长波红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍HgCdTe、IrSi、Ce_xSi_(1-x)/p-Si和GaAs/AlGaAs多重量子阱长波红外焦平面阵列的现状及发展趋势。     

俄罗斯HgCdTe红外焦平面探测器的现状

介绍了俄罗斯对HgCdTe红外焦平面探测器的分代标准,及俄罗斯\     

长波红外探测器线列生产的测试方法

本文详细描述长波红外ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）探测器线列生产的设计,制造和测试方法。     

长波红外碲镉汞探测器

1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的。1830年,L.Nobili利用塞贝克发现的温差电效应制成了“温差电型辐射探测器”;     

160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制

报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构；开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术，以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试，器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2，峰值波长为λp=8.1 μm，截止波长为λc=8.47 μm。器件的非盲元率≥98.8％，不均匀性10％。     

GaAs/AlGaAs量子阱长波10.55 μm红外焦平面探测器

利用GaAs/AlGaAs量子阱结构,研制了像元规模为640×512、中心响应波长在10.55 μm附近的红外焦平面阵列器件,与50 K集成式制冷机耦合后,测试了相关性能,其等效噪声温差达到22.5 mK。焦平面组件通过了初步的开关机试验以及热真空试验后,表现良好。考虑封装冷屏导致在面源黑体测试时产生的焦面照度不均匀问题进行了数值计算,并分析了与近似解析计算的误差,表明当F数变小时应当采用数值计算,并认为探测器测试的非均匀性主要由照度不均匀贡献。针对10.55 μm量子阱探测器,利用开源的MEEP FDTD软件,进行了近场耦合的光场分布计算,计算结果表明目前的结构参数在光衍射方面是比较接近优化的。     

长波红外探测器

法国红外公司（Sofradir）推出一种名为维纳斯的长波红外探测器．这是一种紧凑的致冷型焦平面列阵,其规格为384×288元,像元的间距为25μm,最高帧速率为330Hz．这种探测器以HgCdTe为材料,其特点是像元均匀性高,探测和识别距离远,分辨率高,功耗低．这种探测器的应用包括装甲运输、航空飞行器和工业生产过程的控制．     

长波红外焦平面材料技术的进展与新途径

评述长波红外焦平面阵列技术的进展,介绍一种适合于发展长波红外焦平面阵列的新材料—InAsSb 应变层超晶格及其生长技术、发展背景、目前现状,生长这种材料用的分子束外延和有机金属化学汽相淀积工艺及其这种材料的发展前景。     

256×1甚长波量子阱红外焦平面研究

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器由于其所依据的GaAs基材料较为成熟的材料生长和器件制备工艺,使其特别适合于高均匀性、大面积红外焦平面的应用。报道了甚长波256×1元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件的研制成果, 探测器的峰值波长为15 μm,响应带宽大于1.5 μm。在40 K工作温度下,器件的平均黑体响应率Rp=3.96×106 V/W, 平均黑体探测率为D*=1.37×109 cm·Hz1/2/W, 不均匀性为11.3%, 并应用研制的器件获得了物体的热像图。     

红外焦平面非均匀性校正若干方案的设计和分析

首先推导出红外焦平面阵列非均匀性的线性校正方法,之后提出了三种硬件实施方案,分析了其在工程实施的特点和结果上的区别,并讨论了模拟校正、高次函数校正问题以及盲元补偿的实施方法。数字算法可用FPGA 予以实现,校正的最后极限来自红外焦平面阵列响应的不稳定性。     

Comparison and competition between MCT and QW structure material for use in IR detectors

This paper compares mercury cadmium telluride (MCT) with quantum well structures as infrared detection materials, especially for 8–14 μm. The fundamental properties and advantages related to their use in infrared techniques are described. Their limitations and disadvantages and the current state of the art are also discussed. Competition and comparison between the two systems are expected to last for a long time in view of the fundamental advantages and limitations of these materials. In addition, their potential as thermal detection material cannot be ignored.     

发达国家宽带战略及我国与其发展差距分析

介绍国际宽带发展趋势,结合欧盟、美国、日韩等国发布的与宽带发展密切相关的国家战略,分析这些国家宽带战略的定位、战略目标、主要举措等内容;简述我国宽带发展状况,并分析与发达国家的差距,提出我国未来宽带发展的重点。     

浅析发达国家和地区废弃电子电气产品回收处理法规

近年来,很多发达国家与地区已针对同时具有高增长性、高污染性和高资源性的废弃电子电气产品依据＂延伸生产商责任制＂设立了专门的法规。该文对欧盟、美国、加拿大、日本、韩国和中国台湾目前实施的废弃电子电气产品回收利用相关的法律法规进行了分析与比较,并在此基础上对我国的相关法规建设提出了完善建议。     

MCT关断失效分析

模拟分析了 MCT关断失效机理 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中 ,从而造成 MCT的关断失效     

MCT关断失效分析

模拟分析了MCT关断失效机理,并进行了实验验证.结果表明,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中,从而造成MCT的关断失效.     

MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。     

发达国家电信网联网资费研究

本文以部分发达国家为例，介绍了各国遵循的联网原则，采取的不同的电信网联网形式及联网资费，并指出其经验教训。     

红外目标仿真的两种热源模型比较与分析

对地面目标红外场景仿真中使用的\