利用象增强器构成光电相关鉴相器面阵的研究

本文介绍了利用阴极可控的微通道板象增强器构成面阵型光电相关鉴相器的原理,采用了方波与正弦波相关的方案,在微通道板象增强器的光电阴极加上方波门控电压,把它作为参考信号,测量具有相位差的同频正弦波光信号,研究了它的一些基本特性,给出了这种面型鉴相器的潜在应用.     

国外微光夜视技术的新进展

一、前言微光夜视技术已发展了三代产品。六十年代发展第一代,采用光纤面板耦合的三级级联式象增强器;七十年代发展第二代,采用微通道板(MCP)的象增强器。目前发展的第三代是采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器(其一、二代都采用多碱光电阴极)。     

国外微光象增强器的现状与发展

<正> 一、前言象增强器主要作用是将微弱模糊的象增强为明亮清晰的可见象。从象增强器本身看,现已发展了三代产品:第一代——采用纤维光学面板的级联式象增强器;第二代——采用微通道板(MCP)的象增强器,第三代——采用负电子亲和势(NEA)光电阴极的象增强器。     

微通道板防离子反馈膜阈值电压特性研究

微通道板(Microchannel-plate,MCP)防离子反馈膜是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的特有标志,其主要作用是有效阻止反馈正离子轰击阴极以提高器件工作寿命。微通道板防离子反馈膜的厚度决定了其对电子透过、离子阻挡能力的大小,电子透过能力直接影响图像的对比度和信噪比。根据微通道板防离子反馈膜阈值电压定义和测试原理,对微通道板不同厚度防离子反馈膜、不同工作电压条件下的阈值电压特性进行了测试研究。结果表明:防离子反馈膜的阈值电压随着膜层厚度的增加而增加,两者之间遵循正比的线性关系:Y=3.98X+50;在微通道板线性工作电压范围内,防离子反馈膜的阈值电压随微通道板工作电压的增加而降低,两者之间遵循反比关系。该研究对提高微通道板在负电子亲和势光电阴极微光像增强器中的使用性能具有重要意义。     

夜视象管及仪器特性测试技术讲座(二)

<正> 七、■输入状态下象管的信噪比表征象管对微弱光图象信息极限探测能力的参数主要是信噪比。在象增强器中,输出图象是由许多小的闪烁组成的,每一个闪烁由光电阴极上一个被探测到的光子产生。这种闪烁亮度的随机起伏就是噪声。在低照度下噪声更是微通道板象增强器的重要参量。由于闪烁亮度有一个扩展,所以得到的图象是一个有噪声的图象。在极低照度下,如果象管的输出信噪比下降到人眼阈值信噪比以下时,将看不到图象,其它特性再好也是徒劳无益的。信噪比是指:由标准光源产生一定照度E(1x)的光均匀地照明象增强器光电阴极的一小     

采用微通道板(MCP)增强器的光闸

对18毫米近贴聚焦式微通道板增强器的光电阴极或微通道板进行选通,可获得曝光时间约为1毫微秒的光闸。本文介绍光闸性能的测量结果,包括多个增强器在各种不同的脉冲形态下的总光门、均匀性与时间的关系、分辨率、线性度和动态范围。讨论了与快速选通有关的增强器的参数以及由增强器的几何形状造成的选通速度的局限性。还给出了作过特殊改进的增强器的结果,其中除光电阴极的3毫米×18毫米区域外,全用不透明的金属底涂层覆盖。同时也给出了第三代(GaAs光电阴极)增强器选通的初步结果。各种光闸性能评价用的表征方法也在讨论之内,许评论了增强器选通用的快速电脉冲发生器。     

三代像增强器用微通道板的改进与发展

简要说明了三代像增强器的特点，分析了微通道板的离子反馈形成机理，给出有效抑制离子反馈对光阴极造成伤害的2种方法，即一种是减少和清除微通道板的吸附气体，另一种是阻止反馈离子反馈到光阴极上。介绍了国外最新的三代像增强器，以及使用优化改进的高性能微通道板显著减薄甚至彻底去除微通道板离子反馈膜的方法，该方法能维持砷化镓光阴极足够长的工作寿命，还介绍了最新发展的体导电微通道板和硅微通道板。指出高可靠性无膜选通砷化镓像增强器技术的实现，不仅需要微通道板在抑制离子反馈方面取得突破，还需要砷化镓光阴极在耐受离子反馈能力上进一步提高，同时还要结合和拓展选通电源的应用。     

英国马拉德公司象增强器

1.一般介绍象增强器是电子光学器件。它可以用电子学方法增强聚焦在光电阴极上的景物图象。增强了的图象显示在荧光屏上。象增强器由光电阴极、电子光学透镜和荧光屏组成。现有两种类型的被动式象增强器: a)第一代被动式象增强器(单级和三级级联,均为倒象式);     

影响超二代像增强器最高增益的因数分析

在阴极灵敏度、微通道板固有增益、屏效以及屏压一定的条件下,超二代像增强器的最高亮度增益由微通道板增益所决定.实验中发现微通道板增益存在一个最高值,当微通道板增益超过最高值时,像增强器会产生自激发光.像增强器产生自激发光时,图像的对比度、分辨力消失,图像亮度的增强作用失去意义.因此超二代像增强器的最高亮度增益受自激发光的...     

