一款采用有源电感的增益可调且平坦的超宽带低噪声放大器

采用有源电感,设计了一款增益可调且平坦的超宽带低噪声放大器(FTG UWB-LNA)。在输入级,采用具有新型偏置电路和RLC反馈的共基-共射放大器来实现良好的宽带输入阻抗匹配;在放大级,采用由新型有源电感与达林顿结构构成的组合电路,来实现增益的可调性、平坦化和幅度提升。在输出级,采用电阻并联和电流镜偏置的共集放大器,来实现良好的输出阻抗匹配。基于WIN 0.2μm GaAs HBT工艺库,对FTG UWB-LNA进行验证,结果表明：在1-6GHz频带内,增益(S21)可以在21.16dB-23.9dB之间调谐,最佳增益平坦度达到±0.65dB;输入回波损耗(S11)小于-10dB;输出回波损耗(S22)小于-12dB;噪声系数(NF)小于4.08dB;在4V的工作电压下,静态功耗小于33mW。     

一种采用有源电感的可调增益小面积超宽带低噪声放大器

设计了一款采用可调谐有源电感（TAI）的可调增益的小面积超宽带低噪声放大器(LNA),输入级采用共基极结构,输出级采用射随器结构,分别实现了宽带输入和输出匹配;放大级采用带有反馈电阻的共射共基结构以取得宽的带宽,并采用TAI作负载,通过调节TAI的多个外部偏压使LNA的增益可调。结果表明,该LNA在2~9GHz的频带内,通过组合调节有源电感调节端口的偏压可实现S21在16.5~21.1dB的连续可调;S11小于-14.7dB;S22小于-19.3dB;NF小于4.9dB;芯片面积仅为0.049mm2。     

采用可调谐有源电感的多频段低噪声放大器

设计了一种采用可调谐有源电感(TAI)的多频段低噪声放大器(MBLNA).在放大级中,由电感值及Q值可多重调谐的TAI与电容值可调谐的变容二极管构成选频网络,并结合共射-共基放大电路,实现对不同频段信号进行选择放大.输入级采用带有输入串联电感与发射极电感负反馈的共射放大电路,实现了 MBLNA输入阻抗的宽带匹配.输出级...     

一种无电感超宽带低噪声放大器的设计

基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款工作在3～10 GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器.该放大器采用电阻负反馈结构,并在发射极并联电容,以补偿晶体管高频增益的下降.仿真结果显示,在整个工作频带内,放大器的增益在22.3 dB以上,平坦度保持在1 dB以内,噪声系数在3.7 dB到4.6 dB之间,输入输出反射系数(S_(11)及S_(22))均在-12 dB以下.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,对于商业应用具有极大的吸引力.     

宽频带低噪声放大器的设计

随着光纤通信、卫星通信向着宽频带方向发展,要求放大器的带宽也就越来越宽。文中设计了一种低噪声放大器,该放大器具有较低的噪声系数,同时工作频带较宽。增益平坦度在工作频段内控制在约1 dB,另外该低噪声放大器的输入输出匹配和稳定性良好。     

1.8 GHz CMOS有源负载低噪声放大器

提出了一种新的变压器型有源电感负载低噪声放大器设计方案。单片无源大电感的品质因数通常很低,因此,需验证变压器型有源电感替代无源电感负载的有效性,与现有的一些单片无源电感负载低噪声放大器进行了比较,结果表明变压器型有源电感负载低噪声放大器可以得到更低的噪声系数。     

一种用于超宽带接收机的低功耗高增益低噪声放大器

本文提出一种工作在3-5GHz的高增益低功耗的差分超宽带低噪声放大器.输入级采用共栅结构以获取宽带输入匹配,同时采用了电容交叉耦合和电流复用技术,从而可以在低功耗条件下获取高增益.采用0.18-um cmos工艺制作出来的样品的测试显示该低噪声放大器在4.4mA电流,1.8V电源功耗下的峰值功率增益为17.5dB,3dB带宽为2.8-5GHz,在4.5mW的功耗下的峰值增益为14dB(1.5V电源下3mA电流).该差分低噪声放大器的芯片面积包括测试pad在内为1.01平方毫米.     

一个采用0.18μm CMOS工艺的3－5GHz超宽带平坦增益低噪声放大器

本论文设计并实现了一个用于UWB脉冲体制的3-5GHz超宽带平坦增益的全差分低噪声放大器。在电路设计上,采用了一种增益平坦化技术,并且利用了串连建峰与并联建峰技术,分别实现了宽带的输入匹配与整个电路大的增益带宽积。同时,利用反馈技术,进一步拓展带宽和削减带内增益波动。此LNA才用SMIC 0.18um CMOS射频工艺流片验证。测试结果表面电路3dB带宽为2.4~5.5GHz,最高增益可达13.2dB,在3－5GHz的带内增益波动仅为＋/- 0.45dB,最低噪声系数为3.2dB．输入匹配性能良好,在2.9~5.4GHz范围内S11<-13dB,电路的输入P1dB为－11.7dBm@5GHz,电路采样1.8v供电,整个差分电路消耗电流9.6mA.     

