溅射氧化铁薄膜的Hall效应

在磁场垂直于薄膜表面,磁感应强度B由0—1.4T变化的条件下,测量了溅射氧化铁薄膜的Hall效应。从实验数据得到了Fe₃O₄薄膜和γ-Fe₂O₃薄膜的寻常Hall系数R₀和非常Hall系数R_s,计算出这两种薄膜的Hall迁移率μ_H分别是2.35和1.56(cm)²/V·s。这个结果适合于大极化子导电机制的条件(ν≥1(cm)^关键词：     

Fe/MnPd薄膜各向异性和矫顽力的研究

从理论和实验上对Fe/MnPd薄膜的交换偏置效应、各向异性和矫顽力的增加作了系统的研究.研究表明,在FM/AF结构中,FM和AF的交换耦合作用会诱导系统产生高阶各向异性,在Fe/MnPd结构中获得的单轴和立方各向异性的大小同单轴各向异性与铁磁层的厚度成反比关系一样.同时,铁磁层(FM)和反铁磁层(AF)的交换耦合作用诱导而产生的高阶各向异性的存在是使系统矫顽力增加的重要原因. 关键词：     

激光烧蚀溅射沉积薄膜的研究现状

激光烧蚀溅射沉积薄膜技术是一项新的固体薄膜制造技术.文内简单地介绍了这项技术产生的历史背景、进化过程;根据相关文献,详细描述了这项技术的原理;基于最新资料,全面讨论了这项技术的国内外研究现状;总结了该技术的优、缺点;客观评价了该技术的应用前景和研究意义;并对该技术的今后研究方向提出了建议.     

颗粒大小分布对铁薄膜矫顽力的影响研究

研究了沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的依赖关系。研究发现：在极低温下，矫顽力先随温度增加迅速增大，在临界温度Tc=10-15K左右达最大。超过该温度后。矫顽力又快速下降，至65K后下降幅度减慢。分析表明：高于临界温度时沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的关系强烈地受颗粒大小分布的影响；导致在Tc上、下温区磁化机制的改变可能是与铁薄膜及其氧化层中的无序自旋在低温时出现类自旋玻璃态密切相关。     

颗粒大小分布对铁薄膜矫顽力的影响研究

研究了沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的依赖关系.研究发现:在极低温下,矫顽力先随温度增加迅速增大,在临界温度Tc=10～15 K左右达最大,超过该温度后,矫顽力又快速下降,至65 K后下降幅度减慢.分析表明:高于临界温度时沉积在液体基底表面铁薄膜的矫顽力与温度的关系强烈地受颗粒大小分布的影响;导致在Tc上、下温区磁化机制的改变可能是与铁薄膜及其氧化层中的无序自旋在低温时出现类自旋玻璃态密切相关.     

用于显示器件的溅射薄膜

利用溅射淀积技术直接得到可用于显示器件的透明导体和光导体薄膜。这些器件主要是以铁电陶瓷板或液晶层作为控制介质的光阀结构。淀积技术可以改进,以淀积在包括热敏材料在内的各种基片上。 溅射淀积的透明电极In_(2-x)Sn_xO_(3-y)(ITO)已被淀积在PLZT(锆钛酸铅镧)铁电陶瓷,玻璃和其他基片材料上。ITO薄膜具有极好的附着力,很坚固,而又易于抛光和刻蚀。对可见光透射很好,近红外的吸收由电导率控制。电阻率为3×10~(-4)Ω.cm的薄膜通常注积在热稳定的基片上,而电阻率为10~(-3)Ω.cm的薄膜很容易在热敏基片上得到。 溅射淀积的CdS在Ar莱塞的514.5nm谱线附近有光敏峰,其光导增益为4×10~3,唁电阻率大于10~7Ω.cm。类似的溅射淀积技术也用于制作以Cd_(1-x)Zn_xS为光导体的器件。Cd_(1-x)Zn_xS的组分是变化的,使薄膜的灵敏度峰值在400至500mm之间与莱塞辐射相配合。这些薄膜没有CdS那样的光敏性,但它们可以透过更多的可见光,对投射光源很不灵敏,所以可用于同时读出——写入系统,也能用于实时显示系统。Cd_(1-x)ZnS的暗电阻率决定于组分,但所有薄膜都超过10~(12)Ω.cm。     

氧化铁薄膜制备方法的改进

氧化铁薄膜具有很高的极限磁记录密度．然而，单相四氧化三铁薄膜的制备却对工艺条件十分敏感，并且成膜的饱和磁化强度也远低于块状样品．在溅射过程中引入水蒸气、氧气和氩气的混合气体，一方面可以大大拓宽单相四氧化三铁薄膜的制备条件，另一方面也使得饱和磁化强度增加到４５０ ｅｍｕ／ｃｍ~３以上．本文对不同的氧化铁薄膜制备方法及磁性等进行了比较．     

氧化物薄膜的离子束溅射沉积

用离子束溅射沉积的方法制备的TiO_2、ZrO_2薄膜的光吸收损耗明显降低,对其折射率、光吸收和抗激光损伤阈值等特性进行了分析.     

