缓蚀剂对铜作用的激光扫描微区光电化学研究

采用激光扫描微区光电化学显微技术(PEM)对不同浓度下的苯并三氮唑(BTA)及其衍生物4-羧基苯并三唑甲酯与5-羧基苯并三唑甲酯的混合物(CBTME)在硼砂缓冲溶液(pH9.2)中对铜电极的缓蚀作用作了比较研究。研究发现当电位正向扫描至某一电位时,一定浓度的BTA或CBTME作用下,铜电极光响应由p-型转化为n-型,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能,n-型光响应越大,缓蚀剂的缓蚀性能越好,与循环伏安光电流及交流阻抗测试的结果相一致;实验还发现,影响缓蚀剂对铜作用的过程不仅与缓蚀剂本身有关,还与电极电位有关。在一定的电位与一定的缓蚀剂浓度下可观察到铜电极表面共存着p-型和n-型区域及p转n的过程,因此可从微观上观察到缓蚀剂与铜表面作用的过程,为缓蚀剂的应用建立了良好的理论基础。     

激光扫描电化学现场微区光电流图谱技术

讨论了所建立的激光扫描微区光电流图谱测试系统的若干问题及其应用研究实例。实验结果表明：该测试技术是现场研究半导体及具有半导体性质的金属氧化物微区光电化学性质的有力工具，它可以在微米水平上提供许多有关半导体／电解质溶液界面的结构和电子性质方面的重要信息。     

3%NaCl溶液中铜缓蚀剂TTA的光电化学和表面电子能谱研究

本文采用测开路光电压（Ｖｏｐｈ）的方法，检测铜在３％ＮａＣｌ溶液中的腐蚀行为及加入缓蚀剂ＴＴＡ的缓蚀效果的浓度效应，并辅之以表面电子能谱进行研究。结果表明当ＴＴＡ浓度小于１．５×１０＾－５ｗｔ％时，反而加速Ｃｌ＾－侵蚀；当ＴＴＡ浓度大于１．５×１０＾－５ｗｔ％时，ＴＴＡ才起到缓蚀作用。随ＴＴＡ浓度继续增加，ＴＴＡ保护膜变得更致密和更厚；当ＴＴＡ浓度大于５×１０＾－５ｗｔ％时，膜厚不再增加。     

激光扫描光电化学显微技术及其应用进展

综述了激光扫描光电化学显微技术及其在研究金属氢化膜、半导体电极表面修饰、光电化学腐蚀和光电活性物质电沉积过程的应用。     

中性介质中二苯基硫代草酰胺作用于铜电极的腐蚀电化学行为

腐蚀是材料在各种环境作用下发生的破坏和变质 ,遍及国民经济各个部门 ,给国民经济带来巨大的损失。根据工业发达国家的调查 ,每年因腐蚀造成的经济损失约占国民生产总值的 2～ 4% ,我国每年因腐蚀造成的经济损失至少达二百亿元。因此 ,对金属防护的研究具有十分重要的意义。人们一直在不断地研究和使用各种防护方法 ,其中之一就是在腐蚀介质中添加某些化学药品 ,即所谓缓蚀剂。缓蚀剂的研究一直是个十分活跃的领域 ,尤其是随着分析方法、分子结构理论的发展 ,对缓蚀剂的缓蚀机理的研究更加深入。目前 ,应用电化学方法和表面增强喇曼散射技…     

用三电极体系研究铜在微液滴下的电化学腐蚀

由于大气腐蚀高阻抗的特征, 传统的参比电极难以用于大气腐蚀研究之中. 为了获取准确的大气腐蚀电化学信息, 我们需要对传统的参比电极进行修改. 本文在三电极体系中采用修改的参比电极, 通过电化学阻抗和电化学极化两种方法研究铜在含有(NH₄)₂SO₄液滴下的腐蚀行为, 结果表明液滴下铜的平均腐蚀速率随着液滴体积从1到20 μL增加而减小; 当液滴高度不超过850 μm时, 平均腐蚀速率随着液滴高度的减小却迅速地增大. 此外, 电化学阻抗和电化学极化得出的腐蚀速率相一致, 这证明修改的参比电极可以用于液滴下的大气腐蚀研究.     

