共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
本文从分析获得声表面波低损耗的途径出发,概述声表面波低损耗滤波器的最新进展,介绍几种单层工艺制作的实用型声表面波低损耗滤波器结构。并报道我们研究的650MHz高频低损耗滤波器以及10%宽带低损耗滤波器的结果。 相似文献
4.
单相单向换能器的低损耗SAW滤波器 总被引:1,自引:3,他引:1
概述了采用分布式反射的单相单向换能器及其设计,特别推荐了电极宽度控制的单相单向换能器,并报道了我们制作的几种低损耗滤波器结果。单级低损耗滤波器插入损耗为4.7~6.5dB,带外抑制达50dB。两级低损耗滤波器获得带外抑制近90dB,而插损仅为10dB。 相似文献
5.
回顾了低损耗声表面波滤波器的主要设计方法,介绍了镜像阻抗连接换能器结构中调整滤波器带宽的设计技术,给出了在960MHz高频下的两种试验结果,相对带宽分别为1%和2%,插入损耗小于5dB,阻带抑制优于50dB。 相似文献
6.
该文研制了一款频率3.4 GHz的S波段声表面波(SAW)滤波器。该滤波器采用一种由新型谐振器构成的阻抗元结构,能提升抗热释电静电损伤能力,用时可在一定程度上提升器件的功率承受能力。同时研制了尺寸为2.0 mm×1.6 mm的芯片级封装(CSP)基板。采用倒装焊工艺实现了芯片与CSP基板的电连接,降低了电磁寄生影响。结果表明,研制的SAW滤波器频率为3.408 GHz,插损为2.23 dB,8 GHz远端阻带大于30 dB,且实测的功率承受能力达到30 dBm。 相似文献
7.
8.
本文主要叙述了用于通信系统中输入滤波器及其它要求低损耗SAWF的多种实现方法,介绍常用的交叉就指换能器和电极宽度控制的单相单向换能器。给出研制的几种低损耗SAWF的实验结果。 相似文献
9.
10.
一种宽带低损耗表面波滤波器 总被引:2,自引:2,他引:0
阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法,给出了理论计算方法和计算机模拟结果,最后给出制作中心频率为453MHz的声表面波滤波器实验结果,插入损耗为1.9dB,1dB带宽为6.66MHz远端带外抑制大于45dB。 相似文献
11.
12.
13.
该文介绍了基于大机电耦合系数乐甫波模式的超宽带低损耗声表滤波器的开发,基底为15°YX-LiNbO3晶体和铜电极。设计采用修正的耦合模模型进行精确仿真以及模拟退火算法进行谐振器参数的优化。通过假指电极宽度/长度加权来抑制横向模式谐振造成的寄生响应,通过在滤波器表面涂覆黏性膜来有效抑制瑞利波模式造成的寄生凹坑,最终制作出一款中心频率约620 MHz,插损0.94 dB,-1 dB相对带宽14.9%,-3 dB相对带宽18.3%,带外抑制大于40 dB性能较优良的器件。 相似文献
14.
声表面波SAW(Surface Acoustic Wave)就是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减少的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器(IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜,把设计好的两个IDT的掩膜图案,利用光刻方法沉积在基片表面,分别作输入换能器和输出换能器。 相似文献
15.
低损耗宽带高通滤波器BroadbandHighpassFilterwithExtraLowLoss¥//赵清明,张青(西南电子电信技术研究所,成都610041)在某些微波信号接收设备中为了抑制干扰信号,需要在天线馈源后面接一高通滤波器,这就要求该滤波... 相似文献
16.
17.
文章在127.86度Y切X传播的LiNbO3基片上研制了f0=30MHz sh cf gkp pa 19.3%,f0=60.5MHz相对带宽13.2%,f0=80MHz相对带度10%和f0=120MHz相对带宽10%的声表面波(SAW)滤波器,由于器件带宽较宽,其它指标要求也高,采用了性能较好的辛格函数*凯塞尔窗,结合一个多条耦合器(MSC)的结构,对器件进行了双加权,在采取抑制二次效应的措施,特别是V形包络后,通常 带更加平滑,阻带抑制达到50dB以上,极大的改善限器件性能。 相似文献
18.
从分析产生压电漏表面波(PLSAW)的材料和镜像阻抗连接耦合换能器型双通道低损耗结构入手,介绍了宽带低损耗声表面波滤波器的设计方法,在超高频段上,给出了一些我们的实验数据,得到了宽带低损耗、高阻带抑制的结果 相似文献
19.
20.