ELECTRONIC STRUCTURE STUDIES OF THE C60 FILM CONDENSED ON 2H-MoS2(0001) SURFACE

The electronic structure and vibrational spectrum of the C₆₀ film condensed on a 2H- MoS₂(0001) surface have been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ul-traviolet photoelectron spectroscopy (UPS), Auger electron spectroscopy (AES) and infrared high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS). AES analysis showed that at low energy side of the main transition, C₆₀ contains a total of three peaks just like that of graphite. However, the energy position of the KLL main Auger transition of C₆₀ looks like that of diamond, indicating that the hybridization of the carbon atoms in C₆₀ is not strictly in sp²- bonded state but that the curvature of the molecular surface introduces some sp²pz- bonded character into the molecular orbitals. XPS showed that the C 1s binding energy in C₆₀ was 285.0eV, and its main line was very symmetric and offered no indication of more than a single carbon species. In UPS measurement the valence band spectrum of C₆₀ within 10eV below the Fermi level (E_F) shows a very distinct five-band structure that character-izes the electronic structure of the C₆₀ molecule. HREEL results showed that the spectrum obtained from the C₆₀ film has very rich vibrational structure. At least, four distinct main loss peaks can be identified below 200 meV. The most intense loss was recorded at 66 meV, and relatively less intense losses were recorded at 95, 164 and 197meV at a primary energy of electron beam E_P = 2.0eV. The other energy-loss peaks at 46, 136, 157 and 186meV in HREEL spectrum are rather weak. These results have been compared to infrared spectrum data of the crystalline solid C₆₀ taken from recent literatures.     

O2的化学吸附对2H—MoS2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响

利用低能N⁺(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS₂(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向E_F移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d_(z²)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O₂吸附活性,O₂吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。 关键词：     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：     

C60分子电子性质的理论研究

根据C₆₀分子的结构特征,构造了电子的局域波函数,在该函数表象下计算了电子格点之间的跳跃能量.对不等性sp³杂化,通过优化计算,当有效核电荷数Z=1.112时,得到的能隙(最低未占据轨道(LUMO)与最高占据轨道(HOMO)之间的能量差)、能带宽度以及电离能阈值分别为1.70eV,12.19eV和8.13eV.这与实验结果符合得较好.与之相应的电子跳跃能量是：最近邻分别为-2.299eV,-2.113eV;次近邻分别为0.103eV,0.170eV;三近邻分别为 关键词：     

C60/C70晶体形貌的研究

采用电弧法制备了C₆₀/C₇₀,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C₆₀/C₇₀晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。 关键词：     

高温超导体MgB2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB₂的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB₂是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(E_F)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB₂的超导电性的微观机制不可能是电子声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制 关键词： 高温超导体 电子结构     

ScH2及HfH2的电子结构

用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH₂及HfH₂的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH₂本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去₂¹的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH₂中H也可能占据八面体位置。HfH₂状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。 关键词：     

NiSi2化合物的电子结构

采用自洽LMTO方法,计算了NiSi₂化合物的电子结构。所得结果与ARUPS光电子谱结果以及LAPW等计算结果符合得相当好。在NiSi₂化合物中Ni3p芯能级移动是与镍原子的电子组态变化有关;镍的3d电子减少导致对镍的3p电子屏蔽作用减弱。计算结果表明离子性对化学键贡献很小。 关键词：     

基于激发态吸收的C60分子全光开关特性研究

用５３２．０ｎｍ的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光作为泵浦光，７４７．０ｎｍ的连续半导体激光作为探测光，在Ｃ₆₀甲苯溶液中，利用Ｃ₆₀分子的三重态－三重态非线性吸收效应，获得Ｃ₆₀分子的全光开关和全光调制特性，并用速率方程进行了动力学数值模拟，得到与实验相一致的结果。 关键词：     