磷脱氧铜和不锈钢在醋酸介质中腐蚀行为的电化学研究

应用交流阻抗和极化曲线法研究磷脱氧铜和ＳＷ－２０６不锈钢在醋酸介质中腐蚀行为及过程的控制特征，比较介质温度，浓度及溶解氧对这两种金属在醋酸中腐行为的影响，分析其原因所在，为石油化工中的醋酸设备的正确选材及有效防腐提供实验依据。     

n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

二氧化碳在铜氧化膜电极上的光电化学还原

本文研究了CO_2在铜阳极氧化膜电极上的光电化学还原行为,在还原电量小于0.1C时,CH_4 的产率较高;还原电量大于2.0C时,主要还原产物为CH_3OH,还对CH_4的产率随外加电位、还原电量和铜阳极氧化膜制备条件的变化关系进行了研究,并对其还原机理作了初步探讨。     

铜在离子选择性涂层下腐蚀行为的阻抗谱研究

用电化学交流阻抗技术研究了涂装不同离子造反性涂层的铜电极在３％ＮａＣｌ溶液中的腐蚀行为，悄同涂装体系的阻抗谱特征，建立了相应的等 电路模型，由阻抗数据解析的结果，讨论了不同离子选择性涂层对铜的防蚀性能。     

铜表面缓饰的喇曼光谱电化学研究

近年来，随着国民经济的发展，金属缓蚀研究越来越受到人们的重视，在金属缓蚀机理研究中最常用的手段就是电化学方法和现场光谱技术，特别是表面增强喇曼散射光谱技术（SERS）；由于它极大的增强效应，可以用其研究金属表面微量物质的吸附行为．它不需要其它现场光谱技术所必需的高真空、高温等技术，即可得到吸附在金属表面物质的结构信息．本文对两种缓蚀剂［‘］，2一氨基苯并咪吐和6一硝基苯并咪娃在铜表面的吸附行为进行了喇曼光谱电化学研究，通过改变铜电极电位对两种缓蚀剂的各主要喇曼振动谱带进行了观察，对它们在银表面的吸附…     

EDA对铜在稀盐酸中的缓蚀效果及硫离子的影响

应用极化曲线塔菲尔区外推法考察了以乙二胺(EDA)作酸性溶液铜缓蚀剂的缓蚀行为以及硫离子对其缓蚀效果的影响.结果表明,在含有EDA的酸性溶液中加入Na2S使铜的腐蚀电位正移,腐蚀速率降低,缓蚀效率提高.溶液中HS-的存在能对EDA的缓蚀作用产生协同效应,这主要是由于HS-在铜表面的强化学吸附,从而更有利于EDA在铜表面形成CuHSEDA吸附保护层,抑制铜的腐蚀.     

咪唑离子液体对铜在硫酸溶液中的缓蚀作用

采用动电位极化和电化学阻抗谱技术研究了三种新型烷基咪唑离子液体, 1-丁基-3-甲基咪唑硫酸氢盐([BMIM]HSO₄), 1-已基-3-甲基咪唑硫酸氢盐([HMIM]HSO₄), 1-辛基-3-甲基咪唑硫酸氢盐([OMIM]HSO₄), 对铜在0.5 mol·L_-1 H₂SO₄溶液中的缓蚀作用. 实验结果表明: 咪唑离子液体能有效抑制铜在硫酸溶液中的腐蚀, 相同浓度下的缓蚀效率大小顺序为[OMIM]HSO₄>[HMIM]HSO₄>[BMIM]HSO₄. 动电位极化表明三种咪唑化合物的加入对铜的阴阳极腐蚀过程均有抑制作用, 属于混合型缓蚀剂. 电化学阻抗谱用带两个常相位原件的等效电路对含两个时间常数的体系进行拟合, 发现咪唑化合物的添加会引起电荷传递电阻和双电层电容等阻抗参数的变化, 表明此类化合物通过吸附于铜电极与溶液界面起到缓蚀作用, 且这种吸附符合Langmuir吸附等温关系. 吸附过程热力学计算说明咪唑化合物在铜表面发生了自发的物理吸附.     

TiO2单晶的表面光电压谱研究

TiO2由于其优异的光电性质及高的化学稳定性而受到广泛关注,并且被应用于有机污染物光降解[1]、太阳能光电转换[2]等诸多领域.由于制备方法不同,TiO2往往会呈现出不同的光电性质,尽管其晶型与粒度可能相差甚微[3].近年来研究表明,除晶型、粒度等因素外,表面原子排布在决定材料光电性质方面同样有重要贡献[4,5].本文采用表面光电压谱(SPS)及场诱导表面光电压谱(EFSPS)研究了TiO2单晶(001)面的光伏响应.     

