8毫米GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽０．４ｍｍ器件为基础的８ｍｍ单级单片ＩＣ的设计、制造及性能测试等。该单片在３２￣３３ＧＨｚ，输出功率大于１００ｍＷ，增益大于３ｄＢ，最大输出功率达１５０ｍＷ。     

单片电路应用的超低功耗E型GaAs MESFET研究

本文从器件的几何、材料和工艺参数出发，获得了低功耗低噪声增强型ＧａＡｓＭＥＦＥＴ模型的等效电路元件值。研究了器件的几何、材料和工艺参数及ＲＦ性能和直流功耗的关系，给出了ＥＦＥＴ物理参数的最佳取值范围，可为超低功微订成电路中有源器件的设计提供依据。     

GaAs单片集成宽带衰减器

介绍GaAs单片集成衰减器的研究与制作。所研制的衰减器在DC—10GHz的频率范围内，插入损耗小于1．5dB，衰减量大于15dB，驻波小于2．0：1；其中在DC—6GHz的频率范围内，衰减量大于25dB．驻波小于1．5：1，衰减波纹小于0．5dB。     

10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽１．２ｍｍ ＧａＡｓＦＥＴ器件为基础的两级ＧａＡｓ功率单片集成电路的设计、制作及其性能，该两级单片集成电路在１０￣１１ＧＨｚ频带内，输出功率１Ｗ，增益１０ｄＢ。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

三维单片高频微波集成电路的封装技术

本文详细介绍了当前各种高频微波电路的封装模型，以及分析这些模型的场分析方法和分布网络分析方法。为了减少微波封装电路的插入和反射损耗，各种改进的加工技术被引入。     

GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模

论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。     

Ku波段GaAs单片接收机

报道了工作频率分别为10.7-11．6GHz和11．7－12．2GHzGaAs单片接收机的研制结果。接收机并包括四种电路，即低噪声效大器、介质稳频振荡器、混频器和中频放大器。电路均采用GaAs全离子注入平面工艺创作，并封装在金属管壳内测试．10．7－11．6GHz接收机的噪声系数达到3．5dB，增益大于35dB；11．7－12.2GHz接收机的噪声系数可达到4dB，增益大于31dB。     

有源电扫阵列的单片微波集成电路与封装的发展趋势

本文阐述了开发单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）和多芯片组装的当前工作与进展，采用ＭＭＩＣ和多芯片组装可获得低成本、满足性能要求的有源电扫阵列（ＡＥＳＡ）。本文还讨论了ＭＭＩＣ的成本与开发因素、组件的成本与开发考虑事项，以及整个阵列的成本与开发考虑事项。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

12GHz GaAs单片混频器

分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。     

基于GaAs MMIC工艺的单片均衡器设计

幅度均衡器被广泛应用于各类微波组件,是其重要的组成部分。对定阻型的幅度均衡器设计进行分析,利用Ga As MMIC标准工艺制作了一款22~32 GHz单片幅度均衡器,该芯片尺寸为0.8 mm×0.7 mm×0.1 mm。经装架测试,在工作频段实现5 d B的负斜率幅度均衡量,驻波良好,插损2.53 d B@32 GHz,基本实现了设计目标。     

GaAs单片移相器设计

本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片。试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5~5.0GHz带宽内,移相起伏小于10;°在2.6~3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合。     

GaAs IC CAD发展现状与趋势

简述了ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用的现状及发展趋势，提出了我国在ＧａＡｓＩＣＣＡＤ技术开发应用方面的建议。     

Ku波段GaAs微波单片集成电路

本文介绍Ku波段GaAs单片集成电路的设计、研制和测量结果。该单片电路的匹配网络采用对FET进行计算机分析和电路模拟相结合的方法进行设计。研制成功了一个两级单片电路,其尺寸为1.9×3.2×0.1mm,在14.5～15.4GHz的频率范围内,输出功率P_0≥100mW,增益G_P≥5dB,带内增益起伏△G_P≤±0.75dB。     

GaN单片功率集成电路研究进展

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有工作频率高、导通损耗小等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中,而拥有更高集成度的全GaN单片集成电路可进一步提高基于GaN HEMT器件功率变换器的性能.介绍了不同类型的全GaN集成工艺平台以及GaN功能子电路的研究进展,并对全GaN单片集成功率IC的研究现状进...     

面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器

介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.