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本文报道淀积条件对非晶态硒化镉(a-CdSe)薄膜微区结构的影响,并对利用a-CdSe为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。 相似文献
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硒化镉是一种可用于X射线全光分幅相机和全光条纹相机的重要探测材料。用基于相位物体的泵浦探测方式,研究了硒化镉在1030nm波长,飞秒脉冲下的载流子超快动力学和非线性光学特性。得到了双光子吸收系数、载流子吸收截面、载流子复合时间等参数。实验表明,硒化镉载流子的动力学和非线性特性是由束缚电子和载流子共同决定的。束缚电子的克尔效应和双光子激发都是瞬态的,而载流子复合持续了较长时间。这些参数和载流子图像的的获得,为X射线超快探测器件的设计和改进提供了参考。 相似文献
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硒化镉是一种可用于X射线全光分幅相机和全光条纹相机的重要探测材料。用基于相位物体的泵浦探测方式,研究了硒化镉在1030 nm波长,飞秒脉冲下的载流子超快动力学和非线性光学特性。得到了双光子吸收系数、载流子吸收截面、载流子复合时间等参数。实验表明,硒化镉载流子的动力学和非线性特性是由束缚电子和载流子共同决定的。束缚电子的克尔效应和双光子激发都是瞬态的,而载流子复合持续了较长时间。这些参数和载流子图像的的获得,为X射线超快探测器件的设计和改进提供了参考。 相似文献
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用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射(XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性,在该材料中观测到激子-激子散射发射峰,变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象,激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的,没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的,光致发光的强度随着温度的升高而降低,这主要是由激子的热离化造成的,也就是说,热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。 相似文献
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硅基波导与GeSi/Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
用分子束外延法将GeSi/Si超晶格结构生长在n^+/n Si材料上,先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导,经适当工艺实现硅波导与PIN探测器之间的光电集成,5V偏压下PIN控制器的最小暗电流为0.8μA,最大光响应电流为2.7μA,最大总量子效率为14%,工作波长为λ=1.3μm。 相似文献
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分子堆积模式是决定电子/能量转移过程的关键因素,影响有机薄膜器件的光电特性. 本文通过具有偏振选择性的紫外/红外混频超快光谱研究了7-(二乙氨基)香豆素-3-羧酸和苝两种有机分子的薄膜. 并利用分子间能量/电子转移引起的信号各向异性变化来计算供体的电子跃迁偶极矩与受体的振动跃迁偶极矩之间的夹角,从而得出两个相邻分子之间的相对取向. 用这种方法测得7-(二乙氨基)香豆素-3-羧酸薄膜的相对取向角为53.4o,接近其单晶结构的60o,苝薄膜的相对取向角为6.2o,也接近其单晶结构的-0.2o. 除了实验中的不确定性,这种方法确定的角度与单晶的角度之间的微小差异还可能源于薄膜样品是多晶的,且其中一些分子是无定形的. 相似文献
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GexSi1—x/Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
对GexSi1-x/Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计,优化结构为:i-Si雪崩区厚是1.8~2μm;p-Si区的掺杂浓度是10^18cm^-3厚为17nm超晶格总厚为340nm,它可探测1.3~1.6μm的红外光。 相似文献
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以水为反应溶剂,采用NaBH4还原SeO2并与过量CdSO4反应,制备CdSe量子点凝胶。所得CdSe量子点凝胶直接干燥即得到固态粉体,若用聚乙二醇或谷胱甘肽等作为分散修饰剂可方便的转化成相应的溶胶,制备方法快速简单、成本低。CdSe量子点凝胶、粉体、溶胶均具有良好的光致发光特性,且性质稳定。结果表明反应物CdSO4与SeO2用量的摩尔比(Cd/Se值)和反应温度影响CdSe量子点的荧光特性。当制备凝胶的Cd/Se值由2.4:1增加12:1时,CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光强度增加,荧光发射峰由560nm红移到610nm;当制备凝胶的反应温度由40℃增加到90℃时,CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光发射峰由560nm红移到600nm。CdSe量子点-聚乙二醇溶胶的荧光量子产率20%左右。 相似文献