基于电阻补偿技术的低温漂电流源的设计

介绍了一种采用补偿电阻的方法获得低温漂电流源的设计思想.基于Chartered 0.25 μm 工艺电阻模型的分析,提出采用两种电阻相互补偿的方法,获得具有低温度系数的电阻值,从而优化了输出电流的温度特性.仿真结果表明,输出电流的温度系数为33×10-6/℃.针对非理想参考电压的情况,给出了提高输出电流稳定性的分析以及解决方法.     

一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

设计一种增强型的共源共栅电流镜。通过放大器的负反馈,这里设计的电流镜在不增大基本电流镜输入阻抗的基础上,具有比传统电流镜更高的输出阻抗和更高的电流匹配精度,同时该电流镜也有高于传统共源共栅电流镜的输出电压摆幅。采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,在3.3 V电源电压,输入电流为10 mA时,该电流镜的输出阻抗达到200 MΩ以上,输出电压摆幅为0.2~5 V,电流匹配精度误差小于0.016%,电流一致性误差小于0.5%。     

高频下保持高输出阻抗的双极电流源

基于仪器和运算放大器的传统电流源和电压/电流转换器在低频下提供很高的输出阻抗,这是因为放大器具有良好的低频CMRR(共模抑制比)。在较高频率下,降低的CMRR、固有的输出电容、转换率的局限性阻止了高质量电流源的实现。     

一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器

设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V, 0.25 μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明, 开环直流增益为86 dB,单位增益带宽为200 MHz,相位裕度为80°.     

一种新型高输出阻抗,高电流匹配精度电流镜的设计

电流镜是模拟电路设计的基础单元之一,在高性能模拟电路设计中,电流镜的电流匹配精度和输出阻抗是决定电路性能的最重要的参数之一.设计一种新型高输出阻抗、高电流匹配精度电流镜,采用了一种新颖的五级负反馈增益方法来增加电流镜的输出阻抗,同时还通过改进DMCM电路结构提高了电流镜的电流匹配精度,使得设计的电流镜在任何Iin下都保证有较高的电流匹配精度,而且这种新型电流镜也有近似于传统两级共源共栅电流镜的摆幅.采用TSMC 0.18 μm,1.8/3.3CMOS标准工艺,在3.3 V电源下,输出阻抗能达到18 GΩ以上,并且电流匹配精度接近于0.01%,输出电压摆幅为1.28～3.3V     

一种电阻温度补偿电流基准源

本文设计了一种简单的一阶温度补偿电流基准源.主要利用电阻的温度系数与阈值电压VTH温度系数相同的特性实现温度补偿原理.该主体电路采用低压共源共栅(即CASCODE)结构,不需要运放,易于补偿.整个电路采用0.5μm标准CM0S工艺,并用HSPICE仿真分析表明该电路在0～100℃范围内且在工艺变化(容差分析)时基准电流变化不超过3.1%.     

一种高绝缘电阻测试仪的设计

绝缘电阻测试仪是电工测试的重要仪表,目前国内的高绝缘值电阻测量仪表设计还是空白.本文提出了一款基于微电流检测的绝缘电阻测试仪的设计方案.该方案将电阻的检测范围提升到TΩ,并且具有良好的准确性和实时性.     

一种用于新型非致冷红外焦平面阵列读出电路的基准电流源

设计了一种用于新型非制冷红外焦平面阵列读出电路的低温漂、无电阻基准电流源。首先通过二阶补偿的无电阻带 隙基准电路得到基准电压$V_{_{REF}}$,然后将其接到一个NMOS输出管上;通过调节$V_{_{REF}}$使得该输出管工作在零温 漂区,最终产生一个与温度无关的基准电流$I_{_{REF}}$。在CSMC 0.5$\upmu$m CMOS工艺条件下,采用spectre软件进行了模拟验证。 测试结果表明,在0℃ $\sim$ 120℃的温度变化范围内,输出电流的波动小于4$\upmu$A;当电源电压为3.3V时,整个电路的功 耗仅为0.94mW。     

一种高性能电流源系统及稳定性分析

给出了一种可用于校验各种交流电表的高稳定性电流源系统。在放大器中引入前馈补偿的同时，系统采用了输出电流的反馈控制技术。对系统的稳定性进行了分析和测试，结果表明：该电流源输出电流的波形失真度不大于0．1％，长期稳定度优于0．02％，具有良好的负载特性。     