用于MCP象增强器快速选通的高速脉冲的产生

近贴聚焦微通道板象增强器(proximity focused microchannel plateimage intensifiers)是一种新颖的电子光学元件。它除具有纯粹的光快门作用外,通常还具有可观的光增强作用。作为光快门的微通道板象增强器和控制其光快门作用的高速高压脉冲源相结合,便构成了具有极短曝光时间和很高光增益并能捕捉单次瞬     

防离子反馈微通道板的最佳工作电压试验研究

带防离子反馈膜的微通道板(micro-channe plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:①对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值V_c1时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压V_c1为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值V_m1(阴极电压为大于V_c1的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(V_m1+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(V_m1+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;②对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压V_c=无膜MCP的最佳阴极电压V_c1与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为V_m > (V_m1+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。     

三代管MCP离子阻挡膜研究

三代管中GaAs光电阴极的表面Cs-O层经不住正离子的轰击,但在MCP的通道内,由于二次电子倍增,在MCP通道的输出端,电子密度较大,所以MCP通道内的残余气体分子就会被电离,正离子在电场的作用下向阴极方向运动,最终轰击阴极的表面Cs-O层,使阴极的灵敏度衰退.所以在MCP的输入端制作一层Al₂O₃离子阻挡膜对延长阴极的寿命是至关重要的作用.本文介绍了MCP离子阻挡膜的离子阻挡和电子透射原理,离子阻挡膜厚度的确定以及离子阻挡膜的制作工艺.     

CsI/MCP X射线阴极及其在低强度X射线影像仪中的应用

报道了X射线阴极的光电发射原理,给出CsI／MCPX射线阴极的制作方法。分析了反射式和透射式X射线阴极的量子效率和噪声特点,提出了改进工艺,给出CsI／MCP的输出特性和扫描电镜正面和剖面照片,且指出Lixiscope的发展以及在生物医学中的应用前景。     

真空短间隙微弧级联效应观测

利用0.5 mm间隙微通道板成像器观测了微弧放电的斑点级联效应.实验发现,微弧阴极斑点的运动轨迹呈多类型的折线轨迹,斑点间隙在200—300 μm,首发射阴极斑点的放电强度比次级斑点高一个量级以上,而且次级斑点之间的放电强度相对稳定,次级斑点在放电阴极表面无融蚀现象.实验表明,次级斑点产生机制与首发射存在较强的依赖关系. 关键词： 阴极斑点 微弧级联 微通道板成像器     

一种新型X射线象增强器光电阴极

我们研制了一种X射线象增强器透射式光电阴极,即高低密度夹芯结构的CsIX射线光电阴极,它的量子效率是高密层CsI的1～10倍.该技术应用于X射线象增强器,探测效率可以提高一个量级,使增益较低的MCP都可以作为产品使用.     

金阴极微通道板能谱响应的理论研究

分析了金阴极微通道板在X射线段(0.1～10 keV)的能谱响应,从阴极量子效率,X射线在通道材料中的衰减,微通道壁的铅层的光电效应,微通道板通道增益等多个方面进行综合计算,结果表明:得出较完善的阴极型微通道板能谱响应理论公式及其数值模拟曲线.在只考虑一个通道,增益值为1时,微通道板的能谱响应完全取决于金阴极的量子效率,若考虑多通道效应,微通道板的能谱响应受通道材料元素吸收边的影响发生突变,且通道数目越多,影响越显著;能谱响应随电压增大呈增长趋势,但会受到微通道板饱和电流的限制.实验给出了微通道板能谱响应与入射角的关系曲线,确定了能获得增益的最小入射角.     

金阴极的选择性光电效应

提出了一种测量金阴极的紫外光谱响应特性的方法.利用微通道板(microchannel plate,简称MCP)对电子的高增益特性,通过直接测量金阴极MCP探测器输出电流表征金阴极的紫外光响应.测量金阴极MCP探测器在200—340 nm波段的光谱响应,得到金阴极的谱响应特性:金作为逸出功较大的金属,也具有碱金属才有的选择性光电效应. 其选择峰值位于5.72 eV处,通过理论验证了该峰值的位置.     

金阴极微通道板能谱响应的理论研究

分析了金阴极微通道板在X射线段（0.1～10 keV）的能谱响应,从阴极量子效率,X射线在通道材料中的衰减,微通道壁的铅层的光电效应,微通道板通道增益等多个方面进行综合计算,结果表明:得出较完善的阴极型微通道板能谱响应理论公式及其数值模拟曲线.在只考虑一个通道,增益值为1时,微通道板的能谱响应完全取决于金阴极的量子效率,若考虑多通道效应,微通道板的能谱响应受通道材料元素吸收边的影响发生突变,且通道数目越多,影响越显著;能谱响应随电压增大呈增长趋势,但会受到微通道板饱和电流的限制.实验给出了微通道板能谱响应与入射角的关系曲线,确定了能获得增益的最小入射角.     

Residence time of metal ions generated from microsecond vacuum arcs

Vacuum gaps of 1 mm with lead or copper cathode are fired by a 13 μs duration sinusoidal arc or a 10 μs duration exponentially-decaying arc, and time-of-flight (TOF) ion measurements are made at variable times after the arc ignition. At the lead cathode, Pb⁺ and Pb⁺⁺ ions are generated and the upper limit on the times for Pb⁺ ion detection are 48 μs and 46 μs from the arc ignition for the sinusoidal and exponential arcs, respectively. At the copper cathode, Cu⁺, Cu⁺⁺, and Cu⁺⁺⁺ ions are generated and detected within 15 μs and 13 μs from the arc ignition for the sinusoidal and exponential arcs, respectively. The residence time of the Pb⁺ ions in the ion acceleration region is approximately 35 μs, regardless of the waveform of the arc current. The residence time of the copper ions, described by the time constant of the time-of-flight ion current delay characteristics, is 3 μs