ICP-AES法测定青壳鸡蛋中的13种元素

用高压消化罐消解后,ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定青壳鸡蛋中Ｃａ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｐ、Ｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｃｒ、Ｃｄ等１３种元素的含量,在优化实验条件下,ＲＳＤ为１．２４％－８．７６％,加标回收率为９３．０％－１０５．９。方法简便、可靠,结果令人满意。     

宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

介绍了宽禁带ＩＩ－ＶＩ族化合物半导体ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ和ＺｎＣｄＳｅ外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长。用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）法分别对其结构特性和光学特性进行了研究。尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的ＰＬ研究，得出了对于ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超晶格，其激子激活能（Ｅａｃｔ）仅为１７ｍｅＶ，我们用ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ导带不连续较小来解释这个结果。而对于ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超     

ICP－AES法分析水质的探讨

本文用ＩＣＰ－ＡＥＳ（电感耦合等离子体－原子发射光谱法）测定水中Ａｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｖ、Ｚｎ等１８种微量元素。方法简便、快速，只将样品简单酸化，即可测定。方法检出限为０．０００５－０．５μｇ／ｍＬ。相对标准偏差＜１８％     

中药方剂煎煮液中ICP—AES法同时测定16个元素

本文提出了用硝酸－过氧化氢对中药方剂煎煮液进行处理，ＩＣＰ－ＡＥＳ法对煎煮液中Ｌｉ，Ｎａ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｖ１６个元素进行同时测定的方法，该方法简单，快速，准确度高，所测元素的加标回收率均在８５～１０３％之间，样品分析结果满意。     

掺Ce的Y－Ba－Cu－O体系成相的拉曼光谱分析

掺Ｃｅ的Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系成相的拉曼光谱分析许存义，左健，王跃（中国科学技术大学结构分析开放研究实验室合肥２３００２６）ＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｕｍｏｆＣｅ－ｄｏｐｅｄＹ－Ｂａ－Ｃｕ－ＯＳｙｓｔｅｍ￥ＣｕｎｙｉＸｕ；ＪｉａｎＺｕ...     

用泵浦-探测方法研究ZnCdSe量子阱/CdSe量子点复合结构中的激子衰减

用飞秒泵浦－探测方法测量了ＺｎＣｄｓｅ量子阱／ＺｎＳｅ／ＣｄＳｅ量子点复合结构样品的透射特性。样品中ＺｎＳｅ垒层厚度为 １５ｎｍ,泵浦一探测结果得到上升沿时间为 ３６７±６０ｆｓ,下降沿时间为１．３±０．２ｐｓ。获得ＺｎＣｄＳｅ量子阱中激子寿命约为１ｐｓ。     

ICP—AES法测定玩具材料和涂料中的可溶性有害元素

本文报道用ＩＣＰ－ＡＥＳ法对玩具材料和涂料被吞咽在消化系统内停留４小时的模拟条件下溶出的Ｓｂ，Ａｓ，Ｂａ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｈｇ和Ｓｅ八种有害元素的量进行测定，以确保儿童玩具的安全性和促进玩具商品的顺利出口。     

CO（a）与CS2和CS传能反应中激发态碎片形成速率

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态ＣＯ（ａ）与ＣＳ２和ＣＳ的传能反应，测定了反应产生的激发态碎片ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数。ＣＯ（ａ）与ＣＳ２传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为３．４６×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１和１．１４×１０＾－１０ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１。ＣＯ（ａ）与ＣＳ传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为１     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

用铜和氯掺杂的CdS-CdSe双层光电导膜的性质

对掺Ｃｕ和Ｃｌ的ＣｄＳ－ＣｄＳｅ双怪光电导膜的暗电导和亮电导与掺杂浓度及Ｃｕ／Ｃｌ比的关系、响应时间和光谱响应进行了研究。试验发现：适当的Ｃｕ／Ｃｌ掺杂比可使暗电导降低而亮电导提高;掺杂薄膜的响应时间可达５－１０ｍｓ,而对掺杂一般为数百毫秒;随着ＣｄＳｅ浓度增加,光学吸收变大,光谱响应向长波移动 。     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

