沉积静电效应及防护研究

简述沉积静电的形成机理，介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电；讨论了沉积静电的放电效应；通过对无沉积、轻度沉积、严重沉积3种静电条件下电磁场天线接收信号的分析，研究了沉积静电对导航系统的影响；针对沉积静电的危害，从沉积静电防护的目标和防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

电子产品中静电防护问题研究

本文介绍了静电起电、静电放电(ESD)的机理及静电放电的危害,进一步阐述了人体感知静电和产品潜在损伤等问题及其产生的原因.针对静电积聚、静电敏感度和静电耦合能量等产生静电放电的前提条件,按照抑制起电、控制积聚的防护原则,提出了减少静电放电危害,提高电子产品可靠性的具体措施,在设计阶段对产品进行ESD防护网络设计,在生产...     

第二代居民身份证制卡工艺静电测量及防护

在第二代居民身份证的制卡制证过程中,静电放电（ESD）现象比较严重,成为主要的失效原因之一.在仔细测量的基础上,给出了整个制卡过程中生产环境的静电电压测量值.这些测量数据,对进一步分析制卡层压工序ESD现象,以及身份证模块ESD指标的确定具有重要的意义.并提出了相应的静电防护措施.     

ESD的防护策略

通过对现行的一些ESD防护方案的分析,发现了它们的缺陷：对电气应力与静电放电区分不清,系统未能有效地识别：提出了确立防护方案的基本条件：明确系统的防护等级,遵从各类标准的性能指标要求,实施ESD管理.并结合生产的实际情况,从防护等级的确立、数据的获取、装置的监控、防护措施的确定以及防护方案的实施,讨论了工业生产中的ESD防护;从包装材料的筛选、包装的检查、包装标注和测试,分析了ESD防护包装的具体实现;从工作面、工作间的测试和接地的有效搭接,研究了ESD的防护与控制策略.     

静电及其防护

静止的电荷有了接地通路时产生静电放电（ESD），在人类的日常生活中这种现象是不可避免地存在的。集成电路技术的发展使电子产品更加小型化和结构复杂性，更易受ESD的攻击，电子制造商每年都因此造成很大的损失。按照防护ESD的五项原则积极防护是电子制造商降低，生产成本，提高产品质量，赢得用户信誉的必由之路。     

电子设备静电放电危害及防护技术研究

随着科学技术的进步,电器和电子设备广泛运用到人们的日常生产和生活中,静电造成的危害已受到世界各国的高度重视。文章对电子设备静电放电危害及防护技术进行了研究,希望能对人们日常用电防护提供部分对策。     

通信领域静电防护初探

近年来随着信息通信的快速发展,静电放电产生的危害在通信设备的生产、封装运输、布置安装,以及信号的发射、传输、接收、信息处理等阶段无处不在,造成的影响有元器件损坏、吸附灰尘影响散热、信号丢失等。通过对静电的认识、影响、防护的探究分析,希望可以提出更好的措施来防护和降低静电带来的危害。     

静电放电(ESD)在电子装联中的危害及防护

通过对静电及静电放电(ESD)的简单介绍,提出了在电子装联中进行静电防护的必要性和基本思路.     

电装车间的静电危害及静电防护

静电放电是一种常见的自然现象,它对电子产品生产、装配的危害所造成的损失是不可估测的.电装车间承担着电子产品装配任务,需要进行元器件焊接、组装、调试、包装等工序,由于接触分离、磨擦、感应等作用产生静电,可随时对产品造成静电危害.分析了电装车间主要静电产生源和静电放电产生的原因、机理及破坏机制,提出了在接地系统、人员、设备以及环境等方面有效的防静电措施.     

静电在SMT行业内的危害与防护

SMT电路板表面贴装技术是当今电路板集成制造领域内普遍使用的一项技术。静电作为一种因摩擦感应而产生的电能,会对SMT制造行业带来严重危害,尤其会对集成电路板上的SSD器件产生伤害。在SMT生产制造过程中开展针对静电产生根源的分析与研究,并对各种SSD器件按照等级特性,进行分级防护,在企业内部建立起一套完整的防护静电措施与制度。这样才能有效杜绝静电在整个生产过程中的产生与影响,保证SMT产品的质量与安全。     

WDM光网络中静态业务的P-cycle保护

P-cycle是一种预先配置的保护方式,在WDM网络中,P-cycle可以提供快速保护倒换和很高的资源利用率,具有很好的应用前景和研究价值.文章研究了P-cycle对于WDM网络中静态业务的保护情况,得出了基本的P-cycle配置策略下的仿真数据,并进行了分析.     

Ne原子射频放电光电流效应及其高激发态能级的测量

1.本文采用射频耦合放电方法,研究了 Ne原子光电流信号的极性     

嵌入静电保护电路板制造技术

静电放电现象广泛存在于电子产品中,其特点是时间短暂、速度快和能量高。静电放电会导致电子元器件失效或存在隐患,甚至导致电子产品完全损坏。传统的表面安装的分立元器件(电涌抑制器)仅能对电子产品提供3%的保护,已经不能满足电子产品对静电保护的要求了。嵌入静电保护电路板的制造技术,主要工艺是将静电保护特殊材料嵌入到电路板内部,从而可以在整体系统上对电子产品进行静电保护。实验证明,嵌入静电保护电路板可以对电子产品提供达到100%的静电保护。     

静态分簇下的大规模分布式天线系统用户调度算法

在大规模分布式天线系统中，静态分簇和用户调度带来的簇间干扰问题会导致系统和速率下降。针对这个问题，提出了一种两阶段贪婪用户调度算法。首先，每个簇内并行实施贪婪用户调度；然后，从全局上再次利用贪婪算法来剔除簇间干扰较大、服务质量较差的用户，使得系统和速率进一步提升。仿真结果表明，随着不同系统参数的改变，两阶段贪婪用户调度算法可有效提高系统和速率。     

舰载电子产品静电危害及其防护

静电放电（ESD）对于电路引起的干扰是电子抗干扰技术中十分重要的一项,目前,电子产品的静电放电敏感度测试已作为电子兼容性测试的一项重要内容,而舰载电子产品中的静电问题尤为重要,本文就静电产生的机理、静电危害及其防护措施展开简单的讨论。     

Current saturation effect for pentacene-based static induction transistor under negative drain-source and gate voltages

Usually, the drain-source current (I_DS) increases with positive drain-source voltage (V_DS) for pentacene-based organic static induction transistor (OSIT) ITO(Source)/Pentacene/Al(Gate)/Pentacene/Au(Drain) and it shows an inherent rectifying property under negative gate voltages (V_G), i.e. the slope of I_DS vs. V_DS curve increases with V_DS but without any current saturation effect. In this paper, we investigated the electrical characteristics of pentacene-based OSIT ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80 nm)/Au under negative V_DS and V_G, and found that I_DS changed from rectifying property to saturation effect when the magnitude of negative V_DS was increased from 0 V to −6 V under negative V_G, and the turn-on voltage (V_ON) moved to larger negative voltages when the magnitude of negative V_G increased and the movement step of V_ON gets smaller after keeping the device for a long time, and the possible mechanisms for such a kind of current modulation were discussed.     

静电感应晶闸管的应用研究

从应用角度出发,测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究.针对应用较多的领域,研究出了四种各具特色、适用不同场合的驱动电路.测试表明这些电路可以使SITH器件达到较好的应用水平.