一种内含D/A转换器的铁氧体驱动器的正向设计

介绍了一种用于相控阵雷达的低功耗铁氧体驱动器和功率MOS管的电路设计，工作在9V时，其功耗小于18mW。该电路内含D／A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路。     

MOS智能型开关电源功率集成电路

本文介绍了一种集成双极型、CMOS和VDMOS于同一芯片上的智能功率集成电路.以开关电源为目标,介绍了各电路功能块的原理,对电路,版图和工艺进行了正向设计.该电路含有分源结构的VDMOS管、CMOS运算放大器,电压比较器,锯齿波发生器,基准电压和内部工作电源的获取等脉宽控制电路,栅驱动、轧启动电路以及过流,过热保护电路.并给出研制结果,实践证明能够组成性能极好的智能开关电源.     

1200 V功率MOS栅驱动集成电路的设计

文章在国内首次设计并研制出1200V功率MOS栅驱劝集成电路。该电路最高偏置电压(Voffset(max))为1200V，最大输出峰值电流为1A，最高工作频率100kHz，温度范围-55～125℃，可同时驱劝系统中用于三相图腾柱式输出的高低端功率器件，是SPIC的一种典型电路。     

一种铁氧体移相驱动器专用集成电路

介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理，电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器，放大器，积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。     

智能功率和高压集成电路及相关MOS技术

本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。     

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺，该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS／LDMOS工艺，芯片面积约50mm^2。基于一种简单的二维模型，认为，在功率集成中，纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点，因此并不特别适合智能功率集成。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

GTR基极驱动厚膜集成电路HL201A

HL201A是西安电力电子技术研究所研制的75A以内GTR的专用厚膜可驱动器集成电路，文中介绍了HL201A的引脚排列、功能和用法。同时介绍了该器件的主要参数和特点，剖析了它的内部结构和工作原理，给出了它的典型应用电路以及用于斩波器系统的实际电路。     

毫米波PHEMT功率单片集成电路研究

介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33～34GHz,P.＞100mW.     

一种适用于锁式铁氧体器件的驱动电路

分析了锁式铁氧体器件的等效负载特性,在此基础上给出了专用驱动电路的设计,并分析了其原理以及应用结果。从中可以看出,该电路能用于驱动所有锁式铁氧体器件,特别适用于驱动锁式铁氧体移相器。     

一种全桥式功率驱动器的研制

介绍了一种全桥式功率驱动器的电路设计。该电路采用厚膜工艺技术制造，具有工作电压范围宽（12～48V）、输出电流大（3A）、速度快、功耗低等特点，简化了外围设计。该电路主要用于驱动直流电机、步进电机、继电器等感性负载。     

在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路

设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电路芯片的实现,为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性．     

X920四路p—i—n开关驱动器专用集成电路的研究

本文介绍了采用Foundy线单元库进行专用ICX920的设计过程,并给出了产品的研制结果,阐述了X920的设计思想、设计要点及加工技术。     

版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响

在商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性.辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特性进行测量.研究表明nMOS总剂量效应对器件的版图结构非常敏感,而pMOS的总剂量效应几乎不受版图结构的影响.     

一种简化的光调制器驱动电路

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间（10%～90%）分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V．而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W．     

堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的计算模型

采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值,研究了Si3N4/SiO2、Al2O3/SiO2、HfO2/SiO2和La2O3/SiO2四种堆叠栅介质结构MOS器件的栅极漏电流随栅极电压和等效氧化层厚度变化的关系。依据计算结果,讨论了堆叠栅介质MOS器件按比例缩小的前景。     

版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响

在商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性.辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特性进行测量.研究表明nMOS总剂量效应对器件的版图结构非常敏感,而pMOS的总剂量效应几乎不受版图结构的影响.