掺杂KNSBN晶体吸收对光强的依赖特性

研究了Ｃｏ：ＫＮＳＢＮ晶体和重还原Ｃｏ：ＫＮＳＢＮ晶体中光致吸收的变化特性。Ｃｏ：ＫＮＳＢＮ晶体的吸收系数随泵浦光强的增加而减小，吸收系数变化的最大值为３．２ｃｍ＾－１，重还原Ｃｏ：ＫＮＳＢＮ的吸收系数随泵浦光强的增加而增加，吸收系数变化的最大值为６．５ｃｍ＾－１，在泵浦光关掉后，探测光频率很高的增幅振荡，然后呈现阻尼振荡，采用最近建立的双载流子（电子，空穴）和多重陷阱能级（两个深陷阱能级，两个浅     

光折变晶体Cu∶KNSBN中的浅能级中心

从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能三方面的实验和理论分析 ,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外 ,还存在浅能级中心 ,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。实验发现温度在 36 0K附近有最大的光折变二波耦合 (TWM )增益系数 ,利用双中心双光栅模型对此作了解释 ,阐明了此浅能级中心在光折变效应中的作用。     

光折变晶体Cu：KNSBN中的浅能级中心

从光栅擦除特性、光致吸收和热激光发能三方面的实验和理论分析,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外,还存在浅能级中心,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位,实验发现温度在360K附近有最大的光折变二波耦合（TWM）增益系数,利用双中心双光栅模型对此作了解释,阐明了此浅能级中心在光折变效应中的作用。     

外加电场对掺杂KNSBN晶体空间电荷场的影响

利用掺铈KNSBN晶体,在633nm下观察和测试了外加电场对晶体内部空间电荷场的基频和高阶分量的记录和擦除特性的影响,并对所得实验结果进行了分析。 关键词：     

基于KNSBN:Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN:Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN:Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN:Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

基于KNSBN∶Cu晶体的光折变联合变换相关器

给出基于KNSBN∶Cu晶体的光折变二波耦合联合变换相关器(TBJTC).以KNSBN∶Cu晶体作为平方律转换器,将强度较大且携带参考图象和待识别图象联合频谱的信号光波与一强度较弱的相干平面参考光波同时输入于KNSBN∶Cu晶体,通过光折变二波耦合过程的非线性能量转移,实现功率谱转换,进而实现相关识别.理论分析和实验结果表明,除输入输出外,该光学相关器无需CCD、LCLV等器件和相应的数字处理,是一个全光光学相关器.     

入射光强比对Ce:KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究

实验测量了Ce:KNSBN双光束耦合信号光有效增益G随入射光强比m的变化关系.用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析.结果表明,理论和实验结果定性符合.     

入射光强比对Ce∶KNSBN晶体两波耦合特性影响的研究

实验测量了 Ce∶KNSBN双光束耦合信号光有效增益 G随入射光强比 m的变化关系 .用中间段光折变理论对此变化关系进行了参量理论分析 .结果表明 ,理论和实验结果定性符合     

利用Ce:KNSBN光折变晶体提高光学图像相关模式识别鉴别率

给出了在相干匹配滤波系统中利用Ce:KNSBN光折变晶体非线性特性实现图像边缘增强光学相关模式识别的理论分析和实验结果。实验中自相关峰半最大值宽度降低了75％，自相关峰与互相关峰的强度比增强了近一倍，自相关峰的边瓣强度和互相关峰的强度得到抑制，系统的信噪比和相关鉴别率得到显著提高。     

Ce：KNSBN晶体中光扇效应的响应时间特性研究

以单柬光入射Ce：KNSBN晶体，系统研究了不同入射光波长下，Ce：KNSBN晶体中光扇效应的响应时间随入射光强度及光入射角的变化情况．结果显示，相同的入射光强度及光入射角下，入射光波长较短时，光扇效应到达稳态的时间较短．相同的入射光强度下，随光入射角的增大，响应时间先减小后增大，但不同波长入射光下，最小值对应的光入射角不同，入射光波长为532nm时，响应时间最小值对应的θ为15°；入射光波长为632．8nm时，对应的臼为15．5°．同时研究发现，入射光强度逐渐增大的过程中，响应时间在逐渐减小．     

Ce∶KNSBN晶体衍射特性研究

在非同时读出条件下测量了Ce:KNSNB晶体两波耦合体光栅衍射效率随写入光强比、写入光偏振态和写入光夹角的变化关系,并与同时读出条件下衍射效率变化规律的测量结果进行了比较,发现二者基本一致.利用耦合波理论对实验结果进行了理论分析和拟合,拟合结果和实验数据较好的吻合.     

半无限晶体中慢速运动的表面极化子

本文研究电子与体纵光学声子耦合弱、与表面光学声子耦合强的半无限晶体中的表面极化子的性质.采用改进了的线性组合算符法和微扰法导出了半无限晶体中的慢速运动极化子的有效哈密顿量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对有效哈密顿量,诱生势和有效质量的影响.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明反冲效应中发射和吸收的不同波矢的声子之间的相互作用对有效质量和诱生势的影响随耦合常数αt的增加而增加,对有效质量的影响随坐标z的增加而减小的更多,对诱生势的影响随z的增加而增加的更多.     

SiC晶体生长中流场的优化设计

物理气相输运法(PVT)是实验室最为常见的碳化硅(SiC)大块单晶生长方法.本文在碳化硅晶体生长模型化研究中,针对碳化硅单晶PVT生长过程中的传热传质等现象引入了对流传热中的场协同原理,利用这一原理对生长室内的流场温度场进行了优化,并对改良前后分别进行了数值模拟,研究了该原理对晶体生长的影响.实验室碳化硅单晶的生长成功...     

Ce:KNSBN晶体中双光束耦合的研究

本文对光折变晶体的衍射效率进行了理论性的分析研究,并以晶体Ce:KNSBN(含锗的钾钠锐酸锶钡)为对象进行了实验上的探索.证实其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中以扩散为主.     

微重力下溶液法晶体生长模型中晶体生长界面稳定性的研究

研究在微重力条件下溶液法晶体生长的一个二维数学模型中晶体生长界面的稳定性问题.对晶体生长界面为不同倾斜角度的平面的情况作了数值计算,计算结果表明有可能存在一个稳定的晶体生长界面,它应该是一个在Y=λ这一端向后倾的适当形状的曲面 关键词： 微重力 溶液法晶体生长 二维模型 生长界面的稳定性     

硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究

硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。     

激光场中电子自由—自由跃迁吸收截面

导出了激光场中电子被中心势场散射的以分波相移表示的自由-自由跃迁吸收截面理论计算公式,以激光场中慢电子被He原子势场散射为例做了计算,说明对于自由-自由吸收截面,该公式的计算是有效的、方便的。