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介绍了一种VA模式反射电极偏压的常黑单盒厚半反半透LCD.在透射区,形成连续且均匀的贯穿液晶层的电场;而在反射区,电场则主要由电极表面形状控制.由此,可使透射区的位相延迟约是反射区的2倍.这样一种半反半透LCD不论透射区还是反射区都有很高的光透过率(>90%),同时二者灰阶特性重合度也很好. 相似文献
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给出了一种单盒式透反射型液晶显示器,它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补。这些狭长的公共电极和反射器在透射区域(T区)产生出强劲的纵向电场,而在反射区域(R区)带来微弱的边缘场。无论透射显示模式还是反射显示模式,均给出高的光学效率和良好的匹配灰度。 相似文献
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给出了一种单盒式透反射型液晶显示器,它采用顶板公共电极和底板的反射器形成互补.这些狭长的公共电极和反射器在透射区域(T区)产生出强劲的纵向电场,而在反射区域(R区)带来微弱的边缘场.无论透射显示模式还是反射显示模式,均给出高的光学效率和良好的匹配灰度. 相似文献
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为了同时获得具有高透射率和反射率的液晶显示器,提出了一种采用内部线栅式偏振片(wiregridpolarizer,WGP)的单倍盒间距的半透半反式液晶显示器方法。在反射模式中,液晶盒内嵌的WGP作为依赖于偏振的外界光的反射器;在透射模式中,不需要消色差的四分之一波片。基于液晶盒的初始取向,该器件可用于正常显黑模式(垂直取向)和正常显白模式(扭曲向列相取向)。本文研究了这两种器件结构详细的电光特性,如电压依赖光效率特性和视角特性。 相似文献
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鉴于MIC P -Poly-Si薄膜具有比较好的电学特性和近似半透半反的光学特性,本文提出一种以此用作透反双重功能LCD下电极的LCD基板的设计考虑.并针对MIC多晶硅薄膜在红、绿和蓝三色区的透射率与反射率的差异,采用不同面积的铝反射片巧妙地予以平衡和补偿.校正结果表明在可见光范围内,其红光、绿光和蓝光处的透射率和反射率基本符合白光平衡的要求.用该薄膜多晶硅作LCD像素电极技术制备的AMLCD中,其像素电极既是驱动TFT的漏极的延伸,而铝反射镜又是与TFT的电极连线同层制备.这样,不仅可以制备出性能良好透、反双功能的LCD基板,而且明显简化了AMLCD制备工艺流程.工艺流程的简化将有利降低制造成本. 相似文献
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半透半反液晶显示因其兼具透射型和反射型液晶显示器的优点,具有非常大的环境光适应范围,近年来广泛应用于显示领域。本文通过检索并结合典型申请论述了半透半反液晶显示技术的发展脉络和发展方向,为进一步研究提供了相关参考。 相似文献
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H. J. Yang Y. K. Ko J. Jang H. S. Soh G. -S. Chae H. N. Hong J. G. Lee 《Journal of Electronic Materials》2004,33(7):780-785
The annealing of a Cu(4.5at.%Mg)/SiO2/Si structure in ambient O2 at 10 mtorr and 300–500°C allows for the out-diffusion of the Mg to the Cu surface, forming a thin MgO (15 nm) layer on the
surface. The surface MgO layer was patterned and successfully served as a hard mask for the subsequent dry etching of the
underlying Mg-depleted Cu films using an O2 plasma and hexafluoroacetylacetone (H(hfac)) chemistry. The resultant MgO/Cu structure, with a taper slope of about 30°,
shows the feasibility of dry etching of Cu(Mg) alloy films using a surface MgO mask scheme. A dry-etched Cu(4.5at.%Mg) gate
a-Si:H thin-film transistor (TFT) has a field-effect mobility of 0.86 cm2/Vs, a subthreshold swing of 1.08 V/dec, and a threshold voltage of 5.7 V. A novel process for the dry etching of Cu(Mg) alloy
films that eliminates the use of a hard mask, such as Ti, and results in a reduction in the process steps is reported for
the first time in this work. 相似文献