Ca3Al2M3O12（M=Si,Ge）石榴石中Ce^3＋离子的荧光光谱

本文研究了Ｃａ３Ａｌ２Ｍ３Ｏ１２（Ｍ＝Ｓｉ，Ｇｅ）石榴石中Ｇｅ＾３＋离子的荧光光谱。在这两种石榴石中，Ｃｅ＾３＋的发射光谱均为Ｃｅ＾３＋的５ｄ→４ｆ能级跃迁发射宽谱带，但有很大差异。在锗酸盐中，Ｃｅ＾３＋的发射强度很弱，而在硅酸盐中发射强，２９５和７７Ｋ下在Ｃａ３Ａｌ２Ｓｉ３Ｏ１２中Ｃｅ＾３＋的荧光寿命分别为４６和４９ｎｓ。Ｇｄ＾３＋和助溶剂的引入可提高Ｃｅ＾３＋的发射强度。     

CdS／SiO_2半导体玻璃复合材料的低频Raman散射光谱研究

ＣｄＳ／ＳｉＯ＿２半导体玻璃复合材料的低频Ｒａｍａｎ散射光谱研究王凯旋，隗罡，黄建滨，戴庆红，赵壁英，桂琳琳，谢有畅，唐有祺（北京大学物理化学研究所北京１００８７１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＣｄＳＳｅｍｉｅｏｎｄｕｃｔｏｒｉｎＳｉｌｉｃａＧｌａｓｓｅｓｂｙＬ...     

Time－dependentTheoryofRamanScatteringwithPulses－－ApplicationtoContinuumRamanSpectroscopy

Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔＴｈｅｏｒｙｏｆＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇｗｉｔｈＰｕｌｓｅｓ－－ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｔｏＣｏｎｔｉｎｕｕｍＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙＳｏｏ－Ｙ．Ｌｅｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｆａｃｕｌ...     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

A3M2Ge3O12石榴石体系中Cr3+离子的宽带发射光谱

首次报告在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２∶Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ２＋,Ｃａ２＋;Ｍ＝Ａｌ３＋,Ｇａ３＋,Ｓｃ３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ３＋离子室温下的红—近红外（Ｒ—ＮＩＲ）宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ３＋→Ｇａ３＋→Ｓｃ３＋和十二面体格位上的Ｃｄ２＋→Ｃａ２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ３＋离子的４Ｔ２→４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。这是由于晶场强度减弱,阳离子的离子半径增大的结果。在镉（钙）铝和镉（钙）镓锗酸盐体系中,少量Ｓｃ３＋取代八面体上的Ａｌ３＋和Ｇａ３＋时,可使Ｃｒ３＋的Ｒ－ＮＩＲ荧光发射强度增强。     

论^6A1基态中Kramers能级的翻转与Hoshina猜想

半导体晶体ＺｎＯ、ＣｄＳ和ＣｄＳｅ具有相似的晶体结构，然而掺入其中的Ｆｅ（Ⅲ）离子却表现出完全不同的基态分裂特征，按顺序ＺｎＯ∶Ｆｅ（Ⅲ）→ＣｄＳ∶Ｆｅ（Ⅲ）→ＣｄＳｅ∶Ｆｅ（Ⅲ）其重要的ＥＰＲ参量Ｄ，将由负值转变成正值，这一变化将导致６Ａ１基态中Ｋｒａｍｅｒｓ能级｜±５／２〉、｜±３／２〉、｜±１／２〉的次序发生翻转。这种奇异的电子能级结构转换现象至１９６７年报道以来迄今未得到合理地解释。Ｈｏｓｈｉｎａ猜想这一现象可能与配位体离子的自旋－轨道耦合系数有关。本文用共价自旋－轨道耦合机制来解释这一能级翻转现象并论证Ｈｏｓｈｉｎａ猜想的正确性     

分子束外延Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ＾－１，３７０ｃｍ＾－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。