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纳米硫化镉的合成及其电化学催化性能测试 总被引:3,自引:0,他引:3
采用CS2-SDS-正辛醇-水微乳体系制备了硫化镉纳米棒。利用XRD、SEM、TEM对产物进行表征,测试了其对多硫化物电极还原反应的催化性能,并与常规方法合成的大粒度CdS晶体进行对比.结果表明,纳米棒为六方型CdS晶体,直径约12nm.常规法合成的CdS为立方型晶体,平均粒度约为1μm.CdS纳米棒电极对硫化钠/多硫化钠电极反应的电催化活性明显高于大粒度CdS晶体电极. 相似文献
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活体生物膜控制合成纳米半导体硫化镉 总被引:10,自引:0,他引:10
目前 ,用于合成和制备纳米材料的方法除化学和物理方法[1~ 4] 外 ,还有仿生法[5~ 7] ,但尚未见到利用活体生物膜来合成无机纳米材料的报道 .本文利用绿豆芽通过生物膜控制合成了纳米CdS .1 实验部分将市售新鲜绿豆芽用去离子水洗净后放入盛有 0 .1mol·L- 1 Na2 S水溶液的试管中 ,浸没茎部 ,露出叶片 .2 4h后取出 ,用去离子水冲洗掉豆芽外部的Na2 S溶液 ,转放到盛有CdCl2 水溶液的试管中 ,用同法浸泡 2 4h .取出豆芽 ,小心用玻璃棒将豆芽茎外的黄色CdS转入无水乙醇中 .取少量CdS乙醇溶液 ,经超声振荡后上铜网 ,… 相似文献
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米粒子合成的进展 总被引:6,自引:0,他引:6
半导体科学技术是现代信息技术的基础,Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料受垤广泛的重视。采取有机液相合成方法是制备Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的重要途径。本文综述了近几年合成Ⅲ-Ⅴ话半导体纳米粒子的进展情况。 相似文献
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黄色硫化镉纳米粒子的共振瑞利散射光谱研究 总被引:6,自引:0,他引:6
在高分子聚乙烯醇存在下 ,Cd2 + 与S2 - 反应生成黄色CdS纳米微粒。当CdS浓度小于 5× 1 0 - 4 mol L时 ,它在 4 70nm产生一个最强RRS峰 ,这是由低浓度较小粒径黄色CdS纳米微粒或黄色CdS分子与光源相互作用的结果 ;当CdS浓度大于 7.5× 1 0 - 4 mol L时 ,在 5 2 0nm产生一个最强的特征RRS峰。黄色CdS纳米微粒体系在可见光区无吸收峰。当CdS纳米微粒的浓度在 7.5× 1 0 - 4 ~ 2 .0× 1 0 - 3mol L范围内 ,所得纳米粒子的粒径为 4 3nm。实验表明 :光源发射强度分布和CdS纳米粒子的形成是产生其RRS光谱峰的主要原因 相似文献
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硫化镉纳米粒子的合成及荧光猝灭法测定Cu 2+的初步研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以淀粉为包裹剂,硫脲为硫源,通过简单且“绿色”的途径,在水溶液中成功地合成了淀粉包裹的CdS纳米粒子。研究了纳米粒子的大小,不同的硫源、pH值、反应时间等条件因素对其吸收光谱和荧光光谱特性的影响,并以该纳米粒子作为荧光探针,初步探讨了痕量铜离子对其的荧光猝灭作用。结果表明:在最佳实验条件下,在2.0~50μg/L测定区间内铜离子呈现良好的线性(r=0.9986),证明该方法灵敏度高且简便易行,有望进一步开发其在生物样品微量元素分析中的应用。 相似文献
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硫化镉准纳米圆球的人工活性膜法控制合成及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
首次利用胶棉人工活性膜板,在0.1mol/L CdCl_2溶液和0.1mol/L Na_2S溶液 组成的隔膜组装体系中,成功制备了硫化镉准纳米圆球。产物粒径范围80~280nm ,平均粒径~170nm,圆球边界清晰,为立方闪锌矿多晶结构,晶格常数a=0. 5818nm。光学性质研究表明,当激发波长为390nm时,出现了波长为480nm的蓝光和 535nm的绿光两个发射峰;紫外-可见光谱在475nm处有最大吸收,与常规材料相比 “蓝移”了40nm,表现出明显的量子尺寸效应。另外还对产物合成机理进行了探讨 。 相似文献
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半导体纳米粒子的基本性质及光电化学特性 总被引:35,自引:0,他引:35
半导体纳米材料因受尺寸量子效应和介电限域效应等特性的影响,往往具有不同于块体材料和原子或分子的介观性质,在材料学,物理学,化学,催化和环保等方面具有广泛的用途,本文介绍了半导体超微粒的基本性质和光电化学特性以及在光能利用方面的应用前景。 相似文献
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巯萘剂表面修饰的CdS纳米微粒的合成及发光特性 总被引:6,自引:0,他引:6
用疏萘剂(TN)作为表面修饰剂,在甲醇溶液中合成了CdS/TN纳米微粒,用TEM测得纳米微粒呈球形,其粒径约10nm,吸收光谱和荧光光谱研究表明,[S2-]/[TN]浓度比、TN和镉离子的浓度对CdS/TN纳米微粒的粒径及发光特性具有显著影响,且随着条件的改变,CdS/TN纳米微粒的发射波长红移100nm,表现出明显的量子尺寸特性.XPS显示所制得表面修饰纳米微粒的核为CdS. 相似文献