Surface Photovoltage Studies of Moisture Sensitive Characteristic of Copper Tetrasulfonato-Phthalocyanine

The surface photovoltaic characteristic of copper tetrasulfonato- phthalocyanine (CuTsPc) in water vapor was studied by surface photovoltage spectroscopy (SPS). It was found that the adsorption of water vapor caused some marvelous changes of the photovoltaic response, that is, the SPS signal diminished rapidly and even reversed; the bands were widened and displayed a bathochromic shift. The dependence of surface photovoltage on the vapor pressure indicates that the reversed signal reaches to a maximum when the vapor pressure is 4.7×102 Pa. The time response velocity, reversibility, selectivity and reproducibili-ty were examined as well. All results obtained show that CuTsPc is of great significance in the manufacture of moisture sensitive devices. In addition, the mechanism of moisture sensitivity is discussed.     

量子尺寸氧化锌颗粒的表面光电压谱研究

氧化锌是极少数几个可以实现量子尺寸效应的氧化物半导体材料[1 ] .传统上 ,这种材料广泛用于陶瓷、压电传感器、催化剂以及发光器件等领域 .随着量子尺寸氧化锌颗粒制备工艺日臻成熟 ,这类材料的应用进一步拓展到光电转换 [2 ] 、光催化[3] 以及化学传感器 [4] 领域 .而在这些领域中的应用都与颗粒的表面性质密切相关 .本工作中制备了两种不同粒径的氧化锌纳米微粒 ,利用表面光电压谱以及电场诱导表面光电压谱对颗粒的表面性质进行了研究 ,并对颗粒的表面态进行了具体指认 .1　实验部分氧化锌纳米微粒参照文献 [5 ,6 ]方法制备 .将 5 .49g…     

电场调制对表面光电压谱的影响

表面光电压谱(SPS)及其应用已有报道。我们将场效应原理与表面光伏技术相结合,创立了场调制表面光电压谱(FMSPS)。本文主要介绍FMSPS的测试原理、直流电场调制对SPS的影响以及部分研究结果。     

化学配比调制表面带弯对表面光电压谱的影响

表面光电压技术发展于六十年代初期，Goodman［‘］曾用来测量半导体中少数载流子的扩散长度．在少数载流于扩散长度的计算公式中，无光照射时的表面带弯K。是极重要的参数，改变K。以检验公式的物理意义尤为重要．但早期的研究工作不能显著地改变Vso值．近年来虽出现了一些调制表面带弯的物理手段，如在涮量电极和样品间加一层铁电晶体【到或花样品两侧施加电场等【司，但其效果均不十分理想．表面光电压技术与化学的联系日益密切，王德军等P问到曾尝试将其应用到化学领域中以研究界面电行转移与固体表面酸度．本文则考虑应用化学方法来…     

7,7,8,8—四氰基对苯醌二甲烷的光伏—气敏特性

用表面光电压谱技术研究了7,7,8,8-四氰基对苯醌二甲烷多晶的光伏-气敏特性。结果表明,在较高真空度条件下,该化合物有两类不同的表面光电压响应峰,分别位于390 nm(P_1)和480 nm(P_2)。探针气体吸附证明,P_1表现出较强的受体性,而P_2则显示出给体性质。给体性分子与该化合物的∏键轨道作用,而受体分子与其C≡N端基作用。     

MMI作为铜的盐酸酸洗缓蚀剂作用机理的研究

用失重法研究了N-甲基-2-巯基咪唑（MMI）在5％盐酸中对铜的酸洗缓蚀性能.探讨了温度和MMI浓度对缓蚀效果的影响，从中得出了MMI在铜表面的吸附等温式，计算了吸附热及MMI的加入对铜在盐酸中腐蚀反应活化能的影响，进而探讨了MMI对铜缓蚀作用的机理.结果表明， 30 ℃下，在5％盐酸中，当MMI的浓度在3 mmol•L－1和8 mmol•L－1之间时,缓蚀率随MMI浓度的增加而迅速增加，当浓度达到8 mmol•L－1时，缓蚀率趋于定值，而当浓度小于3 mmol•L－1时， MMI的加入会加速铜的腐蚀；吸附在铜表面的MMI分子间的作用力整体表现为引力； MMI在铜表面的吸附是吸热反应； MMI的加入降低了铜的腐蚀反应活化能.