超高频窄带单级低噪声放大器的设计

文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm×13 mm,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。电路主要用于超高频段微波通信,电路拓扑结构采用反馈型、稳定衰减器法和低端增益衰减法进行设计。生产成品并经测试,该产品性价比高,完全达到了设计要求。     

0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器

设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。     

一种高增益且可调谐的1~3 GHz宽带LNA

提出了一种增益高且增益可调谐的1~3 GHz宽带低噪声放大器(HTG-LNA)。在输入级,采用带有RC串联负反馈的共基-共射电流镜结构,实现了良好的输入匹配,并提高了电路的稳定性;在中间级,采用以有源电感作为负载的共基-共射达林顿电路结构,在保证宽带的同时实现了较高的增益与增益的可调谐;在输出级,采用带有电流镜的射极跟随器结构,获得了较大的输出功率和良好的输出匹配。基于稳懋0.2 μm GaAs HBT工艺进行验证,结果表明,该HTG-LNA的电压增益大于37 dB,最高可达50.7 dB;功率增益大于37.4 dB,最高可达51 dB;最大增益可调谐幅度为2.2 dB;输入回波损耗小于-7.11 dB;输出回波损耗小于-11.97 dB;噪声系数小于3.23 dB;稳定因子大于5.61;在5 V工作电压下,静态功耗小于65 mW。     

A SiGe LC-ladder low noise amplifier with base resistance match,gain and noise flatness for UWB applications

This study presents a 3.1–10.6 GHz ultra-wideband low noise amplifier (UWB LNA) in 0.18 µm SiGe HBT technology. To achieve a good input match, parasitic base resistance in a bipolar transistor and an LC-ladder filter are included into calculations with the common-emitter topology using shunt–shunt capacitive feedback. Both high and flat power gain (S₂₁) and low and flat noise figure (NF) are achieved by adjusting the pole and zero in amplifying stage and quality factors of the fourth-order input network. Design equations for performances such as gain, noise figure and linearity IIP3 are derived especially on gain flatness and noise flatness. LNA dissipates 33 mW power and achieves S₂₁ of 20.65+0.7 dB, NF of 2.79+0.2 dB over the band of 3.1–10.6 GHz. The simulated input third-order intermodulation point (IIP3) is −17 dBm at 10 GHz.     

微波单片集成有源电感

本文介绍了一种由砷化镓单片集成电路工艺实现的Q值相对较高的微波有源电感的新型结构,其电路原理图由三个微波场效应晶体管和一个电容组成.这种微波有源电感具有工作频率高,电感值不受晶片大小的限制,并且具有可受直流偏压控制的特点,在微波电路微型化方面具有较高的实用价值.     

一个高电源抑制比的有源电感射频放大电路

提出了一种使用有源电感的电路实现方案,可用于宽带无线收发机射频放大电路的设计中.分析了有源电感的阻抗与各元件取值的关系,设计了中心频点调节电路和具有鲁棒性的偏置电路,保证工艺偏差和电源电压波动对有源电感的阻抗具有很弱的影响.在SMIC 0.18-μm工艺下进行了电路设计和流片验证,测试结果表明,使用有源电感的射频放大电路,可以得到期望的射频信号,其中心频点的调节范围为0.5～2 GHz, 能够抵御高达0.8 V的电源偏差.     

采用调制晶体管和双反馈回路的有源电感

在共源共栅-共漏有源电感的基础上,联合采用调制晶体管和双反馈回路,提出了一种可在不同频率下获得高的品质因子(Q)峰值,且分别可在大、小范围内粗调和细调电感值的新型宽频带可调谐有源电感。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,利用ADS设计软件进行验证。结果表明,该有源电感在0~8.15 GHz的工作频率范围内,调节主回路的偏置电压,在频率为4.0,4.85,5.95 GHz时,分别获得1 154,6和1 293的高Q峰值。当Q值大于20时,其频率带宽均大于1.5 GHz,可以在43~132 nH之间粗调电感值的峰值。调节从回路的偏置电压,在5.95 GHz固定频率下,获得418~3 517的高Q峰值,且可以在10%比例范围内细调电感值的峰值。     

一种电感值可独立调节的低噪声有源电感

基于回转器-电容原理,联合采用回转电容、可调反馈电阻、补偿电容和噪声抵消支路,提出了一种电感值相对于Q值可独立调节的低噪声有源电感。通过改变正-负跨导器之间的回转电容值来实现电感值的调节。因调节电感值而引起的Q值变化,可通过调节正-负跨导器之间的可调反馈电阻值和伪差分对之间的补偿电容值来共同补偿,从而实现电感值相对于Q值的独立调节。通过噪声抵消支路来降低有源电感的噪声。对该有源电感的性能验证表明,协同调节3个外部偏置电压,可实现电感值相对于Q值的独立调节,在电感峰值变化幅度为175.49%时,Q值的峰值变化幅度仅为4.88%。在0~6 GHz内,有源电感的输入参考噪声电流均小于45 pA·Hz-1/2,噪声较低。     

具有HEMT和MMIC的Ku波段低噪声放大器

本文介绍了由HEMT和MMIC组成的一种新颖的Ku波段低噪声放大器,放大器第一级采用了HEMT和反馈技术以同时获得噪声和增益的最佳化,讨论了这种放大器的设计,MMIC采用了二次混合微波集成,放大嚣输入和输出端均为BJ-120波导。在11.7—12.2GHz频率下,放大器噪声系数小于1.9dB,增益大于27±0.25dB,输入和输出驻波比小于1.4。     

1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现

介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。     

超宽带低噪声放大器线性化技术综述

介绍了四种主要的超宽带低噪声放大器结构,分析了超宽带低噪声放大器主要的非线性来源,阐述了放大器线性化技术原理及研究现状,展望了线性化技术的研究方向。