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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究. 实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能. 研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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主要探讨碳纳米管场发射特性的理论,希望能将碳纳米管所拥有的绝佳场发射结果应用在场发射显示器与其他电子元件上。本文首先对碳纳米管的场发射特性进行了理论分析与应用价值的讨论,由分析可以看出,碳纳米管的场发射特性是会受到彼此间屏蔽效应的影响的。最后,本文分析归纳出与碳纳米管场发射特性相关的各种因素,这对日后研究碳纳米管在场发射显示器上的应用会有不错的帮助。 相似文献
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纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性 总被引:2,自引:1,他引:1
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54一135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h—BN)相(1380cm^-1和780cm^—1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。 相似文献
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基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能. 相似文献
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A low turn-on field electron emission from diamond-like carbon films has been observed for the first time to author‘s knowledge,Carbon films were prepared by micowave plasma chemical vapor deposition(CVD).Special pretreatment ceramic substrates were used.The characteristics of the film have been identified by using X-ray diffraction(XRD),and Raman spectrum.The field emission experiment has been performed in a vacuum chamber with a base pressure of about 10^-5Pa.The turn-on field of 1.2V/μm,and the current density of 1.25 mA/cm^2 at electric field of 6V/μm were obtained. 相似文献