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水热法合成CdS/ZnO核壳结构纳米微粒 总被引:31,自引:0,他引:31
以半胱氨酸镉配合物为前驱体,采用水热法合成CdS纳米微粒,并以ZnO对其进行表面修饰,形成具有核/壳结构的CdS/ZnO半导体纳米微粒,CdS纳米微粒表面经ZnO修饰后,其带边发射大大增强,透射电镜显示,110℃下反应4h所得的CdS/ZnO颗粒尺寸约为20nm,电子衍射表明其结构为六方相。 相似文献
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A. E. Raevskaya A. L. Stroyuk S. Ya. Kuchmii 《Theoretical and Experimental Chemistry》2005,41(3):181-186
We have shown that CdSe/CdS nanocomposites can be obtained in a photocatalytic reaction with participation of CdS nanoparticles from sodium selenosulfate. We have studied the kinetic characteristics of this process in detail and have shown that its most likely mechanism includes a step involving reaction between SeSO3/2− anions and electrons generated in the conduction band of the CdS nanoparticles during irradiation and stabilized in traps on the semiconductor surface.__________Translated from Teoreticheskaya i Eksperimental’naya Khimiya, Vol. 41, No. 3, pp. 171–175, May–June, 2005. 相似文献
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CdS纳米粒子的水热微乳法制备 总被引:11,自引:0,他引:11
0引言CdS是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体,其独特的光电化学性能引起人们的广泛关注,而其性能与晶粒尺寸、晶体结构等密切相关,因而CdS的纳米结构的研究备受关注[1 ̄3]。目前,制备CdS纳米粒子的主要方法有溶剂热法[4],化学浴沉积法[5],微乳液法[6]等。微乳液是合成球形纳米粒子的良好介质,具有实验装置简单,操作方便,应用领域广并且有可控制微粒的粒度等优点[7]。但其在室温条件下合成的CdS粒子的结晶性较差,严重影响其光电性能。Gan和Liu等[8]曾在NP5-NP9/PE/SOL微乳液中,在室温及水热条件下合成ZnS:Mn发光纳米材料,来提高在微乳液中制… 相似文献
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低温固相反应法合成水分散性CdS纳米晶 总被引:9,自引:0,他引:9
A novel solid-state method for the preparation of the CdS nanoparticles at the room temperature has been developed. The nanoparticles were characterized with FT-IR, XRD, TEM, XPS and PL techniques. The results indicated that the surfaces of the CdS nanoparticles were modified with sodium thioglycollate and thus they were water-dispersive. The mean particle size was about 3~5 nm. A blue shift has been observed in the photoluminescence emission spectrum. 相似文献
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CdTe/CdS量子点的Ⅰ-Ⅱ型结构转变与荧光性质 总被引:4,自引:0,他引:4
制备了壳层厚度可以精确控制的CdTe/CdS核壳量子点, 利用紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、透射电镜和时间分辨光谱等技术, 分析了CdS壳层厚度对CdTe量子点的荧光量子产率和光谱结构的影响规律. 发现了不同于CdSe/CdS, CdSe/ZnS, CdTe/ZnS等核壳量子点的荧光峰展宽、大幅度红移以及荧光寿命大幅度增加现象. 根据能带的位置关系, 随着CdS厚度的增加, CdTe从Ⅰ型结构逐渐过渡到Ⅱ型核壳结构. 对于Ⅱ型CdTe/CdS核壳量子点, 不仅存在CdTe核区导带电子与价带空穴间的直接复合, 还存在CdS壳层导带电子与CdTe核价带空穴界面处的间接复合, 发光机制的变化导致荧光峰的展宽、明显红移和荧光寿命的增加. 当壳层过厚时, 壳层表面新引入的缺陷会阻碍荧光寿命和量子产率的进一步提高. 相似文献
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