溅射钆钴合金薄膜的磁性

用射频溅射的方法制备得的钆钴膜具有垂直于膜面的单轴各向异性.电子衍射结果表明薄膜是非晶态的.电子探针分析证明钆和钴的“ 混合” 是均匀的.用极向克尔效应观察了样品的磁畴，并测量了相应的磁滞回线; 发现在一定的工艺条件下, 制备得的样品, 在退磁状态呈现条状畴, 并在一合适的外磁场作用下能转变为磁泡. 关键词：     

Bi置换DyIG溅射薄膜的磁光性能与干涉效应的研究

本文报道用高频溅射法在玻璃衬底上制备的Bi置换DylG薄膜具有高的矫顽力和矩形比。在500nm波长附近,法拉第旋转角达7.5°/μm。经热磁记录的磁畴稳定。并发现薄膜表面蒸镀不同金属时,随不同波长和磁光层厚度干涉效应有较大差异。利用此特性可对石榴石记录盘片进行最佳性能设计。 关键词：     

钙钛矿结构氧化物薄膜 的外延生长

在成功地外延生长超导、铁电、铁磁等多种性质的钙钛矿结构氧化物薄膜的基础上,讨论影响氧化物薄膜 外延生长的一些因素.考虑到相形成和薄膜长征动力学,在利用脉冲激光淀积法外延生长氧化物薄膜中衬底温度是十分重要的工艺参数.衬底温度对成相和生长薄膜的取向都有影响.考虑到薄膜是首先在衬底表面成核、成相并生长.因此衬底材料晶格的影响是不容忽视的.观察到衬底材料对薄膜外延生长温度的影响.在适当的工艺条件下,利用低温三步法工艺制备得到有很强织构的外延薄膜.这突出表明界面层的相互作用对钙钛矿结构薄膜的取向有着相当大的影响. 关键词：     

Ce∶YIG石榴石薄膜制备条件对磁光性能的影响

提出一种新的能带理论模型,讨论Ce替代YIG石榴石薄膜的制备条件对其磁光性能及光吸收的影响。该模型在能带理论的基础上引入了氧空位概念,可以用来解释Ce替代石榴石薄膜制备时,溅射气氛的改变对薄膜中Ce元素价态的影响。而Ce元素价态将直接影响到Ce∶YIG薄膜的磁光性能。此外,当晶格中存在过量氧空位时,会导致部分Fe3+被还原成Fe2+,使得薄膜的光吸收显著增大。     

超细Fe微粒表面氧化层的磁性研究

测量了超细Fe微粒比饱和磁化强度σ_s与平均粒径d的关系,发现σ_s随d的减小而减小;还测量了升温和降温过程中的σ(T),发现σ(T)随T的变化是不可逆的,且始终存在着σ_r(T)<σ_d(T)。上述现象是由于超细Fe微粒的表面覆盖着氧化层,氧化层内存在着自旋钉扎现象所致。 关键词：     

Mo衬底生长金刚石薄膜表面晶形研究

 用HFCVD方法在Mo衬底上进行了金刚石薄膜生长研究，观察到在不同的反应压强条件下，金刚石薄膜晶粒的三种形貌，并且讨论了反应条件对晶粒形貌的影响以及菜花状大晶粒的构成机理。     

硼离子注入多晶铁薄膜的非晶化作用的研究

不同剂量的硼离子注入的多晶铁薄膜的磁导率随注入剂量增加呈现非单调上升,其⁵⁷Fe转换电子穆斯堡尔谱显示了非晶态合金的生成,结果支持临界缺陷密度非晶化模型。 关键词：     

有机复合薄膜中超高密度信息存储研究

利用大气中工作的扫描隧道显微镜，在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上，通过施加电压脉冲法做出了信息点阵，信息点大小为1.3nm.电流-电压特性表明：存储区表现为导体特性，非存储区为绝缘体特性.信息存储实验表明：相邻两个信息记录点的间距可小于2nm,信息存储密度可高达2.5×10¹³bit/cm².对信息存储的机制进行了初步分析. 关键词：     

薄栅氧化层经时击穿的参数表征研究

在恒压应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对击穿电荷Q_BD进行了实验测试和分析,结果表明：击穿电荷Q_BD不是常数,它依赖栅氧化层面积和栅电压.对相关系数进行了拟合,给出了Q_BD的解析表达式. 关键词：     

反应溅射制备a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷的研究

本文通过电导率σ(T)和异质结电容-电压关系(C-V)的测量,研究了反应溅射制备的a-SiGe:H薄膜中亚稳态热缺陷。 关键词：