共查询到19条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料,对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的(1-x)PbTiO3+xPb(Cd4/9Nb2/9W3/9)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.2时,掺入适量的改性添加物MnO2,经适当的工艺过程,可得压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中,材料的居里温度R≥480℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数kt可达0.45,介电常数ε约为200,是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。 相似文献
2.
低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究 总被引:4,自引:3,他引:4
研制了一种添加Bi(Cd1/2Ti1/2)O3、MnO2、SiO2的新型低温结改性PbTiO3压电陶瓷材料,实验发现低熔物SiO2是影响烧结的主要因素,除能明显降低该材料烧结温度外,还能起掺杂性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因素及低介电常数等特点,960℃烧成时主要性能参数为:厚度机电耦合系数kt=0.49;径向机电耦合系数kp=0.027;压电各向异性比kt/kp=18;压电应变常数d33=65pC.N∧-1;机械品质因素Qm=541,密度ρv=7.4g.cm∧-3,居里温度Tc=312℃,介电常数ε∧T33/Eo=177,介质损耗tanδ=0.63%,该材料在叠层压电滤波器和叠层压电和压变压器方面显示出很好的应用前景。 相似文献
3.
高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了Pb(Cd1/3Nb2/3)O3、Bi2/3(Cd1/3Nb2/3)O3以及Bi(Cd1/2Ti1/2)O3改性的PbTiO3陶瓷的高温高频压电性能。结果表明,对ABO3型钙钛矿结构的PbTiO3进行A、B位复合取代可得到压电性能优良,适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与A位取代的Bi3+离子价态、离子半径及B位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关 相似文献
4.
改性PbTiO3压电陶瓷各向异性的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
以改性PbTiO3压电陶瓷的结构为基础,对其各向异性进行了探讨。认为产生大的压电各向异性在于其钙钛矿结构ABO3中A位取代离子的特定离子半径和电子态。并依据一些实验现象进行了分析。 相似文献
5.
报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb(Mn1/3Sb1/3)O3-PbTi O3(PT-PMS)基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加入Co2O3对陶瓷的介电、压电和机电性能的影响。结果表明,加入适量Co2O3,提高了陶瓷烧结密度,改善了陶瓷压电性能;同时,Co2O3的硬性掺杂作用使陶瓷的机械品质因数Qm明显上升。当Co2O3的质量分数为0.65%时,陶瓷表现出良好的机电性能:εr=290,d33=78 pC/N,kp=0.133,kt=0.489,Qm=2 162,TC=325℃。此外,该陶瓷具有高的居里温度TC,能满足回流焊工艺要求。 相似文献
6.
各向异性压电陶瓷材料 总被引:6,自引:1,他引:5
本工作制备了添有少量Pb(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3,Bi(Zn_(1/2) Ti_(1/2))O_3和MnO_2的高电阻率,高密度的改性(PbCa)TiO_3压电陶瓷。这种陶瓷在150℃和施加40—50kV/cm电场条件下极化之后显示出大的各向异性压电特性。它具有高的厚度扩张模式机电藕合系数Kt,高的机械品质因素Qm低的介电常数,而平面耦合系数Kp值极小。于是,这种新的压电材料适于制作高频陶瓷滤波器超声换能器,金属探伤检测器,以及声表面波器件等。 相似文献
7.
钛酸铅(PbTiO_3)是居里温度为490℃的钙钛矿型铁电材料。预期其可成为高频段的有用的压电材料。然而用常规技术制备的纯PbTiO_3陶瓷太疏松而易碎。此外,因为其轴向比率大而使其矫顽场非常大,所以这种陶瓷很难充分地极化。 为了解决这些问题,已做了许多尝试。池上等人成功地获得了含MnO_2和La_2O_3的致密陶瓷,并在200℃下以60—80kV/cm电场极化。这些陶瓷的厚度耦合系数k_1 相似文献
8.
9.
K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:4,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献
10.
