强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...     

强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究

以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在0¹6 T磁场下、216 T磁场下、2⁴0 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.2¹0K温区随场强的变化差别较小,在1010K温区随场强的变化差别较小,在10³8K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。     

渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究

通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。     

氧化物超导体的磁致电阻特性

对 YBa_2Cu_3O_(7-δ)块状烧结样品的磁致电阻效应进行了研究,发现磁致电阻曲线都具有反常回线,即磁阻变化超前于外加静磁场 H 的变化.对反常回线的微观机制作了定性解释.一些样品的磁阻随磁场变化时,表现出明显的无周期跳跃,对此采用弱耦合颗粒环路模型作了定性分析.一些样品的磁阻曲线上出现量级为10~2Oe 的周期结构,并用约瑟夫森弱连接的超导量子衍射作了半定量分析,估算弱连接结的宽为0.3μ.     

法拉第磁致旋光效应及应用

本文简介了法拉第磁致旋光效应的物理学基础，以及由此原理研制的在自动化工程中常用的两种器件：磁光调制器、磁光隔离器。     

用磁致旋光效应估测二维磁场分布

为了克服现有测量磁场方法只能单点测量的局限性,基于法拉第磁光效应原理,提出利用磁致旋光估测磁场的方法,提高了磁场测量的效率,获得了磁场的直观分布.建立磁致旋光估测磁场的实验装置,测量了永磁体的磁场,用CCD采集了偏振光通过磁场的图像,通过程序处理可获得磁铁产生的局部磁场二维分布图,并可求得二维分布图上任意点的磁感应强度.     

高温超导材料强磁场下的制备研究

得益于低温技术和超导磁体技术的发展，10T以上无液氦超导磁体技术已经比较成熟．作为提高高温超导材料性能的手段，强磁场技术应用于高温超导材料制备过程中的研究得到了广泛开展．本文介绍强磁场下高温超导材料制备研究的现状、进展及发展趋势．     

铂电阻温度计的分度与实验装置

本文介绍了用Ｚ函数简化的铂电阻温度计分度方法和实验装置，在６３．１５Ｋ至２７３．１５Ｋ温度范围内对铂电阻进行温度分度，共精度可优于０．０５Ｋ。     

利用玻莫合金磁阻传感器测量弱磁场

介绍一种新型玻莫合金磁阻传感器，利用玻莫合金磁阻传感器测量弱电流下的亥姆霍兹线圈磁场分布和验证毕奥萨瓦定理。     

无序CuZr和CuY合金的电阻和磁电阻

以熔化-旋转法制备了Cu70Zr30和Cu100-xYx( x = 28, 67)非晶带试样并在1～300 K温度范围内测量了电阻和磁电阻随温度变化的规律.非晶Cu70Zr30电阻率ρ(T)的温度系数(TCR)在整个测量温区内都是负值,并且在两个不同的温区表现出-T1/2行为.对于类似的Cu100-xYx合金系统,在1～200 K温区内也做了同类测量.在低温1～4 K, 两个不同的无序系统CuZr和CuY的 TCR都准确地表现出-T1/2行为,这表明无序系统在极低温条件下的量子相干效应.这主要应归因于在粒子-空穴通道的电子-电子相互作用.而无序Cu70Zr30在宽广的中低温区60～300 K以更大斜率表现出的-T1/2行为,可以用初始定域化理论解释.无序CuZr和CuY的低温磁电阻ρ(B,T)测量结果与定域化理论进行了拟合和讨论.     

磁电子学讲座 第九讲 金属磁性多层膜的结构及其对巨磁电阻效应的影响

介绍了金属磁性多层膜的微结构和磁结构的研究进展,简要综述了磁性多层膜的结构与巨磁电阻（ＧＭＲ）之间的关系     

水平磁场对双层流体热毛细对流的影响

三维数值研究了零重力时水平温度梯度作用下,B2O3封闭液与InP熔液组成的双层流体系统在水平磁场作用下的热毛细对流.结果显示,当磁场强度较小时,上层流体中对流涡的结构变化其微,而下层流体中的逆对流涡得到了抑制;随着磁场的增强,温度场分布逐渐趋于均匀,涡量强度逐渐减小,表明热毛细对流强度逐步地得到削弱.当磁场增强列Bx=0.4 T时,上层流体中的对流涡较均匀地充满上层流体区,而下层流体中对流涡紧贴着交界面.     

高自旋极化氧化物材料的颗粒边界磁电阻效应

颗粒边界磁电阻是高自旋极化氧化物颗粒体系中由于颗粒边界的存在而导致显著的磁电阻效应。本文将这种磁电阻效应定义为颗粒边界磁电阻效应。这里所说的颗粒边界,包括各种自然和人工晶界、粉末颗粒表面、复合材料中的颗粒界面等多种情况;所涉及的材料包括高自旋极化氧化物多晶、压缩粉末和各种复合材料等。对颗粒边界磁电阻效应的研究,不仅有助于人们进一步理解高自旋极化氧化物磁输运性质的基本机制,并为寻求具有高磁电阻效应的新型自旋电子学器件提供理论基础。本文综述了高自旋极化氧化物颗粒边界磁电阻研究的主要背景和发展现状,介绍了该领域中主要的实验发现和理论模型,展望了未来的发展。     

铝电解槽磁场的三维数值计算

应用表面磁荷法对铝电解槽的磁场进行了三维计算,并将计算结果与实际测量结果进行了比较,建立了相应的计算软件,并用于铝电解槽有关设计研究.     

La0.7-xCexCa0.3MnO3低场磁电阻的晶格效应

以稀土元素铈部分替换钙钛矿结构亚锰酸盐中的镧,使A位离子半径减小.由此在晶格中产生的内压将影响到B位d轨道与O位p轨道之间交叠形成的电子活性能带.本文以固相反应法制备了多晶La0.7-xCexCa0.3MnO3样品(x=0,0.05,0.10,0.20),测量并研究了电阻、低场磁电阻与温度(77K～300K)之关系.实验表明,随Ce替代量的增加,磁电阻(MR)峰值无显著变化,而MR峰值出现的温度Tp则递减.关于"减小可能导致Mn-O-Mn键角减小而最终使Tc降低"的见解可解释该实验结果.