场致发光磷光体

综述了硫化锌一类场致发光磷光体的性质。过去,这些磷光体由于材料的限制而带来的亮度低、寿命短以及驱动的问题,仅有少数可以应用的器件。对交流激发的ZnS:Mn蒸发薄膜和直流激发的ZnS:Mn、Cu粉末层这两种特殊的结构形式的性质进行了仔细的讨论。它们表现出高效率、可在低占空因数下使用、具有高反差度、高对比度和可供使用的寿命这样一些特性。此外,基本工艺能够提供廉价而结实的器件,这些器件可以作成各式各样的符号组合以及各种大小。可以得出结论,这一技术对显示系统提供了潜在的优越性,为了满足今后对显示的要求,特别是在成本和坚固性受到苛刻限制的那些场合,它应被看作是一种很有生命力的候选方案。     

对直流场致发光磷光体的进一步研究

目前,粉末ZnS·Mn,Cu系统直流场致发光体,在100伏和5mA/cm 条件下,可以很容易地达到250呎朗伯的亮度。在100伏直流电压下连续工作5 小时后,亮度降至100 呎朗伯,在约25小时内,亮度继续下降至50 呎朗伯。以恒定的功率输入,100呎朗伯的亮度曾经维持了 400小时。在 ZnSe:Mn,Cu 粉末磷光体中也得到了直流发光。此外,除Mn所生的橙黄色发光以外,在铒激活的ZnS中看到了绿色直流发光。     

CdS:Cu粉末磷光体直流场致发光(DCEL)性质的研究

1.引言 Ⅱ—Ⅵ族粉末磷光体的直流场致发光(DCEL)还没有像交流场致发光(ACEI)研究得那样深入。几乎所有作过的这方面的工作都是关于ZnS:Cu、Mn粉末磷光体的DCEL的。这个事实使我们有理由对CdS粉末的DCEL感兴趣,因为CdS是著名的发光体和光导体。     

在ZnS场致发光磷光体形成过程中Cu_2S相的作用

硫化锌磷光体的场致发光性能是因为在这些磷光体中有第二相——硫化铜的存在,这一推测到目前为止,无论从间接的或是直接的方面都得到了证实。在制备ZnS场致发光磷光体的过程中形成Cu_2S,现在已是无可争议的事实。可是Cu_2S参与ZnS磷光体场致发光激发过程的性质还不太清楚。 磷光体中这个相的含量和它对场致发光的作用之间的关系等有关资料可能对查明Cu_2S在场致发光磷光体中的作用有促进作     

场致发光显示

1.引言 虽然今天对场致发光显示器件很感兴趣,然而在过去几年里,对它的重视程度是有过很大起落的。早在1937年,Destriau在磷光体粉末上进行了实验,发现直接施加电场可以产生发光。遗憾的是,在科学     

场致发光器件

场致发光屏作为大面积屏或显示器,由于种种原因,没有获得广泛的应用。一个主要的原因是,要获得命人满意的亮度,就要很大的功率。卽使功率损耗不是重要问题,但大量的功耗产生大量的热,就使得屏的各种成分迅速老化,因而使寿命缩短。所以除了一些像夜间光源一类的低功率、低亮度的器件外,其他器件未能成为市售商品。 把发光屏当作一个电容来处理,把它和正好匹配的电感接成谐振回路,并调到谐     

氧化锌的场致发光

其中L_o～an_o,a是电子离化到位置X的激活剂浓度,n_o是在表面(X=0)自由电子浓度,W离子是激活剂离化能量,N是空穴施主浓度,e是元电荷,ε是介电常数,I是电子平均自由程,U是所用电压。 场致发光氧化锌粉沫燐光体,由于它们是采用还原退火制备的,所以具有高量值n的传     

半导体的场致发光

半导体场致发光现在作为商品已肯定是很有吸引力的了。发光二极管的,显示已很普通。一般常见的是新式的手表和袖珍计算机。科学工作者和工程师则经常在各种各样的微小型计算机和台式计算机以及新型电子仪器的读出装置上碰到发光二极管。据权威     

GaN的场致发光

Zn掺杂的GaN场致发光峰在2.6电子伏。认为发光是由于内边界击穿而产生空穴注入的结果。     

新的场致发光显示屏

在现代电子设备中对信息显示器件的需求日益迫切。这种需要包括从数字显示器直到全标度图表显示。传统的显示器件是阴极射线管,或许还附带,例如,机械电气数字指示器。虽然阴极射线管在显示的尺寸和灵活性方面还没有受到挑战,但在电子设备中固体电路日益普及已使人们感到它很苯重而且工作电压很高等缺点。可以直接用固体电路驱动的平板组件(flat—pack)是非常可取的。这种显示器件之一就是场致发光屏。 1907年,马可尼有限公司的H.J.Round首先报导了场致发光现象,当时是用碳化硅晶体作无线电检波实验。但是这一现象一直没有被充分研究,直到二十年代,当时Lossev开始对这一现象进行了     

