氧化物超导体低场临界电流不可逆性和可能的J_c(H)曲线修正

测量了YBa_2Cu_3O_7烧结块材在零场冷和场冷两种条件下外加磁场H_0与样品临界电流密度及磁化强度的关系J_c(H_0)和M(H_0)。认为块样临界电流回线是由于样品内超导颗粒排斥磁场致使样品内场H不同于外加场H_0而引起的。通过对场冷和零场冷样品的J_c(H_0)和M(H_0)曲线的比较,发现块样内外场之差h(=H-H_0)与磁化强度M之间有很简单的线性关系h=KM,其中K为一个与样品几何结构有关的因子。利用这个关系对场冷的J_c(H_0)曲线进行了修正。     

在脉冲强磁场下测量超导体临界磁场

在脉冲强场下测量NbTi的临界磁场H_r(4.2K),结果为115±4kG.同时观察了噪音、焦耳热和“临界电流”等对测量结果的影响.本测量中所用的脉冲磁场之一,可以产生高于400kG的场强,磁体有效孔径为25mm,脉冲宽度为15.6ms.     

用于稀土永磁测量的强脉冲磁场装置

本文介绍了一种高性能强脉冲磁场装置的研究结果.提出了一种提高脉冲幅度和脉冲宽度的简单而有效的方法.     

HIAF-BRing快脉冲二极磁铁磁场测量系统

介绍了强流重离子加速器装置HIAF(High Intensity heavy-ion Accelerator Facility)项目增强器BRing(Booster Ring)快脉冲二极磁铁的性能指标、测量要求和测量方法,描述了快脉冲二极磁铁稳态磁场测量系统及动态磁场测量系统的构成。在稳态磁场测量中,为提高积分磁场测量精度和测量效率,长线圈测量系统采用了on fly技术;在动态磁场测量中,研制了用于磁场延迟及磁场畸变测量的矩阵线圈。通过样机磁铁的测量,完成了测量系统的性能指标验证和磁铁的稳态磁场测量。实测结果表明,样机磁铁的设计和制造均达到了预期指标,并依据测量数据完成了磁铁的二次削斜。     

光学速调管磁场测量和磁场误差分析

 给出了储存环光学速调管磁场的测量结果,包括轴向分布、横向分布均匀度以及积分场分布;分析了磁场分布的随机误差和系统误差,计算了积分多极场的大小; 讨论了非零积分场引起的闭轨畸变和对储存环工作点的影响。     

光学速调管磁场测量和磁场误差分析

给出了储存环光学速调管磁场的测量结果,包括轴向分布、横向分布均匀度以及积分场分布;分析了磁场分布的随机误差和系统误差,计算了积分多极场的大小; 讨论了非零积分场引起的闭轨畸变和对储存环工作点的影响。     

脑磁场的测量与分析

当代对大脑的研究主要分为两个方面:从微观上研究单神经元和亚细包元;从宏观上研究较复杂的、包括行为在内的大脑功能.本文介绍一种研究大脑的介于两者之间的手段——脑磁成象术(MEG),它反映了在细胞结构范围内的脑皮层神经群的活动.由于它对大脑无危害,因而被认为是一种很有前途的人脑功能研究手段. 近十年来,许多新方法被用于人脑的研究,计算机辅助的断层X射线照相术(CT)和磁共振成象(MRI)可精确地研究脑的解剖结构.局部脑血流测量(RCBF)和正电子发射断层成象术(PET)可得到有关脑功能的信息.但是,由于X射线、随时间变化的磁场梯度…     

脉冲磁场下超导体的失超磁场

用脉冲磁场测量了Nb_3Sn螺旋形样品和U形样品的失超电压,发现在失超电压出现前均存在干扰电压信号。根据对这种干扰信号或因的分析和理论计算,找到了这种干扰信号的来源,对螺旋形样品主要是样品的温升;对U形样品则是外磁场变化所产生的感应。通过理论分析找出了确定失超磁场的方法。     

交流磁场振幅和频率对J_c不均匀超导体谐波的影响

本文采用Jc不均匀超导体模型来研究多晶超导体的磁性质,运用非线性磁通蠕动模型,通过数值模拟得到交流磁化率基波及谐波随温度的变化关系.系统分析了交流磁场振幅和频率改变对Jc不均匀超导体交流磁化率基波及谐波的影响.结果表明,交流磁场振幅和频率的变化对交流磁化率的影响存在显著差异,并归因为交流磁场振幅和频率的改变引起的磁弛豫时间的改变不同所致.上述结果为分析Jc不均匀超导体交流磁化率的实验现象提供了相关依据.     

