共查询到16条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
讨论了基于蒙特卡罗法模拟各向异性腐蚀加工的微观表面形态的仿真方法.应用台阶流动模犁,分析了(h,k,l),f)晶面中(h+2,h,h),(,h,1,1),(h+2,h十2,h)以及(h,h.1)晶面族上反应活跃的台阶部位原子的排列特征,结合微掩模的作用和定义方法,提出了通过限制各品面族台阶部位广泛存在的一级、二级邻居数为(3,7)原子移除概率的方法来模拟快速反应区域的吸附抑制现象.把上述内容应用于RPF函数对(100)面的凸起结构,(110)面的带状条纹以及(111)面的三角形凹陷微观结构进行了仿真计算,解释了腐蚀中微观形貌的特征和成因.算法在3种基础晶面和高指数(322)晶面的计算结果能够很好地符合实验中观察剑的表面形态微观特征,验证了方法的有效性. 相似文献
2.
探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程,确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicinal surface)在掩模下的腐蚀模拟对提出的方法进行了校验分析,解释了蒙特卡罗法处理复杂晶面的原理和过程.模拟测试中,仿真程序能正确地再现不同晶向腐蚀速率特性以及凸角腐蚀的结构形态,经过与目前报道的元胞自动机以及其他种类蒙特卡罗法比较分析,模型具有较高的仿真效率和结果精度.最后,该系统模拟一个实际的微加速度传感器设计中的凸角补偿问题,在震动岛块的掩模补偿设计中验证了模型的正确性. 相似文献
3.
探讨了Metropolis蒙特卡罗方法模拟硅微加工各向异性湿法腐蚀仿真算法.在台阶流动(step flow)模型上引入了腐蚀概率方程,确定了蒙特卡罗转移概率.通过对不同相位晶面(vicinal surface)在掩模下的腐蚀模拟对提出的方法进行了校验分析,解释了蒙特卡罗法处理复杂晶面的原理和过程.模拟测试中,仿真程序能正确地再现不同晶向腐蚀速率特性以及凸角腐蚀的结构形态,经过与目前报道的元胞自动机以及其他种类蒙特卡罗法比较分析,模型具有较高的仿真效率和结果精度.最后,该系统模拟一个实际的微加速度传感器设计中的凸角补偿问题,在震动岛块的掩模补偿设计中验证了模型的正确性. 相似文献
4.
5.
利用体视显微镜和扫描电子显微镜观察Nd:YAG固体脉冲激光铣削的单晶硅表面形貌,利用能谱分析仪EDAX对铣削表面进行成分分析。不同功率密度的激光铣削的单晶硅表面形貌差别比较大,其表面化学成分也存在较大差别。 相似文献
6.
7.
8.
单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作硅基微电子机械系统(MEMS)器件的重要步骤之一,由于具有刻蚀均匀性好、批量大、成本低的优点而深受关注。首先回顾了单晶硅各向异性湿法刻蚀的刻蚀机理,比较了三种常用各向异性刻蚀液的刻蚀性质,讨论了刻蚀形状的控制技术。然后着重介绍了表面活性剂修饰的单晶硅各向异性湿法刻蚀速率和刻蚀表面光滑度等特性,以及面向MEMS应用的基于该刻蚀技术的各种微纳新结构;分析了表面活性剂分子在刻蚀过程中的作用,强调了表面活性剂分子在单晶硅表面的吸附性对改变刻蚀表面的物理性质的重要性。最后在此基础上,归纳了单晶硅各向异性湿法刻蚀的发展情况,探讨了其未来的发展方向。 相似文献
9.
孙俭 《电子工业专用设备》2011,40(3):28-30
碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌如粗糙度、显微镜下的表面状况的影响做了研究,通过实验结果给出了特定要求条件下硅片腐蚀的最佳方案.运用硅的化学腐蚀机理分析了表面腐蚀状况的原因. 相似文献
10.
11.
12.
基于MATLAB的硅各向异性腐蚀过程模拟 总被引:5,自引:2,他引:3
根据硅各向异性腐蚀特点,在硅各向异性腐蚀速率图基础上,提出算法,利用数学软件MATLAB模拟了几种简单掩膜图形的腐蚀过程.程序从二维掩膜描述出发,找到相关晶面,产生动态的三维几何结构的输出.并推导出凸角补偿时补偿条的相关尺寸.其结果对MEMS加工有一定参考价值. 相似文献
13.
14.
15.
16.
建立了一个单电子加法器的物理模型,采用Monte Carlo法对其进行数值模拟,分析了温度、栅极电容及隧道结电容等参数对单电子加法器的电学特性的影响。发现加法器对温度和栅极电容器的电容变化非常敏感,而改变隧道结的电容、电阻对单电子加法器的电学特性的影响不明显。 相似文献