

Monochromatic Composite Right/Left Handedness in the Quantized Composite Right/Left Handed Transmission Line

Macro composite right/left handedness (CRLH) signifies positive/negative refraction index in different frequency bands in the composite right/left handed transmission line (CRLH-TL). In this paper, the refraction index of a quantized CRLH-TL in the thermal squeezed state is visited. Performing explicit calculations on the squeezed parameters and electronic components' parameters, a novel regime for implementing CRLH with a single operating frequency via the squeezed parameters and electronic components' parameters is found. The definitely different monochromatic CRLH enriches the initial definition of CRLH, and may propose a novel direction to implement CRLH in metamaterials.     

Tunable zeroth-order resonator based on a ferrite metamaterial structure

This paper proposes a tunable zeroth-order resonator on a composite right/left-handed transmission line consisting of a transversely magnetized ferrite substrate periodically loaded by microstrip inductors. Based on the propagation theory of edge guided modes, the analysis procedure of this structure is introduced. The numerical results demonstrate the tunability of the resonant frequency by changing the DC bias magnetic field applied to the ferrite. In contrast to previous work, the proposed structure is easy to design and fabricate and does not require a chip component.