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李少清 《固体电子学研究与进展》1990,10(2):236-236
<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源. 相似文献
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本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3~11.6GHz,输出功率大于10dBm. 相似文献
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<正>南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带内功率起伏小,单一的电源供给,接地电感小,稳定可靠及能抑制低频寄生振荡等优点.其外形见封底照片. 相似文献
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低噪声集成压控振荡器声性能分析 总被引:2,自引:1,他引:1
提出了一种低相位噪声时基核心电路的压控振荡器的设计方法。通过对采用由普通差分放大器单元和容性耦差分放大器单元构成的环行振荡器的噪声分析 ,由容性耦合差分放大器单元构成的环行振荡器,因其带通特性和负阻特性而具有较好的噪声能力,可用于对频率稳定度有较高要求的VCO等电路中。 相似文献
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介绍了一种30GHz 单片压控振荡器的设计、制作和性能. 该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计. 根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-Materka FET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值. 测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz. 振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合 相似文献
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利用0.2μmGaAsPHEMT工艺研制了40Gb/s光通信系统中的光调制器驱动放大器。该放大器芯片采用有源偏置的七级分布放大器结构,工作带宽达到40GHz,输入输出反射损耗约-10dB,功率增益14dB,功耗700mW,最大电压输出幅度达到7V。两级芯片级连后,功率增益约27dB,在40Gbit/s速率下得到清晰的眼图。 相似文献
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A Compact Ka-Band PHEMT MMIC Voltage Controlled Oscillator 总被引:2,自引:1,他引:1
A compact Ka-band monolithic microwave integrated circuit(MMIC) voltage controlled oscillator (VCO) with wide tuning range and high output power,which is based on GaAs PHEMT process,is presented.A method is introduced to reduce the chip size and to increase the bandwidth of operation.The procedure to design a MMIC VCO is also described here.The measured oscillating frequency of the MMIC VCO is 36±1.2GHz and the output power is 10±1dBm.The fabricated MMIC chip size is 1.3mm×1.0mm. 相似文献
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宽带GaAs PHEMT VCO设计 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了宽带VCO的设计原理,阐明了设计步骤,采用双变容二极管的新型结构设计了2~4GHz、4~7GHz、7~12GHz和12~18GHz四个宽带GaAsVCO芯片以完全覆盖2~18GHz频段。仿真结果表明本文设计的VCO具有频带宽、负载牵引小、结构简单的特点,有很好的应用价值。 相似文献
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研制了一款60~90 GHz功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR)。采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,功率放大器MMIC的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB。载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz时,该功率放大器MMIC饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz和81~86 GHz典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm。该功率放大器MMIC尺寸为5.25 mm×2.10 mm。 相似文献
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报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片。芯片采用四级放大拓扑结构,在29~32GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25dB,线性增益平坦度小于±0.75dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20%,功率增益大于22dB;1dB压缩点输出功率大于36.5dBm,效率大于18%。 相似文献