场致发光符号指示器

所谓场致发光,是指固态物质在电场激发下直接把电能转换成光能的发光。 这种发光的主要装置部件是平板电容器。电容器的两极间夹着绝缘层,其中有均匀分布的晶态场致发光体。电容器的一个极     

直流场致发光器件

一组苏联人在1972年申请美国专利,声称发明了一种改进直流场致发光屏的重复性、亮度和寿命的办法。     

场致发光平板显示

松下电器无线电研究所,研制了可以实现电视显像的场致发光显像装置。在此叙述的就是应用了这个装置的场致发光平板显示。在这个装置里,用场致发光矩阵板来代替了阴极射线管。和普通电视接收机完全一样地把它设计成能接收甚高频电视广播。场致发光矩阵板的大小,相当于13吋=33.02cm的阴极射线管画面,共有52900个像点。这个装置在纽约演技场从3月24日     

搪瓷场致发光屏

照伟大领袖毛主席“备战、备荒、为人民”的伟大教导,根据国防建设和国民经济建设,尤其是近战、夜战的迫切需要,我们乘文化大革命的东风,于１９６７年开始研制搪瓷场致发光屏（图１）．在长春搪瓷厂、天津搪瓷厂和上海搪瓷七厂工人师傅的大力支援下,较短时间内就使搪瓷场致发光屏达到了国际先进水平,填补了国家空白,并已应用干国防和国民经济建设的某些部门．一、搪瓷屏的结构、特点及其应用１．结构搪瓷屏有钢板和铝?...     

直流场致发光光源

在交流下工作的Ⅱ—Ⅵ族粉末场致发光光源已经获得了广泛的实际应用。为了在直流下工作,采用由Ⅲ—Ⅴ族化合物单晶制成的发光二极管,制造这种发光二极管牵涉到很复杂的工艺。发光二极管的辐射面很小,这就大大限制了它实际应用的可能性。因此在直流下工作的粉末场致发光光源还是很有前途的,制造这种光源只涉及一般的发光粉和电介质层的喷涂工艺,而其辐射面可以做得足够大。在场致发光中采用ZnS、CdS:Mn和无机介质可以制成保存物体影像的装置。     

光致发光磷光体发光效率的测量

前言 光致发光磷光体的发光效率通常由能量效率或量子效率来表示。 发光磷光体在激发光的作用下,发光能量E_1和所吸收激发能量E_2(即产生发光的激发能量中被吸收的能量)之比值E_1/E_2=η_n称作该磷光体的能量效率。 量子效率η_ι为发光磷光体发射的光量子数N_1和产生发光的激发光子中被吸收的     

粉碎对磷光体发光的影响

测量了球磨Zn_(0.97)Cd_(0.03)S:Cu·Al和ZnS:Ag,Al磷光体的发光特性。通过粉碎缩小颗粒尺寸,或增大表面积。由于晶体表面上自由载流子的无辐射复合,加大了磷光体发光的损失。在这项研究中,采用的球磨条件,对与发光有关的表面或体内性能没有明显的影响。据估算,磷光体死层的平均宽度约为0.1μ量级。电子束射入磷光体层的穿透距离,随颗粒尺寸缩小而缩短。讨论了颗粒尺寸对决定发光参量的影响。     

铈激活磷光体的发光特性

Ce3+的发光属于f-d跃迁,它的荧光寿命非常短,发射光谱呈现带状,并随着基质的不同,发射峰位置发生显著的变化,能从紫外一直到可见区.Ce3+发射峰位置的变化与基质中直接配位的阴离子、阳离子以及阴离予基团等的变化有关,也受晶场劈裂、Stokes位移的影响.Ce3+发射峰位置的变化与化台物的共价程度有关,并得到一些规律性的结果,这将为材料设讨提供依据.文中对一些典型的Ce3+的能量传递和敏化作用作了介绍.     

粉末材料的场致发光(3)——场致发光的应用

一、场致发光屏的制作 粉末场致发光应用的器件形式,就是做成各种不同类型的发光屏。这种屏的结构类似于一个平板电容器,所以有时候遇到场致发光电容器的称呼。它是由透明导电膜、发光粉和粘结剂、金属电极等主要部分组成的。目前已经实用的有两种,一种是以有机介质作粘结剂、导电玻璃作衬底的玻璃屏,一种是以无机介质作粘结剂、钢板作衬底的搪瓷屏。本文只就有机介质的玻璃屏作一初步介绍。 1.常用制屏工艺。在实验室和工厂中比较常用的制屏方法是刮印法和喷刷法。所谓刮印法,就是把发光粉和粘结剂(如发光     

粉末状氧化铝的场致发光

当用电化学方法制备氧化铝薄膜的场致发光研究较多的时候,粉末状氧化铝的工作还比较少。 本文研究了牌号为“C”的氧化铝微晶粉末的场致发光,它是以重量比1:1混和在聚苯乙烯中。用镀在玻璃衬底上的SnO_2层作为场致发光盒的透明电极。发光强度由光电倍增管—19M记录下来,由它发出的信号或供给示波器C1—19或供给检流计。