预烧温度对0.363BiScO3-0.637PbTiO3高温压电陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用XRD、SEM研究了不同预烧温度下制备陶瓷样品的微观结构;通过压电介电性能测试,确定出最佳预烧工艺条件。结果表明,最佳的预烧条件为740℃保温2 h。经1 080℃、2 h烧成陶瓷的压电常数d33=308 pC/N,机电耦合系数kp=0.437,介电常数ε3T3/ε0=1 560,介电损耗tanδ=0.021,退极化温度TD=460℃。在此工艺条件下,该陶瓷性能优良、制备重复性好,在高温压电陶瓷传感器、换能器等方面显示出实用化前景。 相似文献
11.
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Er2O3的BaTiO3陶瓷。测试结果表明,掺杂Er2O3能降低BaTiO3陶瓷的电阻率,且在开始时其电阻率随着掺杂量的增大而升高,在掺杂x(Er2O3)=0.003(摩尔分数)时电阻率最高,然后随掺杂量的升高而降低,在掺杂x(Er2O3)=0.007时电阻率最低,从纯BaTiO3陶瓷的2.6 TΩ.m下降为18 GΩ.m,此变化规律有异于La,Ce,Nd,Sm等稀土元素掺杂的规律。掺杂Er2O3使BaTiO3陶瓷的介电性能发生明显变化,掺杂x(Er2O3)为0.001和0.002时,可改善BaTiO3陶瓷的介电性能和频率特性,具有较好的频率稳定性。掺杂Er2O3使BaTiO3陶瓷的居里温度升高为130.9℃,交流电导随着温度的升高而增大,并在居里温度点附近达到最大。 相似文献
12.
本文简要叙述了晶体的各向异性特性;主要对压电陶瓷的各向异性及其在多方面的应用作了研究探讨;最后,指出了类似的几种电子陶瓷材料的各向异性的一些重要用途. 相似文献
13.
14.
15.
本文综述了几十年来Al_2O_3粉体在冶铝工业、电瓷和电子陶瓷上的应用状况,特别论述了电子陶瓷领域所应用Al_2O_3粉体的技术条件和存在问题。 相似文献
16.
以片状Bi_4Ti_3O_(12)粉体为原材料制备了0.1BiYbO_3-0.9PbTiO_3(BYPT)高居里温度压电陶瓷,研究了Bi_4Ti_3O_(12)粉体用量对BYPT陶瓷显微组织结构和压电性能的影响.结果表明,BYPT陶瓷的最佳烧结温度为1 140 ℃,陶瓷由多相组成.BYPT陶瓷的居里温度均大于520 ℃,且随着Bi_4Ti_3O_(12)用量的增加,材料由正常铁电体向弛豫铁电体转变,陶瓷的居里温度、压电常数及介电常数先升高后降低,介电损耗则随之而减小,BYPT_2陶瓷的居里温度和压电常数最高. 相似文献
17.
18.
报道了对光辐照YBa2Cu3O6.92材料的正电子寿命谱研究结果,给出了正电子寿命参数随辐照时间变化的基本特征,利用两态捕获模型对实验结果进行了初步分析,计算了局域电子密度ne和空位浓度Cv随辐照时间的变化,发现光诱导而产生Cu-O链区域电子结构的变化,证明O(1)和O(5)位之间的氧迁移和重新分布使得氧有序乃是光诱导电性的主要原因,为YBa2Cu3O6.93体系光电导机理的理解提供了重要的正电子 相似文献
19.
Nd2O3掺杂BaZr0.2Ti0.8O3陶瓷的介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
在溶胶-凝胶法制备钛酸钡(BaZr0.2Ti0.8O3)超细粉体的过程中,使用液相掺杂的方式在溶胶过程中进行了稀土元素Nd的掺杂。掺杂摩尔分数为0、0.001、0.002、0.003、0.004和0.005。掺杂改性后的BaZr0.2Ti0.8O3粉体,通过X-射线衍射(XRD)测试,结果表明在摩尔分数为0.005以内的稀土Nd掺杂并未改变BaZr0.2Ti0.8O3的钙钛矿结构。粉体烧结的陶瓷介电性能得到较大的改善:介电常数由3 389提高到4 493,而介电损耗在60 Hz时由1.4%降低到0.35%。 相似文献