CdTe单晶的电学性能

用升华法生长了CdTe单晶,其生长方向为〈111〉。解理得到(110)面的晶片,在Cd和In的饱和气氛下热处理72小时,其热处理温度分别于500,600.700,750℃。用In球作为欧姆电报,用Vander Pauw法测量了电学参数。测试结果如下:     

CdTe晶体机械和光、电特性研究

随着红外镶嵌探测器阵列的发展,采用各种外延生长技术来获取大面积高性能晶体薄膜是焦平面多元阵列发展的关键。在高响应率与快速响应探测器方面,HgCdTe材料具有独特品质。因此HgCdTe薄膜外延生长,特别是液相外延薄膜的研究已经成为非常引人注目的重要领域。国际上对半导体薄膜的研究表明,外延晶体薄膜性能的优劣,垫底材料的选择起着极重要的作用。第三届国际晶体生长会议的有关文     

CdTe晶体中Te淀积物的特性

用俄歇能谱、X射线衍射和喇曼光谱说明CdTe晶体中Te淀积物的特性。X射线衍射的结果表明:用Bridgman法生长的CdTe晶体中淀积的Te与高压下的单体Te有相同的结构形态。用俄歇和喇曼微探针光谱研究,进一步确定CdTe中的Te淀积物和验明Te淀积物的对称性。     

CdTe／ZnS复合钝化膜的界面电学特性研究

利用ＭＩＳ结构研究了长、中、短波碲镉汞材料，新型热蒸发ＣｄＴｅ／ＺｎＳ钝化膜界面电学特性及其与工艺条件的关系．结果表明，ＣｄＴｅ／ＺｎＳ双层膜界面电学参数依赖于界面预处理条件，在适当的工艺条件下，平带电压几乎为０，固定电荷密度为－４×１０１０ｃｍ－２，慢态密度为５．１×１０１０ｃｍ－２，界面态密度为２．７×１０－１１ｅＶ－１．ｃｍ－２．     

碲铟汞晶体的生长及其电学特性

利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω·cm,载流子浓度为2.83×1013 cm-3,载流子迁移率为4.6×102 cm2/(V·s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.     

碲铟汞晶体的生长及其电学特性

利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω·cm,载流子浓度为2.83×1013 cm-3,载流子迁移率为4.6×102 cm2/(V·s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.     

组装CuTCNQ有机微晶体器件的电学特性

采用液面控制的电化学方法制备出间距可达几生米的Ｃｕ－Ｃｕ，Ｃｕ－Ｗ双微电极结构，然后在双微电极结构中自组装ＣｕＴＣＮＱ有要微晶体，进行直流电学特性测量，测量结构表现出不同于ＣｕＴＣＮＱ薄膜所呈现出的电学性质，对此进行了初步的讨论。     

CdTe：Sm晶体的红外光谱

对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400～5000cm~(-1))研究表明其中存在Sm~(2+)和Sm~(3+)两种价态的Sm离子,Sm~(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm~(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙位置依其次近邻是否存在Cd空位而分别构成A中心和B中心。B中心和C中心均处于立方对称的晶体场中,经退火(Cd气氛,～600°)A中心消失。     

用垂直布里奇曼法生长CdTe晶体

用垂直布里奇曼法生长了CdTe晶体,并检验了晶体的质量。发现,在最佳条件下,能获得缺陷密度较低和晶体完整性较高的晶体。     

RbTiOAsO4晶体的电学性能

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４晶体的电阻率,介电常数,热释电系数和压电应变系数。     

已交付的最大的CdTe调制晶体

美国劳伦斯·利弗莫尔实验室已买到一个最大的CdTe电光调制晶体。这种晶体将用于该实验室的CO2激光聚变计划,用来选出宽2毫微秒、间隔2毫微秒的锁模脉冲群的单脉冲。这种晶体尺寸为15毫米×15毫米×42毫米(长),约为原先的两倍。这种晶体能透过0.85~30.0微米的辐射,将用于横向激励方式。晶体两端涂以增透涂层,试验时没有出现可测的介入损耗。用来选出锁模脉冲群的脉冲时,更大的电光晶体更理想,因为在达到损坏阈值(对CdTe来讲约为400兆瓦/厘米。之前,较大的孔径可以使更多的能量透过。     

CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究

本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.     

CdTe晶体的生长和特性:一种改进的溶剂蒸发技术

本文描述一种改进的溶剂蒸发技术。这种方法能生长出完全不含孪晶和明显晶粒间界的CdTe晶体。用这种方法可以避免原有的Lunn和Bettridge(Rev. Physique Appl. 12(1977)151)技术所固有的那种温度起伏。本文还讨论非掺杂晶体和用In、Ga、Cl、Cr作掺杂剂的掺杂晶体的生长和特性。结合控制晶体电阻率的深能级的研究,讨论控制非掺杂晶体电阻率的主要生长因素。     

CdTe单晶的红外消光特性

本文模拟计算了ＣｄＴｅ中Ｔｅ沉淀相对红外光的散射吸收作用及其对入射光能量和Ｔｅ沉淀相尺寸的依赖关系,根据光透射比分别处理了ＣｄＴｅ的吸收和Ｔｅ沉淀相的散射吸收消光作用．结合光致发光和电学特性的研究,讨论了Ｃｄ气氛中的退火对ＣｄＴｅ晶体的红外消光特性的影响．     

Hg3In2Te6晶体欧姆接触及电学特性

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Tes)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物.为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明...     

CdTe电光调频晶体用于电光调Q研究

本文研究了CdTe电光调Q晶体及电光调频晶体的调制特性,报道了采用 CdTe电光调频晶体进行电光调 Q的光栅选支射频激励波导 CO2激光器,调 Q激光脉冲重复频率 1Hz～10 kHz可调,在 10 kHz重复频率时,获得激光脉冲峰值功率为 300 W,脉冲宽度为 150 ns.     

用水平汽相输运方法生长CdTe晶体

N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上     

射频溅射CdTe薄膜结构特性分析

采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了CdTe单层薄膜,实验表明:在室温条件下,通过调节溅射功率和溅射氩气压强,沉积的CdTe薄膜显示了一系列结构形态.研究了无CdTe薄膜沉积、非晶CdTe薄膜沉积、晶化CdTe薄膜沉积的生长条件,并采用卢瑟福散射理论解释了溅射CdTe薄膜生长机制的分子动力学过程.     

硅纳米线的电学特性

总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性。研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强。因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景。     

垂直无籽晶汽相输运生长CdTe晶体

采用垂直闭管无籽晶汽相输运生长CdFe晶体材料,晶体外现光滑,外径为14～20mm,长度约50mm,单个晶粒的介理面约8×10mm~2,晶面明亮如镜。对材料的结构和性质进行了测定并与熔体法进行了比较。用市售6NCd和Fe按配比秤量,或取合成的多晶源装在内径为14～20mm,长度为