一种低电压高精度CMOS基准电流源设计新技术

介绍一种新的在0.25μm混合模拟工艺电路中使用没有任何外围元件的基准电流源设计电路。该电路基于一个带隙电压基准源(BandgapReference,BGR)和一个类似β乘法器的CMOS电路。其中β乘法器中的电阻用NMOS晶体管代替以获得具有负温度系数的基准电流源;同时,BGR电压的正温度系数抵消了β乘法器中负温度系数。使用Bsim3v3模型实验的仿真结果说明-20℃到+100℃温度范围内基准电流源最大波动幅度小于1%,1.4～3V电压范围内片上所有电阻具有±30%的容差。     

A Novel High Output Resistance Current Source Based on Negative Resistance

给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法.利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达109Ω,同时,该电流源频带宽度为1.04GHz,在-40～145℃之间,电流源的温度系数只有10.6ppm/℃.     

新型恒压控制型负阻HBT的研制进展

研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT.超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证.双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件.双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性.3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点.     

一种新型结构的光电负阻器件

提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型.     

信号源内阻对负反馈放大器反馈深度的影响

负反馈放大器反馈深度与信号源内阻关系是一个易被误解的问题。本文在讨论负反馈放大器输出量对输入量调节控制作用的基础上．从闭环源电压增益的角度定量分析了信号源内阻对串联负反馈放大器和并联负反馈放大器反馈深度影响的重要问题,并在此基础上,对信号源内阻对负反馈放大器反馈深度的影响进行了物理解释。     

基于压控电流源的铂电阻测温非线性校正设计

铂电阻因其高精度、高稳定性、可重复性以及可互换性的特点,作为温度传感器在工业领域以及航天领域被广泛应用。针对铂电阻的非线性特性,提出了一种基于压控电流源的铂电阻测温非线性校正设计方法。利用测量系统的输出值微调铂电阻的激励电流的方法,抵消非线性误差,提高输出信号的线性度,具有参数计算简单、电路实现方便的优点。该方法应用于某在轨辐射定标系统,进行了相应的电路设计,采集了实际实验数据。实测数据表明,采用该方法能在-40~70℃的范围内将由铂电阻温度传感器非线性产生的测量误差改善为约0.016℃,提高了温度测量精度。     

一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源

基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源。基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源。电路设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS数字工艺技术。在1.5 V电源电压下,电路输出1.701μA的稳定电流,在-40℃到150℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4μA/℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力。电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB。基准电路在高于1.2V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性。     

基于单片机控制的高精密直流电流源的设计

详细阐述了用单片机进行高精密直流电流电流源的设计,该电流源采用AT89S系列52单片机控制,使用D/A输出、A/D采样,形成闭环控制系统。实验结果表明,本系统具有输出电流范围大、运行稳定、电流纹波小、控制响应快等特点,系统输出最大电流值为5 A,精度高达10[-3]A。     

二端负阻元件的计算机仿真综合

以分段线性（ＰＷＬ）一端口电阻网络综合的一般方法为基础，着重介绍了如何构造适合于ＰＳｐｉｃｅ的负阻元件基本积木块（ＮＥＢＢ）的方法，分析了该方法的原理。     

基于镜像电流源与电压源偏置的功率放大器

为了进一步提高音响功放的工作稳定性和性能,可采用镜像电流源代替输入级、推动级的集电极负载电阻,能提高功放电路的电压转换速率,采用电压源代替输出级的偏置电阻,使输出级工作于甲乙类状态,有利于提高工作的稳定性,降低非线性失真,功放的性能得到显著提高。而采用镜像电流源与电压源组成动态偏置电路,使输出级在小信号输入时工作在甲乙类状态,大信号输入时工作在甲类状态,既具备甲乙类功放的高效率、低失真,同时又能扩展放大器的动态范围,进一步降低大动态失真,取得明显的效果。     

大功率电源上电冲击电流限制电阻的设计

针对含有较大储能电容的整流滤波电路在上电瞬间的冲击电流限制问题,分析了限流电阻功耗与电容储能之间的关系,指出限流电阻的关键参数是热容量而不是散热功率,给出了典型功率电源限流电阻的绕线直径和长度的计算公式及常用设计数据,指明在工程实践中,用铜丝为大功率电源绕制限流电阻不但成本低、体积小,而且简便易行。