阿秒脉冲产生和测量技术研究进展(特邀)

阿秒脉冲光源诞生于21世纪初,是同时具有阿秒时间和纳米空间分辨率的全相干光源,在近20年的时间里,推动了阿秒科学研究不断取得显著的进展和突破.阿秒脉冲为物理、化学、生物、材料、信息等领域的发展提供了全新研究手段和重要创新机遇.本文介绍了阿秒脉冲的重要发展历程,主要综述并总结了高次谐波、阿秒脉冲产生以及阿秒脉冲测量的关键...     

陶瓷真空室镀膜工艺改进及脉冲磁场时间特性测量

 介绍了合肥光源二期工程注入段陶瓷真空室的改进情况,采用新的镀膜技术,大大改善了脉冲磁场的延时特性,减少了储存环注入时的轨道扰动,提高了注入束流累积效速率。改进了原来的点线圈磁场测量方法,采用带有积分电路及抗干扰措施的双线圈测量装置测量了真空室内的脉冲磁场延时特性,使脉冲磁场延时误差测量的分辨率达到ns量级,给出了测量结果。     

陶瓷真空室镀膜工艺改进及脉冲磁场时间特性测量

介绍了合肥光源二期工程注入段陶瓷真空室的改进情况,采用新的镀膜技术,大大改善了脉冲磁场的延时特性,减少了储存环注入时的轨道扰动,提高了注入束流累积效速率。改进了原来的点线圈磁场测量方法,采用带有积分电路及抗干扰措施的双线圈测量装置测量了真空室内的脉冲磁场延时特性,使脉冲磁场延时误差测量的分辨率达到ns量级,给出了测量结果。     

冲击法测量磁场的误差分析

分别采用探测线圈四次９０°快速翻转法、高斯计法、激磁电流断路法和激磁电流换向法对强磁场进行了测量,分析了各自的方法误差     

霍耳效应测量磁场实验中的副效应及温度对测量结果的影响

讨论了霍耳效应测量磁场实验中的一些副效应及温度对测量结果的影响，分析了产生系统误差的原因及处理方法。     

强流脉冲电子束位置测量探头标定结果不确定度分析

根据探测器测量原理和标定方法、特点,分析其位置测量的不确定度主要来源于测量过程的A类不确定度、B类不确定度和最小二乘法引入的拟合不确定度,确定了各个不确定度的计算方法,得到了探测器的合成不确定度,对于应用于神龙二号直线感应加速器的电阻环和磁探测器,其合成不确定度约为0.1 mm。     

光学高速调管磁场测量和磁场误差分析

给出了储存环光学速调管磁场的测量结果，包括轴向分布、横向分布的均匀度以及积分场分布，分析了磁场分布的随机误差和系统误差，计算了积分多极的大小；讨论了非零积分场引起的闭轨畸变和对储存环工作点的影响。     

电子束二极管脉冲磁场的涡流分析及抑制

针对强流脉冲电子束二极管金属表面涡流引起的器件内部磁场分布不均、电子束辐照材料表面处理效果不佳等现象,提出了多板钢联接式内壁与玻璃外壁相结合的双层结构设计。基于有限元仿真软件对电子束系统的磁场与涡流进行了数值计算,分析了涡流的影响因素和涡流对于电子束源磁场的影响。通过数值计算表明,设计的新型介质壁结构能有效降低涡流对于电子束的影响。该分析为消除感应涡流对真空二极管内部磁场的影响提供了理论依据,具有良好的参考价值。     

脉冲磁场测量小信号高T_c氧化物超导体上临界场的方法

本文讨论了一种脉冲磁场下确定高T_c氧化物上临界场的方法。利用锁相放大器,使测量信噪比提高近二个量级。本文分析了所测量的信号。 确定H_(c2)为磁阻饱和时的磁场。最后测量了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_(3.2)O_y的H_(c2)与温度关系。     

HER磁镜装置中Hα测量及结果

本文描述HER磁镜中Ha面发光度时空分布的测量,发现等离子体发光,扰动,工作模式等呈环状结构;一个良好的热电子环可以抑制扰动环区的低频扰动。     

高温超导圆柱在不同脉冲宽度磁场作用下的温度和磁场分析

多脉冲分段冷却磁化技术是获得强俘获磁场的一种有效方法,近年来受到广泛关注,脉冲磁场的幅值和宽度是影响该方法的两个重要因素。文中通过求解基本的超导电磁场和温度场耦合方程,研究了两种不同脉冲宽度情形下脉冲磁化过程中超导体磁场和温度场的变化。结果表明,宽脉冲作用下超导体在磁化过程中温度较低,分布均匀,而且有更多磁通进入超导体。