电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击，对比了冲击前后探测器的电阻温度特性，并用该参数研究了器件的电学参数；测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命. 实验结果显示：短时间（42mA, 70h）的电流冲击对探测器性能影响不大，探测器组分减小，截止波长变长；冲击时间长到（42mA, 100h）一定程度后，探测器性能有不同程度的下降，组分变大，截止波长变短. 这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应，从而使器件截止波长发生变化.     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.     

室温长波光导探测器研究

从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器,提出了室温光导半导体的广义优值,计算了10.6μm HgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器,描述了它的性能。结果表明10.6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10~8cmHz~(1/2)/W,已接近一般的热敏型探测器性能。     

室温长波光导探测器研究

从理论和实验上详细研究了室温长波HgCdTe光导探测器，提出了室温光导半导体的议优值，计算了10．6μmHgCdTe探测器的优值和极限性能与组分和掺杂的关系。用HgCdTe外延层制作了光导探测器，描述了它的性能。结果表明 10．6μm室温光导探测器的最佳探测率可高于1×10^8chHz1/2/W，已接近一般的热敏型探测器性能。     

长波光导HgCdTe探测器芯片钝化研究

在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化实验，得到了比较可靠的表面钝化层，并制造出了高性能、耐高温环境试验的实用化擦探测器芯片，文章对表面钝化层进行了分析。     

105K工作温度的多元长波光导碲汞探测器

文章报道了空间多谱扫描仪工外波段多元光导碲镉汞探测器的研制与优值。重点研究并解决了多元器件光谱曲线不一致性的问题，简述了器件的优值波段响应率Ｒ＾Δλ１，波段探测率Ｄ＾＊Δλ和单色响应率Ｒλ的测试定标方法，以及器件控空间环境使用要求经历老练和环境条件试验的情况。测试结果表明多元件性能稳定可靠，各项指标均达到空间多谱扫描仪的技术要求。     

长波光导HgCdTe探测器的输运特性

测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．探测器的性能与最大电阻温度有对应关系     

采用叠盖电极的高级长波60元光导探测器

介绍一种采用叠盖电极制备高级长波60元探测器的方法,并进行了较深入的实验,证明此方法是一种行之有效的提高光导探测器的技术。并在此基础上,确定了器件的最佳工作条件,而且证明应用有叠盖电极的器件是有方向性的。     

长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性

从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.     

Large-Format and Long-Wavelength Infrared Mercury Cadmium Telluride Detectors

Due to continuous improvement of traditional liquid-phase epitaxy n-on-p technology, excellent mid-wavelength infrared HgCdTe (MCT) detectors with 1280 × 1024 pixels and 15 μm pitch size have been produced at AIM. At an operating temperature (T _OP) of 80 K, a noise equivalent temperature difference (NETD) of 17.8 mK and an operability of 99.96% have been obtained. At T _OP = 130 K, the operability remains high at 99.58%. On the basis of these results, the sensitivity of this detector design has been extended into the long-wavelength infrared (LWIR) region, obtaining a detector with an NETD of 30.4 mK and an operability of 99.81% at T _OP = 80 K. In parallel, the growing maturity of molecular-beam epitaxy (MBE) growth of MCT on GaAs substrates has led to an improvement of the performance of the MWIR 640 × 512, 15-μm-pitch detector from an operability of 99.30% in 2011 to 99.83% recently.     

碲镉汞探测器的表面钝化

讨论表面钝化的概念、特性和作用,比较各类钝化技术及用于碲镉汞红外探测器的适应性.     

Hg_（1－x）Cd_xTe双色红外探测器装配工艺

简要介绍了研制叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配过程，对器件装配前后的测试结果进行了比较分析，发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配工艺是可行的。     

GexSi1—x／Si异质结长波长红外探测器

描述了 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结长波长红外探测器的基本工作原理及结构,并结合器件介绍了实现异质结生长的各种工艺,如 MBE,CVD 等。     

Temperature Dependence of Novel Single-Photon Detectors in the Long-Wavelength Infrared Range

Novel single-photon detectors, called Charge-sensitive Infrared Phototransistor (CSIP), have been developed in the long wavelength infrared (LWIR) range. The devices are fabricated in GaAs/AlGaAs double-quantum-well (DQW) structure, and do not require ultralow temperatures (T < 1 K) for operation. Figures of merit are determined in a T-range of 4.2 K∼30 K by using a homemade all-cryogenic spectrometer. We found that the photo-signal persists up to around 30 K. Excellent specific detectivity D ^* = 9.6 × 10¹⁴ cm Hz^1/2/W and noise equivalent power NEP = 8.3 × 10⁻¹⁹ W/Hz^1/2 are derived up to T = 23 K. The dynamic range of detection exceeds 10⁶, roughly ranging from attowatt to picowatt levels. These values are by a few orders of magnitude higher than that of the state-of-the-art values of other detectors. Simple planar structure of CSIPs is feasible for array fabrication and will make it possible to monolithically integrate with reading circuit. CSIPs are, therefore, not only extremely sensitive but also suitable for practical use in wide ranging applications.     

双色碲镉汞红外焦平面探测器发展现状

主要介绍了双色碲镉汞红外焦平面阵列的应用需求和国外发展现状,对其工作模式、器件结构、器件制备的关键工艺技术、双色读出电结构进行了阐述说明。     

短/中波双色碲镉汞红外探测器制备研究

报道了基于分子束外延的短/中波双色碲镉汞材料及器件的最新研究进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并通过提高材料质量将其表面缺陷密度控制在300 cm-2以内.在此基础上进一步优化了芯片制备工艺,尤其是在减小像元中心距方面作了优化.基于上述多项材料及器件工艺制备出了320×256短/中波双色碲...     

Uniformity of Electrical Parameters on MCT Epitaxy Film

For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature, Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares, then their Hall coefficients and mobilities are measured and analyzed, respectively. Two films were Hall-tested during the temperature range from LHe 4. 2K to about 200K. An actual impression on the uniformity of electrical parameters for MCT film can obtained by means of the methods presented in this paper.