C2H4在Ru(1010)表面吸附与分解的研究

用X射线电子能谱(XPS)、热脱附谱(TDS)和紫外光电子能谱(UPS)方法研究了乙烯(C_{2H4)在Ru(1010)表面的吸附,在低温下(200K以下)乙稀(C2Ｈ4})可以在Ru(1010)表面上以分子状态稳定吸附,在200K以上乙烯(C₂H ₄)则发生了脱氢分解反应.TDS结果表明乙烯(C₂H₄)分 解后的主要产物为乙炔(C< 关键词： 乙烯 钌(1010)表面 吸附与分解     

C2H2在金刚石（001）-（2×1）重构面上吸附的分子动力学模拟

利用Brenner半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法，研究了乙块（C₂H₂）分子在金刚石（001）-（2×1）重构表面上的碰撞动力学过程与化学吸附构型的关系.观察到C₂H₂在金刚石表面的6种吸附结构.约95％的吸附呈C₂H₂与表面形成两个σ单键的形式.讨论了轰击能量、入射位置及金刚石表面原子的空间位形对各种吸附构型形成的影响.还给出了化学吸附过程的分子快照，并讨论了C₂H₂分子与表面的能量交换关系. 关键词：     

C2和C2+,C2-的电子结构与势形共振

本文在独立电子近似的基础上,根据多重散射自洽场理论方法,计算了C₂和C₂⁺,C₂^-分子(离子)的电子结构,阐明了势形共振能量和上述分子(离子)电子数的关系,结果表明,随着电子数的减少,C原子2s-2p轨道杂化减弱,势形共振的能量将降低(如降低到阈值下,则势形共振消失)。 关键词：     

原子无序起伏对C60的影响

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C₆₀的键长和格点电子密度分布的影响．得到了C₆₀中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：1）在C₆₀的长、短键之差等于0.0044nm，格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时，C₆₀中的二聚化结构仍然存在．2）在格点原子 关键词：     

PbWO4晶体电子结构的理论计算

采用相对论性的离散变分DV-Xα方法模拟计算了具有复杂晶体结构的PbWO₄晶体的本征能级结构,其价带顶主要由O 2p轨道组成,导带底主要由W 5d轨道构成;Pb 6s电子的绝大部分分布在距价带底～2eV处的窄带中,同时也有少量分布在价带;禁带宽度大约是4.4eV,计算结果与实验数据符合得较好. 关键词：     

P2S5/NH4OH处理GaAs(100)表面的电子能谱研究

采用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了P₂S₅/NH₄OH钝化液处理的GaAs(100)表面的微观特性。AES测量表明,在钝化膜和GaAs衬底之间的界面处无O组分,只有P和S组分。XPS测量分析指出,经过P₂S₅/NH₄OH溶液处理后,GaAs表面处Ga₂O₃和As₂O_{3关键词：}     

多晶样品SmxC60的电子输运性质研究

通过电阻和磁阻的测量，研究了多晶样品Sm_xC₆₀的电子输运性质．实验发现：Sm_xC₆₀的输运机制随ｘ的不同而发生变化．SmC₆₀的电阻率 温度关系可用涨落导致的隧道穿透模型解释，而Sm_2.75C₆₀的输运性质则可由弱局域化和电子-电子相互作用解释．Sm_2.75C₆₀的磁阻数据能用弱局域化和电子-电子相互作用模型很好地拟合，而SmC₆₀的磁阻数据则不能． 关键词：     

BOND STRUCTURE AND ELECTRON STATES OF CHARGED C60

In the alkali-metal doped C₆₀, the charge transfer induces the distortion of the bond structure and forms the self-trapping electronic bound states. Our theory manifests: 1, the charge transfer reduces the symmetry of C₆₀ from I_h to D_5d. 2, Both the bond distortion and the self-trapping states possess layer structures and are localized in the equatorial area. 3, The carbon atoms in charged C₆₀ are divided into eight layers with an inversion center, then there exist four nonequivalent groups of carbon atoms. It makes the NMR line split into a fine structure with strength ratio 1:1:2:2. 4, The charged C₆₀ has two self-trapping bound states, one is 0.06eV above HOMO with odd parity and the other is 0.05 eV below LUMO with even parity.     

应力对(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

考虑到应力对超薄层(GaP)₁/(InP)₁(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)₁/(InP)₁(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小 关键词：