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纳米磁性多层膜研究进展 总被引:7,自引:0,他引:7
纳米磁性多层膜具有许多体材料所没有的特殊性质.它的出现为理论工作者研究物质的磁学性质提供了崭新的途径,更重要的是它将作为一种有巨大潜力的信息存贮介质而走上磁记录和磁光记录的舞台,并具有广阔的应用前景.该文是对纳米磁性多层膜出现近十年来各主要研究领域工作的一简要综述. 相似文献
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软X射线光学和周期性多层膜 总被引:2,自引:1,他引:1
本文介绍了软X射线的基本性质,它们和可见光及X射线的性质有很大的差异.这些性质决定了软X射线光学元件的特殊性.过去发展的软X射线光学元件不够理想,影响了软X射线光学的发展.近十年来发展的由轻、重元素组成的周期性多层膜使局面大为改观.多层膜的结构研究有助于指明提高多层膜质量的方向. 相似文献
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研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的F M≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方 向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜 样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向 巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在85MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.
关键词:
多层膜
巨磁阻抗效应
趋肤效应
有效磁导率 相似文献
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本文用直流溅射法在(100)LaAlO3单晶基片上制备了LSMO/PCMO/LSMO三层膜,并研究了三层膜的电,磁特性。在零磁下,三层膜的电阻率随中间层Pr0.7Ca0.3MnO3+δ厚度的增加而显著下降、转变温度向高温区移动。中间层PCMO的作用相当于提供了一个内磁场。 相似文献
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Co-Zr/Pd多层膜由高频溅射方法制得.磁性合金Co-Zr层厚度固定为1.8nm,改变Pd层厚度0.5—6nm.由振动样品磁强计测量,发现随Pd层厚度增加,磁化强度发生周期性振荡变化,周期约为1nm,这是由Pd层的极化振荡引起的.经X射线衍射测得Pd层厚度超过1.3nm时,磁性合金Co-Zr层发生晶化,而厚的Co-Zr单层膜是非晶结构.X射线大角衍射图中的超晶格峰表明,在Co-Zr层和Pd层之间存在相关生长.而且还发现,随Pd层厚度增加,样品在垂直膜面方向的晶粒尺寸及fcc(111)面的面间距发生周期性
关键词: 相似文献
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本文采用随机数的方法,发展了一种普适的多层膜设计方法,这种方法除可设计一般的周期多层膜,更重要的是它可以根据选定的评价因子,设计不同要求的非周期多层膜。用磁控溅射方法完成软X射线多层膜制备,X射线衍射、卢瑟福背散射、俄歇电子谱和反射率的相对测试用来表征多层膜结构和特性,所得结果说明多层膜的结构完整,周期参数正确。用离子束溅射方法成功地制备了有一定反射率和透过率的软X射线半反半透分束镜;分析了Ag和Zr衰减膜中的杂质含量与分布及其对衰减膜特性的影响,并对衰减系数进行了修正,为实验提供优质的衰减膜。 相似文献
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铁磁金属多层膜(81NiFe/Cr)面上刻蚀平行线凹槽(500线/mm)以及多孔超薄多层膜(Co/Cu),在T<4.2K时,磁电阻特性反常。可解释为介观效应。 相似文献
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采用电阻蒸镀的方法将单一C15相ZrV2合金蒸发,经物理气相沉积在Mo底衬上沉积一层厚度约5μm的Zr-V/Mo膜。再将高纯铝(纯度大于99.99%)蒸发至Zr-V/Mo膜表面,从而制备出Al/Zr-V/Mo多层膜。 相似文献
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介绍了在极紫外波段,利用帽层材料来减少多层膜反射镜因外部环境干扰而造成的反射率降低,使多层膜光学元件能够长时间稳定工作.计算了在139nm波长处Mo/Si极紫外多层膜反射镜在表面镀制不同帽层材料时的理论最大反射率,利用单纯形调优法,对帽层和多层膜的周期厚度进行优化,同时把分层理论用于多层膜帽层优化,可使多层膜的反射率得到进一步提高.分析了在加入帽层前后多层膜外层电场强度的分布变化情况.
关键词:
多层膜
反射率
帽层
极紫外 相似文献
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微弧氧化技术是近年来备受关注的一种新颖的表面处理技术。在镁合金的应用技术与开发研究受到了发达国家和政府部门的高度重视的时候,将做弧氧化技术应用于镁合金的表面处理以增强其耐蚀、耐磨性能,止引起人们的广泛关注。本文采用不同的电流密度在AZ91D铸造镁合金上制得氧化膜层.主要研究了电流密度对微弧氧化膜层厚度、硬度的影响规律;分析了膜层的相组成;并且对膜层的耐腐蚀性能进行了评价。 相似文献
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用真空蒸镀方法制备了[Fe/Cr],[Fe/Cr/Si]和[Fe/Si]多层膜.研究了Cr层、Si层和Cr+Si层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响.Fe层厚为2nm,Cr层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡.磁电阻值为14.6%(4.2K).在Cr层中加入一半Si层或全部由Si层替代,振荡消失,磁电阻减小到千分之几.根据掺Si层后多层膜的电阻率变化,认为Si加入使非磁层中自由电子数减少,随之极化效应也变弱,导致振荡消失,磁电阻大为降低
关键词: 相似文献
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报道了用透射电子显微镜对单层YBCO薄膜,PZT/YBCO集成薄膜,STO/GBCO集成薄膜和STO/BTO超晶格薄膜等四种有代表性的薄膜样品的研究结果.在单层YBCO平面样品中观察到镶嵌,在生长在YBCO/STO上面生长的PZT薄膜中,观察到柱状结构.用PLD方法生长的STO/GBCO,YSZ集成薄膜中缺陷很少.虽然GBCO膜的表面并不平整,但仍能生长出c取向的GBCO薄膜.用MBE方法生长的STO/BTO多层膜具有很好的外延特征.由于晶格匹配和层状生长机制所以具有锐的界面.这些结果对改进铁电超导集成薄膜和多层膜制备工艺是有用的 相似文献